一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法技术

技术编号:23359920 阅读:25 留言:0更新日期:2020-02-18 15:51
本发明专利技术公开了一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:制备复合物介晶模板、制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球、清洗工作电极、制备电化学沉积液、恒电位沉积,制备得到钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜。本发明专利技术通过在纳米氧化钨薄膜中引入钛掺杂多级孔二氧化硅,制备的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜相较于纯纳米氧化钨薄膜,其具有明显的多孔结构,显著提高了复合薄膜的比表面积,而且钛的引入为复合薄膜提供了活性位点,缩短了离子与电子在其内部的扩散路径,利于离子与电子的快速嵌入与脱出,有效的提高了复合薄膜的的光学调制范围、着色效率和循环稳定性。

A preparation method of titanium doped porous silica / nano tungsten oxide composite electrochromic film

【技术实现步骤摘要】
一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法
本专利技术涉及功能材料及电致变色薄膜
,更具体地,涉及一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法。
技术介绍
电致变色材料是一种特殊的材料,其在外电场的作用下,材料的透过率、反射率和吸收率等光学属性能够发生稳定、可逆变化。这种独特的性质,使得其在数字显示器、汽车防眩目后视镜和智能窗等领域具有广阔的应用。氧化钨电致变色材料,因其拥有大的光学对比度、原材料来源广和成本低等优点,而被研究者们广泛的研究。氧化钨的电致变色原理是在外电场的作用下,离子(Li+,H+)与电子在氧化钨层嵌入与脱出时,发生可逆的氧化(褪色)还原(着色)反应。目前,纯氧化钨薄膜普遍以致密的结构存在,不利于电致变色过程中离子的扩散与电子的传输,导致薄膜的变色响应速度较慢,从而局限了氧化钨电致变色薄膜的实际应用。中国专利(201510881964.6)公布了一种利用液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法制备了氧化钨电致变色薄膜,该方法制备的氧化钨薄膜结构致密,不利于电致变色过程中离子的嵌入与脱出。中国专利(201810727920.1)公布了一种制备氧化钨电致变色电极的方法,将氯化钨制备成溶胶,喷涂在FTO导电玻璃上,进一步在紫外下处理之后即得氧化钨电致变色电极,获得的薄膜在633nm处的光学调制范围仅有31.74%。一般而言,氧化钨的响应时间和光学对比度受离子嵌入与脱出的扩散速率控制,因为离子的嵌入与脱出是一个扩散过程。多孔结构的氧化钨薄膜具有更多的离子扩散通道、较短的离子扩散路径和大的比表面积,有利于离子和电子在其内部的扩散和传输,进而提高氧化钨薄膜电致变色性能。因此,迫切需要发展一种制备具有多孔结构的氧化钨薄膜简便方法,从而获得具有优异电致变色性能的氧化钨薄膜,促进其在相关领域的应用及推广。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中的不足,提供一种具有多孔结构的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,通过在氧化钨薄膜中引入钛掺杂多级孔二氧化硅微球,得到多孔结构的氧化钨电致变色层,提高氧化钨薄膜的电致变色性能。本专利技术的另一目的在于,提供上述制备方法得到钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜。本专利技术的目的通过以下技术方案实现:一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1.制备复合物介晶模板:将阳离子表面活性剂和阴离子聚电解质溶于分子水形成透明的混合溶液,在混合溶液中加入氨水,得复合物介晶模板;S2.制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球:将正硅酸乙酯与过氧钛酸溶液依次加入复合物介晶模板中形成乳浊液,将乳浊液移入烘箱进行反应,反应后经洗涤、干燥,煅烧除去有机模板,得钛掺杂多级孔二氧化硅微球;S3.清洗工作电极:将FTO导电玻璃分别在丙酮、盐酸溶液和乙醇中超声清洗,再用保护气体吹干;S4.制备电化学沉积液:将钨源、过氧化氢和硝酸溶于分子水形成过氧钨酸溶液,再向溶液中加入钛掺杂多级孔二氧化硅微球,得电化学沉积液;S5.恒电位沉积:以步骤S3中清洗干净的FTO导电玻璃作为工作电极,Ag/AgCl作为参比电极,铂片作为对电极,在电化学沉积液中进行恒电位沉积,利用分子水冲洗,N2吹干后,得钛掺杂多级孔二氧化硅/氧化钨复合电致变色薄膜。进一步地,步骤S1中所述阳离子表面活性剂为氯代十六烷基吡啶一水合物,所述阴离子聚电解质为聚丙烯酸。进一步地,步骤S2中所述过氧钛酸溶液制备方法如下:将硫酸氧钛溶于分子水中,在2~6℃下加入过氧化氢,搅拌后得过氧钛酸溶液。进一步地,步骤S2中所述钛掺杂多级孔二氧化硅微球中钛元素摩尔比为0.5~5%。进一步地,所述钛掺杂多级孔二氧化硅微球粒径为500~800nm。进一步地,步骤S4中所述电化学沉积液中钨源浓度为0.03~0.18M。进一步地,所述钨源为钨酸钠、钨粉、钨酸铵、偏钨酸铵和氯化钨中的任意一种。进一步地,步骤S4中所述钨源与钛掺杂多级孔二氧化硅微球质量比为5~20:1。进一步地,步骤S5中所述恒电位沉积的沉积时间为5~30min,电压为-0.3~-0.8V。一种根据所述制备方法得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜,所述电致变色薄膜具有以钛掺杂多级孔二氧化硅微球作为骨架的多孔结构。进一步地,所述电致变色薄膜在700nm时,光学调制范围为33.79~57.89%,着色效率为33.49~88.84cm2C-1。与现有技术相比,本专利技术的有益效果如下:本专利技术采用动态模板法制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球,不仅可以获得大比表面的多级孔结构微球,为电致变色过程中提供有效离子及电子传输路径,而且可以大大提高钛的有效活性位点和牢固度,避免传统掺杂法中还原剂的使用,减少因钛团聚堵塞孔道等问题,简化工艺流程。本专利技术制备的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜中,钛掺杂多级孔二氧化硅微球与氧化钨颗粒之间的范德华力有效的降低了电致变色层的薄层电阻,提高了其导电性,并在电致变色层中起着支撑作用,改变了电致变色层的结构,提高了氧化钨材料的稳定性,缩短了离子扩散路径,利于离子的嵌入与脱出,有效的提高了薄膜的电化学和光学性能。本专利技术制备出的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜拥有多孔结构的形貌,具有优异的电致变色性能。附图说明图1是实施例一得到的钛掺杂多级孔二氧化硅微球的高倍扫描电镜(SEM)图;图2是实施例一得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的扫描电镜图;图3是实施例一得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的光电子能谱图a,薄膜中钨的高分辨XPS图谱b,钛的高分辨XPS图谱c,硅的高分辨XPS图谱d;图4是实施例一得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的循环伏安曲线;图5是实施例一得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的着色与褪色状态的透过率曲线,插图为着色和褪色状态的数码照片;图6是实施例一得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜在700nm处的原位透过率曲线;图7是实施例二得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的扫描电镜图;图8是实施例二得到的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的着色与褪色状态的透过率曲线,插图为着色和褪色状态的数码照片;图9是本专利技术中钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备流程示意图及变色原理图;图10为对比例1制备的电致变色薄膜的扫描电镜图;图11为对比例2制备的电致变色薄膜的扫描电镜图;图12为对比例3制备的电致变色薄膜的扫描电镜图。具体实施方式为了便于理解本专利技术,下文将结合实施例对本专利技术作更全面、细致地描述,但本专利技术的保护范围并不本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1.制备复合物介晶模板:将阳离子表面活性剂和阴离子聚电解质溶于分子水形成透明的混合溶液,在混合溶液中加入氨水,得复合物介晶模板;/nS2.制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球:将正硅酸乙酯与过氧钛酸溶液依次加入复合物介晶模板中形成乳浊液,将乳浊液移入烘箱进行反应,反应后经洗涤、干燥,煅烧除去有机模板,得钛掺杂多级孔二氧化硅微球;/nS3.清洗工作电极:将FTO导电玻璃分别在丙酮、盐酸溶液和乙醇中超声清洗,再用保护气体吹干;/nS4.制备电化学沉积液:将钨源、过氧化氢和硝酸溶于分子水形成过氧钨酸溶液,再向溶液中加入钛掺杂多级孔二氧化硅微球,得电化学沉积液;/nS5.恒电位沉积:以步骤S3中清洗干净的FTO导电玻璃作为工作电极,Ag/AgCl作为参比电极,铂片作为对电极,在电化学沉积液中进行恒电位沉积,然后利用分子水冲洗,N

【技术特征摘要】
1.一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.制备复合物介晶模板:将阳离子表面活性剂和阴离子聚电解质溶于分子水形成透明的混合溶液,在混合溶液中加入氨水,得复合物介晶模板;
S2.制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球:将正硅酸乙酯与过氧钛酸溶液依次加入复合物介晶模板中形成乳浊液,将乳浊液移入烘箱进行反应,反应后经洗涤、干燥,煅烧除去有机模板,得钛掺杂多级孔二氧化硅微球;
S3.清洗工作电极:将FTO导电玻璃分别在丙酮、盐酸溶液和乙醇中超声清洗,再用保护气体吹干;
S4.制备电化学沉积液:将钨源、过氧化氢和硝酸溶于分子水形成过氧钨酸溶液,再向溶液中加入钛掺杂多级孔二氧化硅微球,得电化学沉积液;
S5.恒电位沉积:以步骤S3中清洗干净的FTO导电玻璃作为工作电极,Ag/AgCl作为参比电极,铂片作为对电极,在电化学沉积液中进行恒电位沉积,然后利用分子水冲洗,N2吹干,得钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜。


2.根据权利要求1所述的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述阳离子表面活性剂为氯代十六烷基吡啶一水合物,所述阴离子聚电解质为聚丙烯酸。


3.根据权利要求1所述的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述过氧钛酸溶液制备方法如下:将硫酸氧钛溶于分子水中,在低温下加入过氧化氢,搅拌后得过氧钛酸溶液。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜晶晶宋娅许利剑许建雄
申请(专利权)人:湖南工业大学
类型:发明
国别省市:湖南;43

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