一种碳化硅生长设备的两用真空系统技术方案

技术编号:23454342 阅读:43 留言:0更新日期:2020-02-29 03:07
本实用新型专利技术公开了一种碳化硅生长设备的两用真空系统,包括腔体、机械泵和干式真空泵,腔体连通的管道上安装有一个机械泵,干式真空泵的输入端连通两个真空管,两个真空管均连通在腔体上,其中一个真空管上还安装有分子泵和第二电磁式高真空阀门,分子泵连通在干式真空泵和第二电磁式高真空阀门之间,腔体还连通有气体管,气体管上安装有第一电磁式高真空阀门,腔体内还安装有检测装置;本实用新型专利技术的两用真空系统通过检测装置检测腔体中的气体含量、温度和压力,并通过控制箱分析后,相应的按比例调节腔体内的真空环境,可以精确的控制腔体内的真空环境,避免挥发物对系统的影响,还可以为碳化硅生产提供适宜的真空环境,以便于生产碳化硅。

A dual-purpose vacuum system for silicon carbide growth equipment

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅生长设备的两用真空系统
本技术涉及一种两用真空系统,特别涉及一种碳化硅生长设备的两用真空系统,属于碳化硅生产设备

技术介绍
通常晶体生长设备配备单一真空系统,即机械泵、扩散泵和高真空阀门组成的,用以完成后对炉腔真空状态下的工作,起到减少热量流失和炉腔内部部件氧化的作用,但是,在生产时,由于腔体内作为保温材料的石墨在做碳化处理时,将产生大量的挥发物,会对整个真空系统的阀门、控制元件以及扩散泵产生影响,降低了对炉腔内真空环境的精确控制,不利于生产。
技术实现思路
本技术提出了一种碳化硅生长设备的两用真空系统,解决了现有技术中的石墨在做碳化处理时,将产生大量的挥发物,会降低了对炉腔内真空环境的精确控制,不利于生产的问题。为了解决上述技术问题,本技术提供了如下的技术方案:本技术一种碳化硅生长设备的两用真空系统,包括腔体、机械泵和干式真空泵,所述腔体连通的管道上安装有一个机械泵,所述干式真空泵的输入端连通两个真空管,两个所述真空管均连通在腔体上,其中一个真空管上还安装有分子泵和第二电磁式高真空阀门,所述分子泵连通在干式真空泵和第二电磁式高真空阀门之间,所述腔体还连通有气体管,所述气体管上安装有第一电磁式高真空阀门,所述腔体内还安装有检测装置,所述检测装置电连接控制箱,所述控制箱电连接机械泵、第一电磁式高真空阀门、干式真空泵、分子泵和第二电磁式高真空阀门。作为本技术的一种优选技术方案,所述干式真空泵的输入端通过一个三通连接头连通两个真空管,所述真空管与三通连接头的连接处还设置有密封圈。作为本技术的一种优选技术方案,所述检测装置包括气体传感器、温度传感器和压力传感器。作为本技术的一种优选技术方案,所述控制箱包括采集模块、51单片机、i7处理器和驱动板,采集模块采集检测装置发送的检测数据后,传送给i7处理器处理,i7处理器电连接51单片机和驱动板,驱动板电连接机械泵、第一电磁式高真空阀门、干式真空泵、分子泵和第二电磁式高真空阀门。作为本技术的一种优选技术方案,所述51单片机为80C51单片机。作为本技术的一种优选技术方案,所述两用真空系统还配有一个供电电源,所述供电电源通过电源分配器将一部分电源分配给腔体内的检测装置供电,另一部分电源分配给机械泵、第一电磁式高真空阀门、干式真空泵、分子泵和第二电磁式高真空阀门供电。本技术所达到的有益效果是:本技术的一种碳化硅生长设备的两用真空系统与现有技术相比,具有以下的有益效果:1、本技术的两用真空系统通过检测装置检测腔体中的气体含量、温度和压力,并通过控制箱分析后,相应的按比例调节腔体内的真空环境,可以精确的控制腔体内的真空环境,避免挥发物对系统的影响。2、本技术的两用真空系统通过干式真空泵和分子泵,可以良好的吸取腔体内的气体,为碳化硅生产提供适宜的真空环境,以便于生产碳化硅。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制。在附图中:图1是本技术提出的一种碳化硅生长设备的两用真空系统的主观结构示意图;图2是本技术提出的一种碳化硅生长设备的两用真空系统的原理图;图中:1、腔体;2、机械泵;3、管道;4、气体管;5、第一电磁式高真空阀门;6、干式真空泵;7、三通连接头;8、真空管;9、分子泵;10、第二电磁式高真空阀门;11、检测装置;12、控制箱;13、供电电源;14、电源分配器。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术,并不用于限定本技术。实施例1如图1-2所示,本技术提供一种碳化硅生长设备的两用真空系统,包括腔体1、机械泵2和干式真空泵6,腔体1连通的管道3上安装有一个机械泵2,具有促进炉腔保温层碳化和纯化的作用,干式真空泵6的输入端连通两个真空管8,两个真空管8均连通在腔体1上,其中一个真空管8上还安装有分子泵9和第二电磁式高真空阀门10,分子泵9连通在干式真空泵6和第二电磁式高真空阀门10之间,腔体1还连通有气体管4,以便于输入便于碳化硅氧化的气体,气体管4上安装有第一电磁式高真空阀门5,腔体1内还安装有检测装置11,检测装置11电连接控制箱12,控制箱12电连接机械泵2、第一电磁式高真空阀门5、干式真空泵6、分子泵9和第二电磁式高真空阀门10。干式真空泵6通过一个真空管8吸取腔体1内的气体,还通过一个真空管8与分子泵9一起吸取腔体1内的气体,为碳化硅的生产提供真空环境,分子泵9具有稳定易控的作用,还可以通过第二电磁式高真空阀门10按比例调节吸取腔体1内气体的速度。干式真空泵6的输入端通过一个三通连接头7连通两个真空管8,真空管8与三通连接头7的连接处还设置有密封圈,以便于增加三通连接头7与真空管8连接的气密性,避免漏气。检测装置11包括气体传感器、温度传感器和压力传感器,以便于检测腔体1中的气体含量和成分、温度以及压力。控制箱12包括采集模块、51单片机、i7处理器和驱动板,采集模块采集检测装置11发送的检测数据后,传送给i7处理器处理,i7处理器电连接51单片机和驱动板,驱动板电连接机械泵2、第一电磁式高真空阀门5、干式真空泵6、分子泵9和第二电磁式高真空阀门10。采集模块采集采集模块采集检测装置11发送的检测数据后,传送给i7处理器处理,i7处理器根据处理结果,在51单片机的作用下,发送相应的驱动命令,通过驱动板驱动第一电磁式高真空阀门5和第二电磁式高真空阀门10工作,按比例调节腔体1内的气体掺杂含量和真空环境,其中,51单片机为80C51单片机,驱动板为现有技术中刻有驱动电路的集成板,驱动电路分为驱动机械泵2、第一电磁式高真空阀门5、干式真空泵6、分子泵9和第二电磁式高真空阀门10工作的电路。两用真空系统还配有一个供电电源13,供电电源13通过电源分配器14将一部分电源分配给腔体1内的检测装置11供电,另一部分电源分配给机械泵2、第一电磁式高真空阀门5、干式真空泵6、分子泵9和第二电磁式高真空阀门10供电,供电电源13通过电源分配器14分配供电。具体的,控制箱12控制机械泵2、干式真空泵6、分子泵9和检测装置11工作,机械泵2使腔体1保温层碳化和纯化,干式真空泵6通过一个真空管8吸取腔体1内的气体,还通过一个真空管8与分子泵9一起吸取腔体1内的气体,为碳化硅的生产提供真空环境,气体管4将气体掺杂进入腔体1中;与此同时,检测装置11检测腔体1中的气体含量和成分、温度以及压力,控制箱12中的采集模块采集采集模块采集检测装置11发送的检测数据后,传送给i7处理器处理,i7处理器根据处理结果,在51单片机的作用下,发送相应的驱动命令,通过驱动板驱动第一电磁式高真空阀门5和第二电磁式高真空阀门10工作,同时还可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅生长设备的两用真空系统,包括腔体(1)、机械泵(2)和干式真空泵(6),其特征在于,所述腔体(1)连通的管道(3)上安装有一个机械泵(2),所述干式真空泵(6)的输入端连通两个真空管(8),两个所述真空管(8)均连通在腔体(1)上,其中一个真空管(8)上还安装有分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10),所述分子泵(9)连通在干式真空泵(6)和第二电磁式高真空阀门(10)之间,所述腔体(1)还连通有气体管(4),所述气体管(4)上安装有第一电磁式高真空阀门(5),所述腔体(1)内还安装有检测装置(11),所述检测装置(11)电连接控制箱(12),所述控制箱(12)电连接机械泵(2)、第一电磁式高真空阀门(5)、干式真空泵(6)、分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10)。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅生长设备的两用真空系统,包括腔体(1)、机械泵(2)和干式真空泵(6),其特征在于,所述腔体(1)连通的管道(3)上安装有一个机械泵(2),所述干式真空泵(6)的输入端连通两个真空管(8),两个所述真空管(8)均连通在腔体(1)上,其中一个真空管(8)上还安装有分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10),所述分子泵(9)连通在干式真空泵(6)和第二电磁式高真空阀门(10)之间,所述腔体(1)还连通有气体管(4),所述气体管(4)上安装有第一电磁式高真空阀门(5),所述腔体(1)内还安装有检测装置(11),所述检测装置(11)电连接控制箱(12),所述控制箱(12)电连接机械泵(2)、第一电磁式高真空阀门(5)、干式真空泵(6)、分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10)。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅生长设备的两用真空系统,其特征在于,所述干式真空泵(6)的输入端通过一个三通连接头(7)连通两个真空管(8),所述真空管(8)与三通连接头(7)的连接处还设置有密封圈。


3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:周元辉刘春艳胡春霞刘洪亮刘洪涛范子龙高雅蕾姜树炎
申请(专利权)人:苏州优晶光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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