借助PECVD磁控管法用类金刚石碳进行涂覆制造技术

本发明专利技术涉及在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的PECVD法（磁控管PECVD）用类金刚石碳（DLC）层涂覆基底(1)的方法，其中所述方法包括将至少一种反应物气体引入在真空室中由磁控靶(9)生成的等离子体中，因此形成反应物气体的片段，所述片段沉积在基底(1)上以形成DLC层。根据本发明专利技术的方法适于用DLC层大面积涂覆基底(1)，例如玻璃板。所得DLC层在耐划伤性和光学性质方面具有出色质量。根据本发明专利技术的方法可用常规沉积装置实施。基底加热不是必要的。

Diamond like carbon coating with PECVD magnetron method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】借助PECVD磁控管法用类金刚石碳进行涂覆本专利技术涉及通过组合等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）/磁控管法（磁控管PECVD法）制造由类金刚石碳（DLC）制成的层的方法。对于许多用途，希望提供具有改进的耐划伤性的基底表面。例如，浮法玻璃本质上没有高耐划伤性；但是，合适的薄膜的施加可显著改进玻璃表面的耐划伤性。由类金刚石碳（DLC；DLC代表类金刚石碳）制成的薄层特别好地适用于此并且它们的耐划伤性是众所周知的。在玻璃板上施加DLC层的工业方法是专利文献中已知的。例如，CN105441871A描述了使用PVD和HIPIMS法制造超硬DLC层。CN104962914A描述了用于沉积DLC层的工业气相沉积装置。用于制造DLC层的另一装置描述在CN203834012U中。JP2011068940A涉及制造耐磨DLC层的方法。WO2004/071981A2涉及用于在玻璃上沉积DLC层的离子束技术。这种技术提供优质层，但对工艺稳定性的要求高。尤其，材料（DLC材料）积聚在离子源上会不利地影响离子源的运行稳定性并例如由于电绝缘、形成电弧、积聚等问题而造成工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的PECVD法用类金刚石碳层涂覆基底(1)的方法，其包括将至少一种反应物气体引入在真空室(3)中由靶(9)生成的等离子体中，因此形成反应物气体的片段，所述片段沉积在基底(2)上以形成类金刚石碳层，其中运行借助磁控靶生成等离子体的PECVD法，以使得在类金刚石碳层沉积到基底(1)上的过程中，靶(9)以中毒模式运行。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170726 EP 17183187.81.在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的PECVD法用类金刚石碳层涂覆基底(1)的方法，其包括将至少一种反应物气体引入在真空室(3)中由靶(9)生成的等离子体中，因此形成反应物气体的片段，所述片段沉积在基底(2)上以形成类金刚石碳层，其中运行借助磁控靶生成等离子体的PECVD法，以使得在类金刚石碳层沉积到基底(1)上的过程中，靶(9)以中毒模式运行。


2.根据权利要求1的方法，其中所述靶(9)是由硅、碳或金属制成的靶(9)，其中所述金属优选选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼或钨。


3.根据权利要求2的方法，其中所述硅靶被铝和/或硼和/或锆和/或铪和/或钛掺杂。


4.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述靶(9)是平面靶或可旋转靶。


5.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述至少一种反应物在引入真空室(3)之前已经以气相存在或通过加热而转化成气相。


6.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述至少一种反应物选自烃、有机硅化合物或其混合物。


7.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述至少一种反应物选自四甲基硅烷、C1-C10-烷、C2-C10-炔、苯或其混合物。


8.根据前述权利要求任一项的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：J哈根，N胡恩，J林纳，
申请(专利权)人：法国圣戈班玻璃厂，
类型：发明
国别省市：法国;FR