一种具有GS分层式电极的薄膜材料声表面波器件及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种具有GS分层式电极的薄膜材料声表面波器件及其制备方法与应用。它由下至上依次包括基片、第一层叉指换能器、二氧化硅薄膜、压电薄膜和第二层叉指换能器。其制备方法包括如下步骤：1)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在基片表面制备第一层叉指换能器；2)利用磁控溅射方法，在第一层叉指换能器和基片上生长二氧化硅薄膜；3)使二氧化硅薄膜表面平整，然后采用磁控溅射的方法在其表面上生长压电薄膜；4)采用步骤1)中方法在压电薄膜上制备第二层叉指换能器，并将其与第一层叉指换能器按照设置对准，并利用光刻技术露出第一层叉指换能器的电极PAD区，即得。本发明专利技术具有更高的频率、较高的温度稳定性，同时具有更强的集成性能。

A thin film saw device with GS layered electrode and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种具有GS分层式电极的薄膜材料声表面波器件及其制备方法与应用
本专利技术属于电子信息材料领域，涉及一种声表面波器件及其制备方法与应用，具体涉及一种具有GS分层式电极的薄膜材料声表面波器件及其制备方法与应用。
技术介绍
声表面波是在压电材料表面产生和传播的机械波。由于其灵敏度高、体积小、成本低，声表面波已被广泛应用于谐振器、滤波器、传感器、卷积器等电子器件中。尤其是在移动通信领域，声表面波滤波器发挥着至关重要的作用。在射频前端模块中，射频滤波器的性能至关重要。声表面波滤波器和体声波滤波器是目前最主流的两种射频滤波器。声表面波滤波器制备简单，但其难以运用于高频段；而体声波滤波器则往往运用于高频段，但其制备工艺复杂。5G时代日益临近，人们对射频滤波器提出了更高的要求。人们对通信频段日益增长的需求使得频谱资源愈发紧张，从而不得不使用更高的频段。由于声表面波滤波器具有成本低廉的优势，制备得到高性能的高频声表面波滤波器将对5G时代的发展产生极大的推动作用。目前主要有三种方法来提高声表面波器件的频率，分别为减小声波的周期，提高声速和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表面波器件，它由下至上依次包括基片、第一层叉指换能器、二氧化硅薄膜、压电薄膜和第二层叉指换能器。/n

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件，它由下至上依次包括基片、第一层叉指换能器、二氧化硅薄膜、压电薄膜和第二层叉指换能器。


2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于：所述第一层叉指换能器与第二层叉指换能器的内部结构相同，均包括金属打底层和金属主体层；所述金属打底层设于所述金属主体层的下部。


3.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于：制成所述金属打底层的金属包括Ti、Ni、Zr和Cr中的至少一种；
制成所述金属主体层的金属包括Al、Cu、Pt和Mo中的至少一种；
所述金属打底层的厚度为1～50nm；
所述金属主体层的厚度为20～200nm。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述第一层叉指换能器与第二层叉指换能器的线宽均为100nm～5μm，每层中叉指换能器的相邻叉指间距为100nm～15μm。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述第一层叉指换能器嵌入式设于所述二氧化硅薄膜的底部；
在水平方向的相对位置上，所述第一层叉指换能器与第二层叉指换能器的叉指交错分布设置。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述第一层叉指换能器和第二层叉指换能器中一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘峰，沈君尧，曾飞，傅肃磊，苏荣宣，王为标，
申请(专利权)人：清华大学，无锡市好达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11