光罩缺陷的清洁装置及清洁方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，清洁装置用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，待清洁缺陷形成于待处理光罩的待处理表面上，清洁装置包括：缺陷吸附组件，缺陷吸附组件与待处理表面之间具有间距，且缺陷吸附组件基于静电感应吸附待清洁缺陷，以实现待处理光罩的清洁。本发明专利技术在半导体光罩的缺陷移除过程当中，利用非破坏性的静电吸附原理与装备进行光罩缺陷的移除，从而达到光罩清洁的目的，采用本发明专利技术的方案，不仅可以实现光罩缺陷的去除，还可以在去除过程中防止光罩的保护薄膜受到皱折或破损，同时也可以防止保护薄膜受到刮伤，还可进一步实现光罩缺陷的全面性清洁，装置简便，清洁过程简捷，清洁速度快。

Cleaning device and cleaning method for the defect of light cover

【技术实现步骤摘要】
光罩缺陷的清洁装置及清洁方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法。
技术介绍
在数字化的时代中，许多电器用具、物品都以高科技IC芯片进行操控，以达到自动化的目的，而IC芯片主要以极精密的半导体集成电路组成，其制造过程主要利用光罩在无尘的环境中，使用高精密度的机台对晶圆进行高精密度的积层作业来完成，其厂房、机台的制造成本相对较为昂贵，因此，在制造晶片的过程中，致力于提高光罩的良率成为本领域技术人员目前较为重要的课题。在半导体生产制造中，因机台因素或人为因素不可避免的会出现光罩被超出规格的微粒污染，特别是在光罩保护薄膜上形成颗粒缺陷(defect)，只有及时的对该些微粒进行处理才可以进行后续的产品生产。然而，目前业内对光罩覆膜上的污染颗粒很难去除，多数时候只能将光罩返厂清洗或修补，在一定程度上降低了产品的生产效率。因此，如何提供一种光罩缺陷的清洁装置及光罩缺陷清洁方法，以解决现有技术中存在的上述问题实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，用于解决现有技术中光罩上的缺陷难以去除以及现有去除光罩缺陷的方式容易造成光罩保护薄膜损害、清洁速度慢等的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种光罩缺陷的清洁装置，用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，所述待清洁缺陷形成于所述待处理光罩的待处理表面上，所述清洁装置包括：缺陷吸附组件，使用所述缺陷吸附组件对所述待处理表面上的所述待清洁缺陷进行清洁时，将所述缺陷吸附组件设置成与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。作为本专利技术的一种可选方案，所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，所述清洁装置还包括电源装置，其中，所述静电吸盘设置于所述待处理表面上方，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，以使得所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。作为本专利技术的一种可选方案，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，其中，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。作为本专利技术的一种可选方案，所述待处理光罩还包括基板、掩膜图形以及环形边框，其中，所述掩膜图形及所述环形边框设置于所述基板表面，且所述环形边框位于所述掩膜图形外围，所述保护薄膜设置于所述环形边框远离所述基板的一侧且与所述环形边框及所述基板形成一腔体。作为本专利技术的一种可选方案，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。作为本专利技术的一种可选方案，所述清洁装置还包括静电消除装置，以消除所述待处理光罩上的静电。本专利技术还提供一种光罩缺陷的清洁方法，所述清洁方法包括如下步骤：1)提供待处理光罩，且所述待处理光罩的待处理表面上形成有待清洁缺陷；以及2)基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。作为本专利技术的一种可选方案，步骤2)中，基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷具体包括步骤：2-1)提供缺陷吸附组件，将所述缺陷吸附组件设置于所述待处理表面上方，且所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间具有间距；以及2-2)运行所述缺陷吸附组件，以使所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷。作为本专利技术的一种可选方案，步骤2-1)中所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，步骤2-2)中还包括提供电源装置的步骤，其中，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，运行所述缺陷吸附组件的方式包括：开启所述电源装置，以使所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。作为本专利技术的一种可选方案，所述待清洁缺陷不带电，控制所述静电吸盘产生吸附正电荷及吸附负电荷中的任意一种。作为本专利技术的一种可选方案，运行所述缺陷吸附组件的方式中还包括关闭所述电源装置的步骤，以在所述缺陷吸附组件运行的过程中交替的进行所述电源装置的开启与所述电源装置的关闭。作为本专利技术的一种可选方案，所述电源装置开启的时间介于1s-5s之间，所述电源装置关闭的时间介于1s-5s之间；所述电源装置开启的过程中，输出电压介于10v-100v之间，输出电流介于0.01mA-0.1mA之间。作为本专利技术的一种可选方案，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，其中，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。作为本专利技术的一种可选方案，步骤2-1)中，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。作为本专利技术的一种可选方案，步骤1)与步骤2)之间还包括对所述待处理光罩进行静电预去除的步骤。作为本专利技术的一种可选方案，步骤2)之后，还包括步骤：对进行所述待清洁缺陷吸附后的所述待处理光罩进行静电消除处理。作为本专利技术的一种可选方案，所述静电消除处理的方式包括：采用离子风装置对所述待处理光罩进行离子风吹风处理。如上所述，本专利技术的光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，具有以下有益效果：本专利技术提供一种光罩缺陷的清洁装置及清洁方法，使得在半导体光罩的缺陷移除过程当中，利用非破坏性的静电吸附原理与装备进行光罩缺陷的移除，从而达到光罩清洁的目的，采用本专利技术的方案，不仅可以实现光罩缺陷的去除，还可以在去除过程中防止光罩的保护薄膜受到皱折或破损，同时也可以防止保护薄膜受到刮伤，还可进一步实现光罩缺陷的全面性清洁，装置简便，清洁过程简捷，清洁速度快。附图说明图1显示为本专利技术提供的光罩缺陷的清洁装置的结构示意图。图2显示为本专利技术提供的光罩缺陷的清洁方法的工艺流程图。图3显示为本专利技术提供的光罩缺陷的清洁方法中使静电吸盘产生吸附电荷的示意图。图4显示为本专利技术提供的光罩缺陷的清洁方法中基于静电感应吸附待清洁缺陷示意图。图5显示为本专利技术提供的光罩缺陷的清洁方法中采用离子风装置进行静电消除的图示。图6显示为本专利技术对比例中进行光罩缺陷去除的方式。元件标号说明100待处理光罩100a待处理表面101保护薄膜102基板103掩膜图形104环形边框200待清洁缺陷301缺陷吸附组件302电源装置401吸附电荷402感应电荷500静电消除装置S1～S2步骤1)至步骤2)具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩缺陷的清洁装置，用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，所述待清洁缺陷形成于所述待处理光罩的待处理表面上，其特征在于，所述清洁装置包括：/n缺陷吸附组件，使用所述缺陷吸附组件对所述待处理表面上的所述待清洁缺陷进行清洁时，将所述缺陷吸附组件设置成与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。/n

【技术特征摘要】
1.一种光罩缺陷的清洁装置，用于对待处理光罩上的待清洁缺陷进行清洁，所述待清洁缺陷形成于所述待处理光罩的待处理表面上，其特征在于，所述清洁装置包括：
缺陷吸附组件，使用所述缺陷吸附组件对所述待处理表面上的所述待清洁缺陷进行清洁时，将所述缺陷吸附组件设置成与所述待处理表面之间具有间距，且所述缺陷吸附组件基于静电感应吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。


2.根据权利要求1所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述缺陷吸附组件包括静电吸盘，所述清洁装置还包括电源装置，其中，所述静电吸盘设置于所述待处理表面上方，所述电源装置与所述静电吸盘电连接，以使得所述静电吸盘上产生吸附电荷，所述静电吸盘基于所述吸附电荷的静电感应吸附所述待清洁缺陷。


3.根据权利要求2所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述待处理光罩包括保护薄膜，所述待清洁缺陷形成于所述保护薄膜上，所述保护薄膜形成有所述待清洁缺陷的表面构成所述待处理表面，其中，所述静电吸盘的形状与所述保护薄膜的形状概呈相同，所述静电吸盘的尺寸超出对应方向上所述保护薄膜尺寸的5％-10％；所述静电吸盘的材质包括金属。


4.根据权利要求3所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述待处理光罩还包括基板、掩膜图形以及环形边框，其中，所述掩膜图形及所述环形边框设置于所述基板表面，且所述环形边框位于所述掩膜图形外围，所述保护薄膜设置于所述环形边框远离所述基板的一侧且与所述环形边框及所述基板形成一腔体。


5.根据权利要求1所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述缺陷吸附组件与所述待处理表面之间的间距介于1mm-10mm之间。


6.根据权利要求1-5中任意一项所述的光罩缺陷的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括静电消除装置，以消除所述待处理光罩上的静电。


7.一种光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，所述清洁方法包括如下步骤：
1)提供待处理光罩，且所述待处理光罩的待处理表面上形成有待清洁缺陷；以及
2)基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷，以实现所述待处理光罩的清洁。


8.根据权利要求7所述的光罩缺陷的清洁方法，其特征在于，步骤2)中，基于静电感应吸附的方式吸附所述待清洁缺陷具体包括步骤：
2-1)提供缺陷吸附组件，将所述缺陷吸附组件设置于所述待处理表面上方，且所述缺陷吸附组件与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34