用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法技术

本发明专利技术涉及用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法，根据本发明专利技术的一个方面，提供了用于涂覆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备，所述设备包括：用于将源气体供应至多孔基底的第一表面的第一供应部；用于在多孔基底内部产生从多孔基底的第一表面朝向第二表面的方向上的流动流的第一泵送部；用于将源气体供应至多孔基底的第二表面的第二供应部；用于在多孔基底内部产生从多孔基底的第二表面朝向第一表面的方向上的流动流的第二泵送部；和用于输送基底的基底载体。

Equipment and methods for coating surfaces of porous substrates

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法
本专利技术涉及用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法。本申请要求基于2017年7月12日提交的韩国专利申请第10-2017-0088402号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术介绍
作为在基底上形成膜的方法，存在例如原子层沉积法。原子层沉积(atomiclayerdeposition，ALD)是用于基于顺序使用通常为气相的化学物质在基底上形成膜的技术，其被应用于各种领域。图1是示出一般的原子层沉积设备1的示意图，并且特别地示出了空间分区型(spatialdivisiontype)原子层沉积设备1。原子层沉积设备1包括具有复数个供应口11、12、13的气体分配板10和用于输送基底20的输送装置。气体分配板10具有用于将一种或更多种前体气体(前体A、前体B)(也称为“源气体”)供应到基底20上的前体气体供应口11、前体气体供应口12和用于供应吹扫气体的吹扫气体供应口13。此外，原子层沉积法由于其高的可涂覆性有利于多孔基底中的孔的表面涂覆。然而，当多孔基底变厚时，将源气体供应到孔中并使其扩散，以及反应性副产物的吹扫和除去不顺利，并因此均匀涂覆变得困难。具体地，根据多孔基底的孔尺寸、纵横比或表面特性，气体供应或扩散到孔中可能不顺利，并因此可能沿多孔基底的深度方向(厚度方向)发生沉积厚度和组成的不均匀。
技术实现思路
技术问题本专利技术要解决的问题是提供可以均匀地涂覆多孔基底的表面的用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法。技术方案为了解决上述问题，根据本专利技术的一个方面，提供了用于涂覆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备，所述设备包括：用于将源气体供应至多孔基底的第一表面的第一供应部；用于产生在多孔基底内部的在从多孔基底的第一表面朝向第二表面的方向上的流动流的第一泵送部；用于将源气体供应至多孔基底的第二表面的第二供应部；用于产生在多孔基底内部的在从多孔基底的第二表面朝向第一表面的方向上的流动流的第二泵送部；和用于输送基底的基底载体。此外，第一供应部和第一泵送部可以被设置成基于基底面向彼此。此外，第二供应部和第二泵送部可以被设置成基于基底面向彼此。此外，第一供应部和第二泵送部可以沿基底的输送方向依次设置成面向基底的第一表面侧。此外，第一泵送部和第二供应部可以沿基底的输送方向依次设置成面向基底的第二表面侧。此外，第一供应部和第二供应部可以沿基底的输送方向依次布置，以及第一泵送部和第二泵送部可以沿基底的输送方向依次布置。此外，第一泵送部和第二泵送部可以被设置成形成具有相同压力的流动流。此外，第一泵送部和第二泵送部可以被设置成形成具有不同压力的流动流。此外，基底载体可以在至少一些区域中具有用于使流动流通过的一个或更多个开口。此外，基底载体可以被设置成在通过第一供应部和第二供应部时连续地输送基底。或者，基底载体可以被设置成在通过第一供应部和第二供应部时不连续地输送基底。此外，所述设备还可以包括用于使通过第一供应部的基底的第一表面和第二表面反转的基底反转部。此时，第一供应部和第二供应部可以沿基底的输送方向依次设置在基底的上部或下部上，以及第一泵送部和第二泵送部可以沿基底的输送方向依次设置在基底的上部或下部中的另一者上。此外，根据本专利技术的又一个方面，提供了用于通过在具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多孔基底中的孔内部产生流动流来涂覆多孔基底的表面的方法，该方法包括以下步骤：输送多孔基底；在从多孔基底的第一表面朝向第二表面的方向上供应源气体并使其扩散，并在反应之后除去反应性副产物和剩余的源；以及在从多孔基底的第二表面朝向第一表面的方向上供应源气体并使其扩散，并在反应之后除去反应性副产物和剩余的源。有益效果如上所述，与本专利技术的至少一个实施方案有关的用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法具有以下效果。通过使源气体被供应的方向和形成在多孔基底内部的流动流方向沿多孔基底的输送方向顺序地通过不同空间，在多孔基底的两个表面上顺利地进行源气体的供应和扩散，从而可以改善沉积厚度和组成的不均匀。此外，可以任选地控制多孔基底的两个表面(前表面、后表面)上的沉积程度。附图说明图1是示出一般的原子层沉积设备的示意图。图2是示出与本专利技术的第一实施方案有关的多孔基底的表面涂覆设备的示意图。图3是示出与本专利技术的第二实施方案有关的多孔基底的表面涂覆设备的示意图。图4是图3中的部分A的放大图。图5是图3中的部分B的放大图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述根据本专利技术的一个实施方案的用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法。另外，无论附图标记如何，相同或相似的附图标记被给予相同或相应的部件，将省略多余的说明，并且为了便于说明，所示的每个构成构件的尺寸和形状可以放大或缩小。在本文件中，多孔基底的表面涂覆设备(在下文中，也称为“涂覆设备”)可以为原子层沉积设备，但不限于此，其也可以应用于其中通过形成流动流来进行涂覆的各种沉积方法，例如化学气相沉积、分子层沉积、或通过其组合的沉积。图2是示出与本专利技术的第一实施方案有关的多孔基底的表面涂覆设备100的示意图。涂覆设备100是用于涂覆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备，所述设备包括：用于将源气体供应至多孔基底20的第一表面的源气体供应部110和用于产生在多孔基底内部(孔，121)的在从多孔基底120的第一表面朝向第二表面的方向上的流动流的源气体泵送部130。因此，朝向多孔基底120的第一表面侧注入源气体，同时通过源气体泵送部130在多孔基底120的孔中产生从第一表面侧流向第二表面侧的流动流，从而源气体注入和扩散到多孔基底120的内部中是顺利的。图3是示出与本专利技术的第二实施方案有关的多孔基底的表面涂覆设备200的示意图，图4是图3中的部分A的放大图，图5是图3中的部分B的放大图。与第二实施方案有关的涂覆设备200是用于涂覆具有第一表面(例如前表面)和与第一表面相对的第二表面(例如后表面)的多孔基底的表面的设备。涂覆设备200包括用于将源气体供应至多孔基底200的第一表面的第一供应部211和用于产生在多孔基底220内部的在从多孔基底220的第一表面朝向第二表面的方向上的流动流的第一泵送部231。涂覆设备200还包括用于将源气体供应至多孔基底220的第二表面的第二供应部212和用于产生在多孔基底220内部的在从多孔基底220的第二表面朝向第一表面的方向上的流动流的第二泵送部232。涂覆设备200还包括用于输送基底220的基底载体(未示出)。此时，基底载体在至少一些区域中具有用于使流动流通过的一个或更多个开口。例如，基底载体也可以被配置成具有预定开口率的网或格栅的形式。或者，基底载体也可以以辊对辊方式配置以包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于涂覆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备，所述设备包括：/n用于将源气体供应至所述多孔基底的所述第一表面的第一供应部；/n用于在所述多孔基底内部产生从所述多孔基底的所述第一表面朝向所述第二表面的方向上的流动流的第一泵送部；/n用于将所述源气体供应至所述多孔基底的所述第二表面的第二供应部；/n用于在所述多孔基底内部产生从所述多孔基底的所述第二表面朝向所述第一表面的方向上的流动流的第二泵送部；和/n用于输送所述基底的基底载体。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170712 KR 10-2017-00884021.一种用于涂覆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备，所述设备包括：
用于将源气体供应至所述多孔基底的所述第一表面的第一供应部；
用于在所述多孔基底内部产生从所述多孔基底的所述第一表面朝向所述第二表面的方向上的流动流的第一泵送部；
用于将所述源气体供应至所述多孔基底的所述第二表面的第二供应部；
用于在所述多孔基底内部产生从所述多孔基底的所述第二表面朝向所述第一表面的方向上的流动流的第二泵送部；和
用于输送所述基底的基底载体。


2.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，
其中所述第一供应部和所述第一泵送部被设置成基于所述基底面向彼此。


3.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，
其中所述第二供应部和所述第二泵送部被设置成基于所述基底面向彼此。


4.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，
其中所述第一供应部和所述第二泵送部沿所述基底的输送方向依次设置成面向所述基底的第一表面侧。


5.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，
其中所述第一泵送部和所述第二供应部沿所述基底的输送方向依次设置成面向所述基底的第二表面侧。


6.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，
其中所述第一供应部和所述第二供应部沿所述基底的输送方向依次布置，以及
所述第一泵送部和所述第二泵送部沿所述基底的输送方向依次布置。


7.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，
其中所述第一泵送部和所述第二泵送部形成具有相同压力的所述流动流。


8.根据权利要求1所述的用于涂覆多孔基底的设备，

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相俊，金钟硕，李恩政，金圣洙，李在仁，赵安部，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR