一种二氧化锡微米线的可控制备方法技术

本发明专利技术属于材料生长与制备领域，具体为一种二氧化锡微米线的可控制备方法，其中包括：一、将二氧化锡粉末和碳粉混合，研磨得到混合粉末；二、取洁净的石英管中，将石英管放入水平管式炉中，向石英管中通入保护气，在常压下以恒定的升温速率将管式炉温度升至设定温度；取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中，将洁净的衬底置于刚玉舟上方，将刚玉舟放入管式炉生长区，将管堵放入石英管出气口；保温一定时间，然后将刚玉舟取出，自然冷却至室温，即可在衬底和刚玉舟壁上得到二氧化锡微米线。本发明专利技术采用化学气相沉积法制备二氧化锡微米线。微米线肉眼可见，长度可达1cm，可方便肉眼下进行手工操作，并且制备工艺简单，成本低，可大量制备，可用于气敏探测、光电探测、发光器件和柔性半导体器件等领域。

A controllable preparation method of SnO2 microwires

【技术实现步骤摘要】
一种二氧化锡微米线的可控制备方法
本专利技术属于材料生长与制备领域，具体涉及一种二氧化锡微米线的可控生长方法。
技术介绍
在当今高速发展的信息时代，半导体工业的发展已经成为了衡量一个国家经济发展科技进步和国防实力的重要标志，半导体的应用已经渗透到国防军事和人们生活的各个方面。半导体材料是半导体工业的基础，是信息技术和产业发展的核心。透明氧化物半导体材料是半导体材料家族的重要成员之一。其本质是一类具有高迁移率的宽带隙半导体，通过不同的制备方法，可以实现广泛的应用。二氧化锡是一种应用领域广泛的透明氧化物半导体，属于宽禁带的n型半导体材料，禁带宽度约为3.6eV。二氧化锡(SnO2)由于其拥有优异的气敏特性和载流子传输特性，使其在气敏传感、光电探测、太阳能电池、晶体管等领域有着很好的应用前景。近年来，随着SnO2纳米结构如零维的纳米颗粒；一维的纳米线、纳米管、纳米带、纳米棒；二维的纳米薄膜等结构的相继问世。各国科学家对其结构及应用相继展开了一系列的研究工作,并在短时间内取得了丰硕的研究成果。尽管如此，在一维SnO2半导体材料的合成与制备方面仍本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二氧化锡微米线的可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n一、将二氧化锡粉末和碳粉按照一定的质量比例混合，并研磨均匀；/n二、取洁净的石英管，将石英管放入水平管式炉中，向石英管中通入保护气，在常压下以恒定的升温速率将管式炉温度升至生长温度；/n三、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中，将洁净的衬底置于刚玉舟上方，将刚玉舟放入管式炉生长区，将管堵放入石英管出气口；保温一定时间，然后将刚玉舟取出，自然冷却至室温，即可在衬底和刚玉舟壁上得到二氧化锡微米线。/n

【技术特征摘要】
1.一种二氧化锡微米线的可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、将二氧化锡粉末和碳粉按照一定的质量比例混合，并研磨均匀；
二、取洁净的石英管，将石英管放入水平管式炉中，向石英管中通入保护气，在常压下以恒定的升温速率将管式炉温度升至生长温度；
三、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中，将洁净的衬底置于刚玉舟上方，将刚玉舟放入管式炉生长区，将管堵放入石英管出气口；保温一定时间，然后将刚玉舟取出，自然冷却至室温，即可在衬底和刚玉舟壁上得到二氧化锡微米线。


2.根据权利要求1所述的二氧化锡微米线的生长制备方法，其特征在于,所述的二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳生，卞万朋，李丽，王月飞，马剑钢，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22