【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝陶瓷金属化基板及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷金属化基板，尤其涉及一种氮化铝陶瓷金属化基板及其制备方法。
技术介绍
当今信息技术日新月异，电子元器件日趋向着大功率、多功能、高密度的方向发展，集成电路从亚微米技术进入到深亚微米，甚至纳米领域，这都导致集成电路单位体积内所产生的热量大幅增加。如果这些热量不通过集成电路板迅速散发出去，集成电路将很难正常工作，甚至被烧坏，据计算在基准温度(100℃)以上，工作温度每升高25℃，电路的失效率就会增加5～6倍。因此集成电路需要一种导热良好的基板和封装材料，电子基板及封装材料适应电子元器件性能的先决条件就是具有良好的导热性能。氮化铝陶瓷具有高热导率、高绝缘性，低介电常数、低介电损耗等优良的物理性能，其膨胀系数介电性能分别与Si和氧化铝陶瓷接近，这些特性使其广泛用于微电子和功率器件。由于AlN基板的使用，封装时就可以不加散热板和缓冲层，从而大大简化了封装结构。要实现AlN基片在集成电路的广泛应用就必须对基片进行金属化处理，这也是AlN用于电子封装的关键工艺之一。但是AlN陶瓷和金属...
【技术保护点】
1.一种氮化铝陶瓷金属化基板，其特征在于，包括AlN陶瓷衬底、离子注入Ti层、磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层，所述离子注入Ti层位于AlN衬底的表面以及一定深度位置，所述磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层在离子注入Ti层之上。/n
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷金属化基板，其特征在于，包括AlN陶瓷衬底、离子注入Ti层、磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层，所述离子注入Ti层位于AlN衬底的表面以及一定深度位置，所述磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层在离子注入Ti层之上。
2.如权利要求1所述一种氮化铝陶瓷金属化基板，其特征在于，所述离子注入Ti层，是经高能离子注入工艺将Ti金属离子注入到AlN陶瓷衬底的表面以及一定深度位置，金属离子源为纯度99.99％的钛靶，工作气压为6～9×10-4Pa，注入电压为50～80kv，注入剂量为7.8×1017ions/cm2～8.2×1019ions/cm2。
3.如权利要求1所述一种氮化铝陶瓷金属化基板，其特征在于，所述磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层，是经磁控溅射工艺依Ti、W、Mo、Cu顺序逐步溅射在样品表面，相应靶材纯度均为99.99％，本底真空度5.6×10-4～2.5×10-3Pa，溅射气体为Ar气(纯度99.99％)，工作气压2～5Pa，溅射功率60～20...
【专利技术属性】
技术研发人员：王疆瑛，陈科成，张景基，刘亚丕，杜汇伟，朱泽洁，
申请(专利权)人：新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。