溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种溅射装置，包括：腔室；基座，设置于腔室内，用于承载待加工工件；溅射机构，设置于腔室上，溅射机构用于待加工工件的溅射工艺；顶针机构，设置于腔室内，顶针机构用于在待加工工件进行回流工艺时，将待加工工件从基座上顶起并承载待加工工件；以及微波加热机构，设置于腔室内，微波加热机构包括移动单元和微波发射器，微波发射器与移动单元连接，移动单元用于在待加工工件完成溅射工艺且由顶针机构承载时，将微波发射器移动至待加工工件的下方，而加热待加工工件。本发明专利技术通过微波发射器产生微波，直接作用于待加工件内极性分子而加热待加工件，提高加热效率高，从而有效缩短回流工艺周期时间，提升生产效率。

sputtering equipment

【技术实现步骤摘要】
溅射装置
本专利技术属于溅射
，特别是涉及一种溅射装置。
技术介绍
铜互联工艺是现有技术的芯片后端制造不可或缺的工艺，铜互联工艺的方法为，在刻蚀出的孔和通道中先沉积扩散阻挡层，然后再沉积铜籽晶层，最后通过电镀填充孔道，形成铜互联线路。然而随着芯片特征尺寸的缩小至20纳米以下，通孔与沟槽开口与深宽比都将减小到3.8：1，部分层间的通孔(via)甚至能达到7：1或更高，而物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)法沉积铜籽晶层时，在沟槽开口处铜生长较快造成顶部悬凸，随着深宽比的增加，在后续电镀过程中，顶部悬凸将提前封口导致无法将沟槽完全填满，形成空洞，从而影响互联铜线的电阻，将严重的影响芯片的电学性能甚至造成失效。作为解决芯片特征尺寸20纳米以下工艺的铜回流技术获得人们的关注，在高温(通常在300摄氏度以上)的作用下，低温下PVD沉积的铜的表面移动性和晶粒团聚力都得到增强，在扩散作用和刻蚀出的孔道的毛细作用下，沉积铜薄膜的表面铜原子发生迁移，流入刻蚀出的深孔底部，可以避免沟道中的空洞的产生，且整个回流工艺可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射装置，用于对待加工工件进行溅射工艺，其特征在于，所述溅射装置包括：/n腔室；/n基座，设置于所述腔室内，用于承载所述待加工工件；/n溅射机构，设置于所述腔室上，所述溅射机构用于所述待加工工件的所述溅射工艺；/n顶针机构，设置于所述腔室内，所述顶针机构用于在所述待加工工件进行回流工艺时，将所述待加工工件从所述基座上顶起并承载所述待加工工件；以及/n微波加热机构，设置于所述腔室内，所述微波加热机构包括移动单元和微波发射器，所述微波发射器与所述移动单元连接，所述移动单元用于在所述待加工工件完成所述溅射工艺且由所述顶针机构承载时，将所述微波发射器移动至所述待加工工件的下方，而加热所述待加工...

【技术特征摘要】
1.一种溅射装置，用于对待加工工件进行溅射工艺，其特征在于，所述溅射装置包括：
腔室；
基座，设置于所述腔室内，用于承载所述待加工工件；
溅射机构，设置于所述腔室上，所述溅射机构用于所述待加工工件的所述溅射工艺；
顶针机构，设置于所述腔室内，所述顶针机构用于在所述待加工工件进行回流工艺时，将所述待加工工件从所述基座上顶起并承载所述待加工工件；以及
微波加热机构，设置于所述腔室内，所述微波加热机构包括移动单元和微波发射器，所述微波发射器与所述移动单元连接，所述移动单元用于在所述待加工工件完成所述溅射工艺且由所述顶针机构承载时，将所述微波发射器移动至所述待加工工件的下方，而加热所述待加工工件。


2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述腔室包括：
溅射腔，用于对所述待加工工件进行所述溅射工艺；以及
收纳腔，位于所述溅射腔的下方且与所述溅射腔同轴设置，所述微波加热机构设置于所述收纳腔内，用于对所述待加工工件进行所述回流工艺，所述收纳腔与所述溅射腔之间具有一连通的通孔，所述基座与所述通孔对应设置于所述收纳腔内，且在对所述待加工工件进行所述溅射工艺时，所述基座通过所述通孔上升至所述溅射腔内，在所述待加工工件完成所述溅射工艺后，所述基座通过所述通孔下降至所述收纳腔内，对所述待加工工件进行所述回流工艺。


3.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述溅射机构包括：
靶材，设置于所述腔室顶部；
磁控管，设置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李默林，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11