【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】渗透屏障为了在基材上实现有效地阻止水分子向基材渗透和渗透到基材上的薄层，这样的渗透屏障层必须是无机材料层。定义：在本说明书和权利要求书的框架内，我们通常将术语“基材”理解为工件。基材可以包含对温度（例如高于150℃或更低）敏感的材料。基材可具有板状形状。基材可以是电气器件，并且可包含印刷电路板材料作为热敏材料的实例。有机材料层，例如聚合物的层，例如大多数等离子体聚合的层没有足够的密封效果，或者需要大的层厚度才能成为有效的渗透屏障。用等离子体增强CVD(PECVD)，通常在高温（例如高于150℃）下和/或通过使用危险气体（例如硅烷）可实现致密的无机层。纯无机材料层的缺点是，它们是脆性的，并且其温度膨胀系数不适合于起始基材的温度膨胀系数。因此，已经很小的温度升高可能导致无机材料层的裂纹或无机材料层对起始基材的粘附性的损害。定义：我们将术语“起始基材”理解为如上所定义的基材，其尚未处理或尚未充分处理用于阻止渗透。本专利技术的一个目的是提供基材，其经渗透防护，从而避免上述提到的缺点。这通过包含起始基材和渗透屏障...
【技术保护点】
1.在起始基材上提供渗透屏障层系统或制造提供有表面渗透屏障层系统的基材的方法，该方法包含：/na) 在起始基材上，通过由PVD和/或由ALD沉积至少一个包含至少一个含无机材料的层的无机材料层系统来建立渗透密封；/nb) 通过将包含至少一个含聚合物材料的层的聚合物材料层系统直接沉积在所述起始基材上并将所述无机材料层系统直接沉积在所述聚合物材料层系统上来提供所述无机材料层系统对所述起始基材的粘附性以及所述无机材料层系统的裂纹密封。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170727 CH 00977/171.在起始基材上提供渗透屏障层系统或制造提供有表面渗透屏障层系统的基材的方法，该方法包含：
a)在起始基材上，通过由PVD和/或由ALD沉积至少一个包含至少一个含无机材料的层的无机材料层系统来建立渗透密封；
b)通过将包含至少一个含聚合物材料的层的聚合物材料层系统直接沉积在所述起始基材上并将所述无机材料层系统直接沉积在所述聚合物材料层系统上来提供所述无机材料层系统对所述起始基材的粘附性以及所述无机材料层系统的裂纹密封。
2.权利要求1的方法，其包含真空等离子体聚合所述含聚合物材料的层或至少一个含聚合物材料的层的材料。
3.权利要求1或2的方法，其中建立所述渗透密封包含等离子体增强ALD。
4.权利要求1至3之一的方法，至少一层从电绝缘层沉积。
5.权利要求1至4之一的方法，将所述渗透屏障层系统沉积为对可见光透明。
6.权利要求1至5之一的方法，其中在所述沉积期间起始基材处的温度不超过预定值，其优选不超过至多150℃。
7.权利要求1至6之一的方法，其包含直接在所述无机材料层系统上沉积包含至少一个含聚合物材料的层的进一步的聚合物材料层系统。
8.权利要求1至7之一的方法，其包含真空等离子体聚合多于一个含聚合物材料的层的材料。
9.权利要求1至8之一的方法，其包含重复所述步骤a)和b)。
10.权利要求1至9的方法，其包含直接在最后沉积的无机材料层系统上沉积包含至少一个含聚合物材料的层的进一步的聚合物材料层系统。
11.权利要求1至10之一的方法，其包含在至少一次沉积无机材料层系统期间或之后冷却所述基材。
12.权利要求1至11之一的方法，其包含沉积氧化硅的含无机材料的层。
13.权利要求1至12之一的方法，其包含在沉积含聚合物材料的层与沉积含无机材料的层之间以受控的方式沉积至少一个材料界面，所述界面具有如下的材料，这种材料包含所述沉积的含聚合物材料的层的聚合物材料以及所述含无机材料的层的无机材料。
14.权利要求1至13之一的方法，包含从气体或液体材料沉积至少一个含聚合物材料的层。
15.权利要求1至14之...
【专利技术属性】
技术研发人员：R本茨，S沃塞尔，J维查尔特，
申请(专利权)人：瑞士艾发科技，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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