【技术实现步骤摘要】
多端口气体喷射系统及包括其的反应器系统
本公开大体上涉及气相反应器和系统。更具体地说，本专利技术涉及用于将气体引入反应室的气体喷射系统、包括气体喷射系统的反应器和反应器系统，以及其使用方法。
技术介绍
气相反应器，如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和原子层沉积(ALD)反应器等，可用于多种应用，包括在衬底表面上沉积和蚀刻材料。例如，气相反应器可用于在衬底上沉积并且/或者蚀刻各层，以形成半导体装置、平板显示装置、光伏装置、微电子机械系统(MEMS)等。典型的气相反应器系统包括反应器，该反应器包括反应室、流体联接到反应室的一个或多个前体和/或反应物气体源、流体联接到反应室的一个或多个载气源和/或吹扫气体源、递送气体(例如，一种或多种前体/反应物气体和/或一种或多种载气或吹扫气体)到反应室的气体喷射系统，以及流体联接到反应室的排气源。通常，期望横跨衬底表面具有均匀的膜特性(例如，膜厚度和电阻率)和/或能够控制任何所需的变化。已经开发了各种气体喷射系统以尝试实现均匀或可控的膜特性。例如，已经开...
【技术保护点】
1.一种气体喷射系统，包括：/n第一气体供应管路；/n第一气体歧管，所述第一气体歧管联接到所述第一气体供应管路，其中所述第一气体歧管包括多个第一气体出口；/n多个第一质量流传感器，其中多个第一气体流量传感器中的至少一个联接到所述多个第一气体出口中的每一个；/n多个第一气体阀，其中所述多个第一气体阀中的至少一个联接到所述多个第一气体流量传感器中的每一个的出口；以及/n控制器，所述控制器联接到所述多个第一质量流传感器和所述多个第一气体阀以控制通过多个第一气体通道中的每一个的第一气体的期望流量比。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180806 US 16/055,5321.一种气体喷射系统，包括：
第一气体供应管路；
第一气体歧管，所述第一气体歧管联接到所述第一气体供应管路，其中所述第一气体歧管包括多个第一气体出口；
多个第一质量流传感器，其中多个第一气体流量传感器中的至少一个联接到所述多个第一气体出口中的每一个；
多个第一气体阀，其中所述多个第一气体阀中的至少一个联接到所述多个第一气体流量传感器中的每一个的出口；以及
控制器，所述控制器联接到所述多个第一质量流传感器和所述多个第一气体阀以控制通过多个第一气体通道中的每一个的第一气体的期望流量比。
2.根据权利要求1所述的气体喷射系统，其中所述多个第一质量流传感器中的每一个配置成测量通过每个第一气体通道的所述第一气体的相对流量。
3.根据权利要求1所述的气体喷射系统，其中所述第一气体包括气体混合物。
4.根据权利要求1所述的气体喷射系统，还包括：
第二气体供应管路；
第二气体歧管，所述第二气体歧管联接到所述第二气体供应管路，其中所述第二气体歧管包括多个第二气体出口；
多个第二气体流量传感器，其中所述多个第二气体流量传感器中的至少一个联接到所述多个第二气体出口中的每一个；
多个第二气体阀，其中所述多个第二气体阀中的至少一个联接到所述多个第二气体流量传感器中的每一个的出口；并且
其中所述控制器联接到所述多个第二质量流传感器和所述多个第二气体阀以控制通过多个第二气体通道中的每一个的第二气体的期望流量比。
5.根据权利要求4所述的气体喷射系统，其中所述多个第二质量流传感器中的每一个配置成测量通过每个第二气体通道的所述第二气体的相对流量。
技术研发人员：马明阳，苏俊威，A·德莫斯，林兴，S·金，G·M·巴勒特，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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