半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种电子零件能够散热的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备衬底、半导体零件、及导热体。所述半导体零件包含内插式衬底、搭载在所述内插式衬底的第1面的电子零件、与所述第1面及所述电子零件接触并覆盖该第1面及该电子零件的被覆树脂、以及与所述被覆树脂接触并覆盖该被覆树脂的金属膜，且搭载在所述衬底。所述导热体附着在所述金属膜，将所述衬底与所述金属膜连接，且导热率高于所述被覆树脂。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2018-173003号(申请日：2018年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
已知利用密封树脂密封搭载在内插式衬底的电子零件的半导体零件。该半导体零件通过端子搭载在衬底。半导体零件经由端子导热到衬底，由此散热。然而，半导体零件存在无法由端子充分地散热的情况。
技术实现思路
实施方式提供一种电子零件能够散热的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备衬底、半导体零件、及导热体。所述半导体零件包含内插式衬底、搭载在所述内插式衬底的第1面的电子零件、与所述第1面及所述电子零件接触并覆盖该第1面及该电子零件的被覆树脂、以及与所述被覆树脂接触并覆盖该被覆树脂的金属膜，且搭载在所述衬底。所述导热体附着在所述金属膜，将所述衬底与所述金属膜连接，且导热率高于所述被覆树脂。附图说明图1是概略性地表示第1实施方式的半导体装置的一部分的剖视图。图2是将第1实施方式的半导体装置分解而概略性地表示的例示性立体图。图3是概略性地表示第1实施方式的半导体装置的一部分的例示性俯视图。图4是概略性地表示第2实施方式的半导体装置的一部分的剖视图。图5是概略性地表示第3实施方式的半导体装置的一部分的剖视图。图6是概略性地表示第3实施方式的半导体装置的一部分的例示性俯视图。图7是概略性地表示第3实施方式的变化例的半导体装置的一部分的例示性俯视图。图8是概略性地表示第4实施方式的半导体装置的一部分的剖视图。具体实施方式(第1实施方式)以下，参照图1至图3，对第1实施方式进行说明。此外，在本说明书中，实施方式的构成要素及该要素的说明存在以多种表达进行记载的情况。构成要素及其说明并不由本说明书的表达限定。构成要素可以通过与本说明书中的名称不同的名称进行指定。另外，构成要素可以通过与本说明书的表达不同的表达进行说明。图1是概略性地表示第1实施方式的半导体装置1的一部分的剖视图。半导体装置1也可以称为电子设备或半导体存储装置。作为本实施方式中的一例的半导体装置1是智能手机。半导体装置1例如也可以是个人计算机、便携式计算机、平板、移动电话、电视接收机、硬盘驱动器(HardDiskDrive：HDD)、固态驱动器(SolidStateDrive：SSD)、USB(UniversalSerialBus，通用串行总线)闪速驱动器、SD(SecureDigital，安全数字)卡、eMMC(注册商标)、通用闪存存储(UniversalFlashStorage：UFS)、存储卡、其他存储装置、可穿戴设备、智能扬声器、家用电气设备、或包含半导体的其他装置。如图1所示，半导体装置1包含衬底5、半导体零件6、及导热体7。衬底5例如是印刷电路板(PCB)。衬底5具有表面5a。表面5a是朝向Z轴的正方向(Z轴的箭头所表示的方向)的大致平坦的面。在衬底5的表面5a搭载半导体零件6。进而，在衬底5，也可以搭载如控制半导体装置1的中央处理装置(CPU)的其他装置。衬底5还包含多个基材11、多个导体层12、多个通孔13、及两个阻焊剂14。也就是说，衬底5是包含多层的多层板，但也可以是单面板。基材11是设置在衬底5的内部的绝缘层。导体层12设置在基材11的表面，例如形成衬底5中的配线、焊盘、焊垫、及实心图案(平面)。通孔13设置在基材11，连接多个导体层12。阻焊剂14覆盖基材11及导体层12。一阻焊剂14形成衬底5的表面5a的至少一部分，位于基材11与半导体零件6之间。导体层12包含电源16、接地17、多个电极18、及多个接地焊垫19。接地焊垫19是导体的一例，也可以称为焊盘或图案。电源16例如具有实心图案的电源层、及连接于该电源层的配线。接地17是接地电位的导体。接地17例如具有实心图案的接地层、及连接于该接地层的配线。电极18设置在被形成表面5a的阻焊剂14覆盖的导体层12。电极18包含信号电极18A、电源电极18B、及接地电极18C。信号电极18A用于设置在衬底5的电路与半导体零件6之间的信号的收发。因此，电信号通过信号电极18A。电源电极18B连接于电源16。接地电极18C连接于接地17。电极18例如配置为矩阵状(网格状)。接地电极18C配置在较信号电极18A及电源电极18B更靠外侧。此外，连接于接地17的电极也可以位于较信号电极18A及电源电极18B更靠内侧。接地焊垫19设置在被形成表面5a的阻焊剂14覆盖的导体层12。接地焊垫19连接于接地17。图2是将第1实施方式的半导体装置1分解而概略性地表示的例示性立体图。如图2所示，接地焊垫19沿着电极18延伸，包围电极18。多个接地焊垫19相互分离。因此，导体层12也可以具有通过两个接地焊垫19之间的配线。如图1所示，在阻焊剂14设置多个孔14a。孔14a使电极18及接地焊垫19露出。由此，电极18及接地焊垫19设置在衬底5的表面5a。作为本实施方式中的一例的半导体零件6是球栅阵列(BallGridArray：BGA)的半导体封装。此外，半导体零件6也可以具有其他构造，也可以是如焊盘网格阵列(LandGridArray：LGA)的其他规格的半导体封装。如附图所示，在本说明书中，定义了X轴、Y轴及Z轴。X轴、Y轴与Z轴相互正交。X轴沿着半导体零件6的宽度。Y轴沿着半导体零件6的长度(深度)。Z轴沿着半导体零件6的高度(厚度)。半导体零件6包含内插式衬底21、控制器芯片22、多个存储器芯片23、多个接合线24、密封树脂25、及金属膜26。控制器芯片22及存储器芯片23分别为电子零件的一例。密封树脂25为被覆树脂的一例。内插式衬底21例如是印刷配线板(PWB)。内插式衬底21具有第1面21a、第2面21b、及端面21c。第1面21a是朝向Z轴的正方向的大致平坦的面。第2面21b是位于第1面21a的相反侧且朝向Z轴的负方向(Z轴的箭头的相反方向)的大致平坦的面。第2面21b与衬底5的表面5a相互相对。端面21c设置在第1面21a的缘部与第2面21b的缘部之间，朝向与Z轴交叉的方向。内插式衬底21还具有多个端子31。端子31分别包含焊垫35、及焊球36。焊球36也可以称为凸块。焊球36连接于对应的电极18。此外，端子31例如根据半导体零件6的规格，也可以与焊垫35及焊球36不同。例如，在半导体零件6为LGA的情况下，端子31包含焊垫35，不包含焊球36。端子31设置在第2面21b。端子31包含信号端子31A、电源端子31B、及接地端子31C。信号端子31A连接于信号电极18A。电源端子31B连接于电源电极18B。接地端子31C连接于接地电极18C。端子31例如排列为矩阵状(网格状)。接地端子31C配置在较信号端子31A及电源端子31B更靠外侧。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n衬底；/n半导体零件，包含内插式衬底、搭载在所述内插式衬底的第1面的电子零件、与所述第1面及所述电子零件接触并覆盖该第1面及该电子零件的被覆树脂、以及与所述被覆树脂接触并覆盖该被覆树脂的金属膜，且该半导体零件搭载在所述衬底；/n及/n导热体，与所述金属膜附着，将所述衬底与所述金属膜连接，且导热率高于所述被覆树脂。/n

【技术特征摘要】
20180914 JP 2018-1730031.一种半导体装置，具备：
衬底；
半导体零件，包含内插式衬底、搭载在所述内插式衬底的第1面的电子零件、与所述第1面及所述电子零件接触并覆盖该第1面及该电子零件的被覆树脂、以及与所述被覆树脂接触并覆盖该被覆树脂的金属膜，且该半导体零件搭载在所述衬底；
及
导热体，与所述金属膜附着，将所述衬底与所述金属膜连接，且导热率高于所述被覆树脂。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述内插式衬底具有位于所述第1面的相反侧的第2面、及设置在所述第2面的端子，
所述衬底具有朝向所述第2面的表面、设置在所述表面并连接于所述端子的电极、及设置在所述表面的导体，且
所述导热体将所述金属膜与所述导体连接。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述导热体为导电性，
所述衬底具有接地，且
所述导体连接于所述接地。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述电极具有使电信号通过的信号电极、连接于电源的电源电极、及连接于所述接地的接地电极，且
所述端子具有连接于所述信号电极的信号端子、连接于所述电源电极的电源端子、以及连接于所述接地电极并且较所述信号端子及所述电源端子更靠近所述导热体的接地端子。


5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述导热体包含具有流动性或经硬化的第1膏，所述第1膏附着在所述金属膜，导热率高于所述被覆树脂，且具有导电性。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述导热体具有热连接及电连接于所述导体的金属部件，且
所述第1膏附着在所述金属膜及所述金属部...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤卷明子，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP