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本发明公开了一种氮化铝陶瓷金属化基板，包括AlN陶瓷衬底、离子注入Ti层、磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层，所述离子注入Ti层位于AlN衬底的表面以及一定深度位置，所述磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层在离子注入Ti层之上。本发明还公开了一种氮化...
该专利属于新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司授权不得商用。

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