【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】渗透屏障为了在基材上实现有效地阻止水分子向基材渗透和渗透到基材上的薄层，这样的渗透屏障层必须是无机材料层。定义：在本说明书和权利要求书的框架内，我们通常将术语“基材”理解为工件。基材可以包含对温度（例如高于150℃或更低）敏感的材料。基材可具有板状形状。基材可以是电气器件，并且可包含印刷电路板材料作为热敏材料的实例。有机材料层，例如聚合物的层，例如大多数等离子体聚合的层没有足够的密封效果，或者需要大的层厚度才能成为有效的渗透屏障。用等离子体增强CVD(PECVD)，通常在高温（例如高于150℃）下和/或通过使用危险气体（例如硅烷）可实现致密的无机层。纯无机材料层的缺点是，它们是脆性的，并且其温度膨胀系数不适合于起始基材的温度膨胀系数。因此，已经很小的温度升高可能导致无机材料层的裂纹或无机材料层对起始基材的粘附性的损害。定义：我们将术语“起始基材”理解为如上所定义的基材，其尚未处理或尚未充分处理用于阻止渗透。本专利技术的一个目的是提供基材，其经渗透防护，从而避免上述提到的缺点。这通过包含起始基材和渗透屏障...
【技术保护点】
1.层沉积设备，其包含：/n·基材载体；/n·至少一个无机材料层沉积站，其包含至少一个PVD层沉积室和/或至少一个ALD层沉积室，各自包含无机材料的源；/n·至少一个聚合物沉积站，其包含至少一个等离子体聚合室，所述室具有用于单体进料的进料线系统和等离子体源；/n·控制单元，其被构造为控制所述基材载体对来自所述无机材料层沉积站和来自所述至少一个聚合物沉积站的沉积作用的间歇暴露。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170727 CH 00977/171.层沉积设备，其包含：
·基材载体；
·至少一个无机材料层沉积站，其包含至少一个PVD层沉积室和/或至少一个ALD层沉积室，各自包含无机材料的源；
·至少一个聚合物沉积站，其包含至少一个等离子体聚合室，所述室具有用于单体进料的进料线系统和等离子体源；
·控制单元，其被构造为控制所述基材载体对来自所述无机材料层沉积站和来自所述至少一个聚合物沉积站的沉积作用的间歇暴露。
2.权利要求1所述的层沉积设备，其包含至少一个冷却站。
3.权利要求1或2之一所述的层沉积设备，至少一个无机材料层沉积站包含至少一个ALD层沉积室，所述至少一个ALD层沉积室包含气体供应装置，所述气体供应装置可操作地至少流动连接到含有前体的前体存储器以及流动连接到含有反应性气体的反应性气体存储器。
4.权利要求1至3之一所述的层沉积设备，至少一个无机材料层沉积站包含至少两个ALD层沉积室，所述至少两个ALD层沉积室中的一个包含可操作地连接到含有前体的前体存储器的气体供应装置，所述ALD沉积室中的另一个包含可操作地连接到含有反应性气体的反应性气体存储器的气体供应装置。
5.权利要求3或4之一所述的层沉积设备，来自所述前体存储器的前体气体含有硅和金属中的至少一种。
6.权利要求5所述的层沉积设备，所述金属是铝、钽、钛、铪中的至少一种。
7.权利要求3至6之一所述的层沉积设备，所述反应性气体含有氧和氮中的至少一种。
8.权利要求1至7之一所述的层沉积设备，至少一个无机材料层沉积站包含至少一个ALD层沉积室，所述至少一个ALD层沉积室包含激光源、气体供应装置，所述气体供应装置可操作地至少流动连接到含有前体的前体存储器以及流动连接到含有反应性气体的反应性气体存储器。
9.权利要求1至8之一所述的层沉积设备，至少一个无机材料层沉积站包含至少两个ALD层沉积室，所述至少两个ALD层沉积室中的一个包含可操作地连接到含有前体的前体存储器的气体供应装置，所述ALD沉积室中的另一个包含可操作地连接到含有反应性气体的反应性气体存储器的气体供应装置和激光源。
10.权利要求1至9之一所述的层沉积设备，至少一个无机材料层沉积站包含至少一个PVD层沉积室。
11.权利要求10所述的层沉积设备，所述PVD层沉积室是溅射层沉积室。
12.权利要求10所述的层沉积设备，所述PVD层沉积室是蒸发室或电子束蒸发室。
13.权利要求10至12之一所述的层沉积设备，所述PVD层沉积室具有固体材料源，所述固体材料源具有至少一种金属或金属合金、或者具有这样的金属或金属合金的氧化物或氮化物或氧氮化物。
14.权利要求1至13之一所述的层沉积设备，其中至少一个无机材料层沉积站和至少一个聚合物沉积站相互远离，并且所述基材载体从这些站中的一个可控制地移动到这些站中的下一个，优选在真空环境中。
15.权利要求1至14之一所述的层沉积设备，其中至少一个PVD层沉积室和/或至少一个ALD层沉积室包含对于沉积操作可控制地密封的且对于基材处理可打开的沉积空间，以及与所述可控制地密封的且可打开的沉积空间邻接的泵口。
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【专利技术属性】
技术研发人员：R本茨，S沃瑟，J维查特，
申请(专利权)人：瑞士艾发科技，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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