磁阻式随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开一种磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)，其主要包含多个元件串(device strings)以并联方式耦接，各该元件串包含多个磁隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)以串联方式耦接，其中各该元件串的MTJ数量等于该元件串的数量，且该等MTJ的等效电阻等于该等MTJ中其中一者的高电阻以及另一者的低电阻的平均值。

Magnetoresistive random access memory

【技术实现步骤摘要】
磁阻式随机存取存储器
本专利技术涉及一种磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM)，尤其是涉及一种MRAM的参考电路(referencecircuit)。
技术介绍
已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magneticfieldsensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(globalpositioningsystem,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropicma本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)，其特征在于，包含：/n多个元件串(device strings)，以并联方式耦接，各该元件串包含多个磁隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)，以串联方式耦接，其中各该元件串的MTJ数量等于该元件串的数量，且该等MTJ的等效电阻等于该等MTJ中其中一者的低电阻以及另一者的高电阻的平均值。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM)，其特征在于，包含：
多个元件串(devicestrings)，以并联方式耦接，各该元件串包含多个磁隧穿接面(magnetictunnelingjunction,MTJ)，以串联方式耦接，其中各该元件串的MTJ数量等于该元件串的数量，且该等MTJ的等效电阻等于该等MTJ中其中一者的低电阻以及另一者的高电阻的平均值。


2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中各该元件串包含第一元件串以及第二元件串以并联方式耦接。


3.如权利要求2所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一元件串包含第一参考单元以及第二参考单元。


4.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一参考单元以及该第二参考单元以串联方式耦接。


5.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一参考单元包含第一MTJ且该第二参考单元包含第二MTJ。


6.如权利要求5所述的磁阻式随机存取存储器，其中各该第一MTJ以及该第二MTJ包含固定层以及自由层。


7.如权利要求6所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一MTJ的固定层耦接该第二MTJ的固定层。


8.如权利要求6所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一MTJ的自由层耦接该第二MTJ的自由层。


9.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中各该元件串包含第一元件串、第二元件串、第三字串以及第四字串以并联方式耦接。


10.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鼎翔，盛义忠，薛胜元，李国兴，康智凯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71