一种CVD设备的裂解仓结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种CVD设备的裂解仓结构，包括中空管体，所述中空管体内设有若干个由石墨膜构成的子通道，所述子通道的截面形状为圆形、三角形、多边或者不规则形状，若干个子通道的大小相同或者不同。本实用新型专利技术通过对裂解仓的内部结构进行改进，由传统的中空单孔结构，更改为若干个由石墨膜组成的子通道构成，加热时进入到管体内的热量快速传递在石墨膜上，从而使得各个子通道的受热更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD设备的裂解仓结构
本技术属于CVD设备领域，具体地说是一种CVD设备的裂解仓结构。
技术介绍
CVD技术是化学气相沉积ChemicalVaporDeposition的缩写。化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。CVD设备具有裂解仓，裂解仓通常是一圆管，管内为中空结构，产品在裂解仓内以高温加热，温度由管外壁向内辐射，内外温度容易不均匀，使得产品在各个方向的受热不均匀，难以提升气相沉积品质。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本专利技术提供了一种CVD设备的裂解仓结构，加热时进入到管体内的热量快速传递在石墨膜上，从而使得各个子通道的受热更加均匀。为了解决上述技术问题，本专利技术采取以下技术方案：一种CVD设备的裂解仓结构，包括中空管体，所述中空管体内设有若干个由石墨膜构成的子通道。所述若干个子通道形成蜂窝状。所述子通道的截面形状为圆形、三角形、多边或者不规则形状。所述若干个子通道的大小相同或者不同。所述若干个子通道由石墨膜一体成型而成。本技术通过对裂解仓的内部结构进行改进，由传统的中空单孔结构，更改为若干个由石墨膜组成的子通道构成，加热时进入到管体内的热量快速传递在石墨膜上，从而使得各个子通道的受热更加均匀。附图说明附图1为本技术剖面示意图。具体实施方式为能进一步了解本专利技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。如附图1所示，本技术揭示了一种CVD设备的裂解仓结构，包括中空管体1，所述中空管体1内设有若干个由石墨膜2构成的子通道3，中空管体为金属管体，能够选择耐高温的金属材质。通过多个子通道，将管体内的单独一个孔洞的结构，分割成多个子孔，从而利用石墨膜的快速导热性能，实现每个子通道都能够迅速有效的受热，受热更加均匀。所述若干个子通道形成蜂窝状。或者可以组成其他形状。所述子通道的截面形状为圆形、三角形、多边或者不规则形状，形状的选择，可以根据实际的生产需求而定，以上列举并非是限定。可以所有的子通道都为相同的形状，也可以同时包含不同的形状。所述若干个子通道的大小相同或者不同。所述若干个子通道由石墨膜一体成型而成。本技术中，利用导热率高的石墨膜作为载体，在管体内形成多个子通道，将一个较大的管内通道分隔成若干个较小的子通道，管体受热后，热量传导到管体内部，石墨膜直接受热，然后每一个子通道都迅速受热，由于子通道的面积较小，因此，子通道能够较为快速和均匀的得到加热，从而提升加热效率。需要说明的是，以上仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CVD设备的裂解仓结构，包括中空管体，其特征在于，所述中空管体内设有若干个由石墨膜构成的子通道。/n

【技术特征摘要】
1.一种CVD设备的裂解仓结构，包括中空管体，其特征在于，所述中空管体内设有若干个由石墨膜构成的子通道。


2.根据权利要求1所述的CVD设备的裂解仓结构，其特征在于，所述若干个子通道形成蜂窝状。


3.根据权利要求1所述的CVD设备的裂解仓结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泽永，任泽明，王号，
申请(专利权)人：广东思泉新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44