一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置制造方法及图纸

一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，包括位于反应腔室上盖上的上送气座、位于反应腔室内的下送气座、以及位于上送气座和下送气座之间的过渡座，上送气座上设有多个上送气接头，过渡座上设有多个过渡通道，下送气座上设有多个下送气接头，各上送气接头下端与各所述过渡通道的上端一一对应布置，各下送气接头上端一一对应地伸入各所述过渡通道的下端，过渡座上端于各所述过渡通道外周分别设有第一密封圈，过渡座上端边缘设有包括所有第一密封圈在内的第二密封圈。本实用新型专利技术可将气体从固定不动的下反应腔室安全地引入到铰链式翻盖结构的活动上盖的喷气口，本实用新型专利技术具有结构简单、可靠性好、不易出现气体泄漏等优点。

A special gas coupling conveyor for reaction chamber of flat PECVD equipment

【技术实现步骤摘要】
一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置
本技术涉及平板式PECVD设备，尤其涉及一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置。
技术介绍
PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)是指等离子体增强化学气相沉积法，利用微波或射频等使含有薄膜成分原子的特气(例如硅烷和氨气)电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，可使化学反应在较低的温度下进行，在基片上沉积出所期望的薄膜。在薄膜生长过程中腔体内壁也会有薄膜材料附着，需要定期清洗，所以此设备采用了上盖铰链开启的方式，维护时将上盖打开。相互反应的工艺气体从腔体内引入到活动上盖的喷气口。平板式PECVD设备的优点明显，例如基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂。现有的特气输送方式主要有两种，一种是采用波纹管直接连接，这种方式随着上盖的频繁开启会出现疲劳断裂，同时关闭反应腔室上盖时有可能会挤压波纹管，随着关盖次数的增加，波纹管被压坏后会导致气体泄漏而无法进行薄膜生长工艺；另一种是采用单路气体对接，这种方式虽然避免了波纹管损坏的问题，但是由于存在相对运动容易出现密封失效，导致气体泄漏，泄漏的气体进入反应腔室会造成工艺重复性差、产品质量差。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、可靠性好的平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置。为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，包括位于反应腔室上盖上的上送气座、位于反应腔室内的下送气座、以及位于上送气座和下送气座之间的过渡座，所述上送气座上设有多个上送气接头，所述过渡座上设有多个过渡通道，所述下送气座上设有多个下送气接头，各所述上送气接头下端与各所述过渡通道的上端一一对应布置，各所述下送气接头上端一一对应地伸入各所述过渡通道的下端，所述过渡座上端于各所述过渡通道外周分别设有第一密封圈，过渡座上端边缘设有包括所有第一密封圈在内的第二密封圈。作为上述技术方案的进一步改进：所述过渡座内设有抽真空通道，所述抽真空通道的进气口位于所述第一密封圈和第二密封圈之间，且出气口连接有抽真空泵。作为上述技术方案的进一步改进：所述下送气接头上端设有至少一个第三密封圈。作为上述技术方案的进一步改进：所述下送气接头外周套设有弹性件，所述弹性件上端与所述过渡座抵接，弹性件下端与所述下送气座抵接。与现有技术相比，本技术的优点在于：本技术公开的平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，反应腔室上盖与下腔体送入气体分离，上送气接头集中在上送气座上，过渡通道集中在过渡座上，过渡座可提供空间用于布置第一密封圈、第二密封圈及抽真空通道，各上送气接头与过渡通道之间的密封除了依靠对应的各第一密封圈之外，还可以依靠外侧的第二密封圈进行总密封，即便单个第一密封圈出现失效泄漏现象时，泄漏的气体也会被第二密封圈密封，而不会泄漏进腔体内，不会影响反应腔体的工艺质量，同时将气体从固定不动的下反应腔室安全地引入到铰链式翻盖结构的活动上盖的喷气口。附图说明图1是本技术平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置的结构示意图。图中各标号表示：1、上送气座；11、上送气接头；2、下送气座；21、下送气接头；22、第三密封圈；23、弹性件；3、过渡座；31、过渡通道；32、第二密封圈；33、第一密封圈；34、抽真空通道。具体实施方式以下结合说明书附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。图1示出了本技术平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置的一种实施例，本实施例的平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，包括位于反应腔室上盖上的上送气座1、位于反应腔室内的下送气座2、以及位于上送气座1和下送气座2之间的过渡座3，上送气座1上设有多个上送气接头11，过渡座3上设有多个过渡通道31，下送气座2上设有多个下送气接头21，各上送气接头11下端与各过渡通道31的上端一一对应布置，各下送气接头21上端一一对应地伸入各过渡通道31的下端，过渡座3上端于各过渡通道31的外周分别设有第一密封圈33，过渡座3上端边缘设有包括所有第一密封圈33在内的第二密封圈32。该平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，反应腔室上盖与下腔体送入气体分离，上送气接头11集中在上送气座1上，过渡通道31集中在过渡座3上，过渡座3可提供空间用于布置第一密封圈33、第二密封圈32及抽真空通道34，各上送气接头11与过渡通道31之间的密封除了依靠对应的各第一密封圈之33外，还可以依靠外侧的第二密封圈32进行总密封，即便单个第一密封圈33出现失效泄漏现象时，泄漏的气体也会被第二密封圈32密封，而不会泄漏进腔体内，不会影响反应腔体的工艺质量。进一步地，本实施例中，过渡座3内设有抽真空通道34，抽真空通道34的进气口位于第一密封圈33和第二密封圈32之间，且出气口连接有抽真空泵(图中未示出)。当第一密封圈33出现失效泄漏现象时，泄漏的气体一方面被第二密封圈32挡住，另一方面可借助抽真空泵和抽真空通道34及时抽出。进一步地，下送气接头21上端设有至少一个第三密封圈22。本实施例中，第三密封圈22为两个。设置一个以上的第三密封圈22有利于保证过渡座3与下送气接头21之间的密封性。进一步地，本实施例中，下送气接头21外周套设有弹性件23，弹性件23上端与过渡座3抵接，弹性件23下端与下送气座2抵接。开关上盖时，过渡座3可以在弹性件23的作用下上下运动，实现过渡座3与上送气座1之间的柔性接触，同时保证反应腔室上盖关闭时，过渡座3与上送气座1各处均紧密贴合。虽然本技术已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均应落在本技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，其特征在于：包括位于反应腔室上盖上的上送气座(1)、位于反应腔室内的下送气座(2)、以及位于上送气座(1)和下送气座(2)之间的过渡座(3)，所述上送气座(1)上设有多个上送气接头(11)，所述过渡座(3)上设有多个过渡通道(31)，所述下送气座(2)上设有多个下送气接头(21)，各所述上送气接头(11)下端与各所述过渡通道(31)的上端一一对应布置，各所述下送气接头(21)上端一一对应地伸入各所述过渡通道(31)的下端，所述过渡座(3)上端于各所述过渡通道(31)外周分别设有第一密封圈(33)，过渡座(3)上端边缘设有包括所有第一密封圈(33)在内的第二密封圈(32)。/n

【技术特征摘要】
1.一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，其特征在于：包括位于反应腔室上盖上的上送气座(1)、位于反应腔室内的下送气座(2)、以及位于上送气座(1)和下送气座(2)之间的过渡座(3)，所述上送气座(1)上设有多个上送气接头(11)，所述过渡座(3)上设有多个过渡通道(31)，所述下送气座(2)上设有多个下送气接头(21)，各所述上送气接头(11)下端与各所述过渡通道(31)的上端一一对应布置，各所述下送气接头(21)上端一一对应地伸入各所述过渡通道(31)的下端，所述过渡座(3)上端于各所述过渡通道(31)外周分别设有第一密封圈(33)，过渡座(3)上端边缘设有包括所有第一密封圈(33)在内的第二密封圈(32)。

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨彬，陈特超，陈国钦，唐电，苏卫中，杨勇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：新型
国别省市：湖南;43