一种清洗剂及应用清洗剂清洗半导体硅片的方法技术

本发明专利技术公开了一种具有良好清洗效果的清洗剂，其包括：试剂一：体积比为3:1:2:3的丙二醇或异丙醇、壬基酚聚氧乙烯醚、反‑1,2‑二氯乙烯、去离子水混合溶液；试剂二：体积比为4:1的硫酸、双氧水混合溶液；试剂三：体积比为1:1:5的氢氧化铵、双氧水、去离子水混合溶液；试剂四：体积比为3:1:1000的氢氟酸、双氧水、去离子水混合溶液，本发明专利技术同时公开了一种应用上述清洗剂清洗半导体硅片的方法。

A cleaning agent and its application in cleaning semiconductor silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种清洗剂及应用清洗剂清洗半导体硅片的方法
本专利技术涉及工业化学
，具体涉及一种工业清洗剂及应用清洗剂清洗半导体硅片的方法。
技术介绍
随着半导体芯片设计的越来越小，铜材料以其良好的导电性和良好的抗电子迁移性，被普遍用作芯片导线材料，在芯片制造过程中，必须对硅片进行化学机械抛光，目前，硅片化学机械抛光是将硅片置于抛光垫上，使用抛光液对硅片进行抛光，典型的清洗液有去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水，它们主要用于清洗前一工艺中残留液，比如经化学机械抛光工艺后，表面残留的抛光液，经过刻蚀去强光阻工艺后，残留的去强光阻液以及经过沉积工艺后的残留液等，有必要在化学机械研磨后清洗液中加入化学试剂以降低硅片的表面张力，并对表面活性剂或表面活性剂混合物进行仔细的选择以获得更好的清洗效果，以避免可能产生的化学残留物问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术不足，提供了一种具有良好清洗效果的清洗剂及应用清洗剂清洗半导体硅片的方法。本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案为：一种清洗剂，其包括试剂一：体积比为3:1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗剂，其特征在于，包括：/n试剂一：体积比为3:1:2:3的丙二醇或异丙醇、壬基酚聚氧乙烯醚、反-1,2-二氯乙烯、去离子水混合溶液；/n试剂二：体积比为4:1的硫酸、双氧水混合溶液；/n试剂三：体积比为1:1:5的氢氧化铵、双氧水、去离子水混合溶液；/n试剂四：体积比为3:1:1000的氢氟酸、双氧水、去离子水混合溶液。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洗剂，其特征在于，包括：
试剂一：体积比为3:1:2:3的丙二醇或异丙醇、壬基酚聚氧乙烯醚、反-1,2-二氯乙烯、去离子水混合溶液；
试剂二：体积比为4:1的硫酸、双氧水混合溶液；
试剂三：体积比为1:1:5的氢氧化铵、双氧水、去离子水混合溶液；
试剂四：体积比为3:1:1000的氢氟酸、双氧水、去离子水混合溶液。


2.根据权利要求1所述的一种清洗剂，其特征在于：所述的试剂一的制备方法，包括以下步骤：
（1）将丙二醇或异丙醇溶于去离子水中，溶解温度控制在30～40℃，混合均匀后常温保存；
（2）将壬基酚聚氧乙烯醚于常温下加入步骤(1)制得的溶液中，混合均匀；
（3）将反-1,2-二氯乙烯于常温下加入步骤(2)制得的溶液中，混合均匀，制得试剂一。


3.根据权利要求1所述的一种清洗剂，其特征在于：步骤（3）中所述的反-1,2-二氯乙烯在加入步骤(2)制得...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱汪龙，朱玲，
申请(专利权)人：无锡乐东微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32