一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。本发明专利技术所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷由钼酸铝和钼酸铋两相组成，二者组分稳定无其他杂相存在，均一性和稳定性好。本发明专利技术通过两步热处理方法制备所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷，首先以高纯氧化铝、氧化钼粉体为原材料，合成钼酸铝前驱体；然后，以钼酸铝为基质相，氧化铋和钼酸铋之一种或者两种为烧结助剂，经球磨混料后进行烧结，最终获得了所述极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷。本发明专利技术产品具有烧结温度极低、介电常数低、品质因数高且且与铝电极共烧相互之间不会发生化学反应等特点，特别适合用作ULTCC技术中的极低损耗材料。

A very low temperature sintered aluminum molybdate based microwave dielectric composite ceramics and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。
技术介绍
无线通信的发展对电子信息设备和先进材料提出了更高的要求。近几十年来，微波介质陶因其微波介电性能优异而得到广泛的研究和应用。目前，对高频、小型化、多功能器件的需求促进了电子封装技术的发展，如极低温共烧陶瓷(ULTCC)技术已在高端集成电路中得到应用。目前，许多传统的、烧结温度较高的介电陶瓷已不能适应这些电子封装技术的要求，因为高的烧结温度与金属电极无法共烧匹配。一般来说，ULTCC的烧结温度应低于铝电极的熔点(660℃)，这样陶瓷生胚内部可以埋入金属铝电极，从而设计成三维的结构形式，最终进行极低温烧结，实现高密度封装。目前，开发适应于ULTCC技术所需要的陶瓷材料十分重要。然而，与已经报道的众多微波介质陶瓷体系相比，极低共烧温陶瓷材料仍然甚少，无法满足各类ULTCC器件的要求。此外，尽管一些陶瓷的烧结温度低于铝的熔点，但其与铝电极共烧会发生反应也会限制其广泛应用。因此，探索具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷，其特征在于，所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷由Al

【技术特征摘要】
1.一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷，其特征在于，所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷由Al2Mo3O12和钼酸铋两相组成，以Al2Mo3O12为基质相，氧化铋和钼酸铋之一种或者两种为烧结助剂，经烧结复合而成。


2.按照权利要求1所述的极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法通过两步热处理方法制备所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷：首先，以高纯Al2O3、MoO3粉体为原材料，经球磨混料后，高温煅烧合成高纯Al2Mo3O12前驱体；然后，以所合成的高纯Al2Mo3O12前驱体为基，加入高纯氧化铋和钼酸铋之一种或者两种粉体作为烧结助剂，经二次球磨混料后，进行烧结，最终获得了所述极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷；包括以下步骤和内容：
(1)首先，按照Al2Mo3O12的化学计量比称取高纯Al2O3和MoO3粉体；然后，投入球磨罐中，并加入去离子水为溶剂、高耐磨ZrO2球为磨球进行球磨；所得浆料经干燥后，放入马弗炉中煅烧，即得所述Al2Mo3O12前驱体；备用；
(2)以步骤(1)合成的Al2Mo3O12前驱体为基质，氧化铋和钼酸铋之一种或者两种粉体为烧结助剂，按前驱体粉末与烧结助剂粉末摩尔比1:(0.006～0.06)的比例称取各原料；然后，投入球磨罐中，并加入无水乙醇为溶剂、高耐磨ZrO2球为磨球进行球磨；所得浆料经干燥后，研磨、造粒、过筛、干压成型，...

【专利技术属性】
技术研发人员：符秀丽，任俊卿，彭志坚，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：北京;11