一种采用绝缘封装的可控硅制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用绝缘封装的可控硅，包括塑封体、引线框架散热片、T极引线框架引脚、T极引线框架引脚、G极引线框架引脚和芯片，T极引线框架引脚置于引线框架散热片上，芯片置于T极引线框架引脚上，T极引线框架引脚上端封装在塑封体内并与芯片连接，T极引线框架引脚封装在塑封体内，G极引线框架引脚封装在塑封体内并与芯片连接，芯片封装在塑封体内，引线框架散热片部分封装在塑封体上。本实用新型专利技术采用引线框架散热片与T2极引线框架引脚分离，通过安装绝缘陶瓷片，隔断T2极引线框架引脚与引线框架散热片之间的连通，使得引线框架散热片可以接地，且引线框架散热片不带电更安全，通过引线框架散热片和塑封体增强散热效果。

A thyristor with insulation package

【技术实现步骤摘要】
一种采用绝缘封装的可控硅
本技术涉及半导体元件
，尤其是涉及一种采用绝缘封装的可控硅。
技术介绍
电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。普通的三端封装可控硅采用半包形式，且散热片与可控硅的其中一脚相连通，通常与中间引线框架引脚连为一体的，这种可控硅散热效果好，但是不满足绝缘要求，另一种常规绝缘封装的可控硅采用环氧树全包封，外表看上去全是塑料，这种散热效果较差，现推出一款既满足绝缘要求又不降低散热效果的绝缘封装的可控硅。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种散热效果强、绝缘封装的可控硅。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种采用绝缘封装的可控硅，包括塑封体、引线框架散热片、T极引线框架引脚、T极引线框架引脚、G极引线框架引脚和芯片，所述T极引线框架引脚置于引线框架散热片上且两者之间通过绝缘陶瓷片连接，所述绝缘陶瓷片与引线框架散热片之间设有锡膏，所述绝缘陶瓷片与T极引线框架引脚之间设有锡膏，所述芯片置于T极引线框架引脚上且两者通过焊锡丝连接，所述T极引线框架引脚上端封装在塑封体内并与芯片连接，所述T极引线框架引脚上端封装在塑封体内，所述G极引线框架引脚上端封装在塑封体内并与芯片连接，所述芯片封装在塑封体内，所述引线框架散热片部分封装在塑封体上。所述引线框架散热片上远离T2极引线框架引脚的一侧开设有圆形孔。所述芯片为阳极面朝下置于引线框架散热片上，所述芯片阴极区上分为G极和T极，所述T极引线框架引脚上靠近芯片处连接有T极焊丝部，所述T极焊丝部通过两根连接线与T极连接，所述G极引线框架引脚上靠近芯片处连接有G极焊丝部，所述G极焊丝部通过连接线与G极连接。本技术的有益效果是：采用引线框架散热片与T2极引线框架引脚分离，通过安装绝缘陶瓷片，隔断T2极引线框架引脚与引线框架散热片之间的连通，使得引线框架散热片可以接地，且引线框架散热片不带电更安全，通过引线框架散热片和塑封体增强散热效果。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术的整体剖视图；图3为本技术的T2极引线框架引脚和芯片安装示意图；图中：塑封体1、引线框架散热片2、圆形孔21、T1极引线框架引脚3、T2极引线框架引脚31、G极引线框架引脚32、T1极焊丝部33、G极焊丝部34、绝缘陶瓷片4、焊锡丝5、芯片6、G极61、T1极62、锡膏7、连接线8。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步描述：如图1～图3所示，一种采用绝缘封装的可控硅，包括塑封体1、引线框架散热片2、T1极引线框架引脚3、T2极引线框架引脚31、G极引线框架引脚32和芯片6，所述引线框架散热片2上远离T2极引线框架引脚31的一侧开设有圆形孔21，开设圆形孔21起到加强散热的作用，所述T2极引线框架引脚31置于引线框架散热片2上且两者之间通过绝缘陶瓷片4连接，通过安装绝缘陶瓷片4，隔断T2极引线框架引脚31与引线框架散热片2之间的连通，所述绝缘陶瓷片4与引线框架散热片2之间设有锡膏7，所述绝缘陶瓷片4与T2极引线框架引脚31之间设有锡膏7，所述芯片6置于T2极引线框架引脚31上且两者通过焊锡丝5连接。所述T1极引线框架引脚3上端封装在塑封体1内并与芯片6连接，所述T2极引线框架引脚31上端封装在塑封体1内，所述G极引线框架引脚32上端封装在塑封体1内并与芯片6连接，所述芯片6封装在塑封体1内，所述引线框架散热片2部分封装在塑封体1上，本技术中塑封体1为树脂材料。所述芯片6为阳极面朝下置于引线框架散热片2上，所述芯片6阴极区上分为G极61和T1极62，所述T1极引线框架引脚3上靠近芯片6处连接有T1极焊丝部33，所述T1极焊丝部33通过两根连接线8与T1极62连接，T1极62和T1极焊丝部33之间电流过大需要两根连接线8连接，所述G极引线框架引脚32上靠近芯片6处连接有G极焊丝部34，所述G极焊丝部34通过连接线8与G极61连接，本技术中连接线8为铝线。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用绝缘封装的可控硅，包括塑封体(1)、引线框架散热片(2)、T1极引线框架引脚(3)、T2极引线框架引脚(31)、G极引线框架引脚(32)和芯片(6)，其特征在于：所述T2极引线框架引脚(31)置于引线框架散热片(2)上且两者之间通过绝缘陶瓷片(4)连接，所述绝缘陶瓷片(4)与引线框架散热片(2)之间设有锡膏(7)，所述绝缘陶瓷片(4)与T2极引线框架引脚(31)之间设有锡膏(7)，所述芯片(6)置于T2极引线框架引脚(31)上且两者通过焊锡丝(5)连接，所述T1极引线框架引脚(3)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(6)连接，所述T2极引线框架引脚(31)上端封装在塑封体(1)内，所述G极引线框架引脚(32)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(6)连接，所述芯片(6)封装在塑封体(1)内，所述引线框架散热片(2)部分封装在塑封体(1)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用绝缘封装的可控硅，包括塑封体(1)、引线框架散热片(2)、T1极引线框架引脚(3)、T2极引线框架引脚(31)、G极引线框架引脚(32)和芯片(6)，其特征在于：所述T2极引线框架引脚(31)置于引线框架散热片(2)上且两者之间通过绝缘陶瓷片(4)连接，所述绝缘陶瓷片(4)与引线框架散热片(2)之间设有锡膏(7)，所述绝缘陶瓷片(4)与T2极引线框架引脚(31)之间设有锡膏(7)，所述芯片(6)置于T2极引线框架引脚(31)上且两者通过焊锡丝(5)连接，所述T1极引线框架引脚(3)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(6)连接，所述T2极引线框架引脚(31)上端封装在塑封体(1)内，所述G极引线框架引脚(32)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(6)连接，所述芯片(6)封装在塑...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骆峥晗，徐洪祥，
申请(专利权)人：绍兴怡华电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33