【技术实现步骤摘要】
压电复合薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种压电复合薄膜及其制备方法，更具体地，涉及一种包括极化反转图形的压电复合薄膜及其制备方法。
技术介绍
在光学和声学领域中，由于对通信要求越来越高，因此也相应提高了对光学和声学器件(诸如光波长转换器件、光学参量振荡器、量子光学器件、声子学器件等)的要求。在这种情况下，对光学和声学器件中具有极化反转图形的压电薄膜也提出了更高的要求。含有极化反转图形的压电衬底，是在压电单晶薄膜上将特定区域的极化方向反转，从而制备出含有极化反转图形的压电单晶薄膜，其中，极化是指晶体中分子正负电荷中心存在规律性偏移的现象，压电单晶可以自发极化，并且极化方向具有统一性；极化反转是指极化的方向变成相反的方向，对特定区域的极化方向反转是指将这些特定区域的极化方向反转，从而得到含有极化反转图形的单晶压电薄膜。在现有技术中，往往通过电极对压电晶体施加较高的电压来使压电晶体的特定区域的极化方向反转，从而使压电晶体形成有极化反转图形。然后，通过利用离子注入、键合、剥离和研磨等工艺来制备包括含有极化反转图形的...
【技术保护点】
1.一种制备压电复合薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：/n准备预压电复合薄膜，所述预压电复合薄膜包括顺序堆叠的衬底、隔离层和压电晶体薄膜层；/n对压电晶体薄膜层执行离子注入工艺，其中，注入离子穿过压电晶体薄膜层并停留在隔离层中，以使压电晶体薄膜层的注入离子所穿过的区域的极化方向反转；以及/n在离子注入工艺之后对预压电复合薄膜执行退火工艺，以获得压电复合薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种制备压电复合薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：
准备预压电复合薄膜，所述预压电复合薄膜包括顺序堆叠的衬底、隔离层和压电晶体薄膜层；
对压电晶体薄膜层执行离子注入工艺，其中，注入离子穿过压电晶体薄膜层并停留在隔离层中，以使压电晶体薄膜层的注入离子所穿过的区域的极化方向反转；以及
在离子注入工艺之后对预压电复合薄膜执行退火工艺，以获得压电复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在执行离子注入工艺的步骤之前执行掩模工艺，所述掩模工艺包括：
在压电晶体薄膜层上设置保护层；以及
对保护层执行图案化工艺以形成与极化反转图形对应的保护层图案，
其中，在执行离子注入工艺的步骤期间，保护层图案作为掩模来阻挡注入的离子。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括在执行退火工艺的步骤之前去除保护层图案。
4.根据权利要求2所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李真宇，胡文，张秀全，罗具廷，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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