电子设备制造技术

本公开涉及电子设备。一种设备包括可填充有存储器位置的内容的第一缓冲器和第二缓冲器。选择电路被配置为在同时填充缓冲器与顺序填充缓冲器之间选择填充模式。在一些示例中，该设备可以是包括非易失性存储器和处理器的片上系统。

Electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
电子设备
本公开总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及接收存储器位置的内容的设备，诸如存储器控制器。
技术介绍
存储器控制器通常用在存储器与可以访问该存储器的电路之间，例如，在电子集成电路芯片中。
技术实现思路
实施例可以克服接收存储器位置的内容的已知设备(诸如存储器控制器)的全部或部分缺点。在第一方面，提供了一种电子设备，其包括：两个缓冲器，能填充有存储器位置的内容；以及选择电路，被配置为在缓冲器的同时填充与缓冲器的顺序填充之间选择填充模式。根据一个实施例，每个存储器位置的内容包括多个数据位，缓冲器中的每个缓冲器被配置为同时用多个数据位填充。根据一个实施例，电子设备包括驱动器，驱动器被配置为通过总线发送N个数据位，总线具有N条并行线，N是大于1的实数。根据一个实施例，驱动器包括多路复用器。根据一个实施例，两个缓冲器能填充有具有交替地址的第一存储器位置和第二存储器位置的相应内容。根据一个实施例，电子设备还包括两个附加缓冲器，两个附加缓冲器顺序地能填充有第一存储器位置和第二存储器位置的相应内容的地址。根据一个实施例，电子设备被配置为使得缓冲器的顺序填充包括使用连续存储器位置的内容进行填充。在第二方面，提供了一种电子设备，其包括：第一缓冲器；第二缓冲器；第一总线，具有总线宽度，第一总线耦合到第一缓冲器和第二缓冲器；以及第二总线，具有总线宽度，第二总线耦合到第二缓冲器，而不耦合到第一缓冲器；其中电子设备在第一传输配置与第二传输配置之间是可配置的；其中在第一传输配置中，同时使用第一总线向或从第一缓冲器并且使用第二总线向或从第二缓冲器传输数据；以及其中在第二传输配置中，使用第一总线向或从第一缓冲器传输数据，并且然后使用第一总线向或从第二缓冲器传输数据。根据一个实施例，电子设备还包括耦合到第一总线和第二总线的处理器。根据一个实施例，电子设备还包括非易失性存储器，其中第一缓冲器和第二缓冲器位于非易失性存储器与处理器之间。根据一个实施例，电子设备还包括耦合到第一缓冲器和第二缓冲器的非易失性存储器。根据一个实施例，第一缓冲器和第二缓冲器被配置为存储来自非易失性存储器的存储器位置的数据，电子设备还包括被配置为存储存储器位置的地址的附加缓冲器。因此，一个实施例提供了一种设备，其包括可填充有存储器位置的内容的两个缓冲器、以及在缓冲器的同时填充与缓冲器的顺序填充之间的填充模式的选择器。根据一个实施例，每个位置的内容包括多个数据段，优选地是2个数据段。缓冲器中的每个缓冲器被配置为用多个数据段同时填充。根据一个实施例，该设备包括用于通过与数据相同尺寸的总线发送数据段之一的电路。根据一个实施例，两个缓冲器可填充有具有交替地址(优选地是逻辑的)的第一位置和第二位置的相应内容。根据一个实施例，该设备还包括顺序地可填充有第一存储器位置和第二存储器位置的相应内容的地址的两个附加缓冲器。根据一个实施例，该设备被配置为使得缓冲器的顺序填充是使用连续存储器位置的内容的填充。另一实施例提供了一种电子芯片，其包括如上所述的设备。另一实施例提供了一种方法，其包括使用存储器位置内容填充两个缓冲器的第一操作和第二操作。缓冲器在第一填充下被同时填充，并且在第二填充下被顺序填充。根据一个实施例，每个位置的内容包括多个数据段，优选地是2个数据段。缓冲器中的每个缓冲器在第一填充操作和第二填充操作期间同时使用多个数据段被填充。根据一个实施例，该方法包括通过与数据相同尺寸的总线发送数据段之一的步骤。根据一个实施例，两个缓冲器分别填充有具有交替地址(优选地是逻辑的)的第一位置和第二位置。根据一个实施例，该方法包括将第一位置和第二位置的地址之一存储到附加缓冲器中的步骤。根据一个实施例，该方法包括验证请求地址与在存储步骤存储的地址之间的相等性的步骤。根据一个实施例，读出位置之一的内容的步骤的存在是相等性验证步骤的结果的函数。根据一个实施例，在第一填充下，使用连续存储器位置的相应内容填充缓冲器。实施例可以优化在执行速度与功耗之间的折衷。在结合附图对特定实施例的以下非限制性描述中，将详细讨论前述和其他特征和优点。附图说明图1部分地和示意性地示出了芯片，其包括接收存储器位置的内容的设备的一个实施例；图2示意性地示出了由图1的设备实现的方法的一个实施例的步骤；图3示意性地示出了由图1中的类型的芯片来实现图2的方法的一个示例；图4示意性地示出了图3的示例中的图2的方法的步骤；图5部分地和示意性地示出了芯片，其包括接收存储器位置的内容的设备的一个实施例；图6示意性地示出了图5的设备的一部分；以及图7示意性地示出了图5的设备的另一部分。具体实施方式在不同的附图中，相同的元素用相同的附图标记表示。特别地，不同实施例中共同的结构和/或功能元件可以用相同的附图标记表示，并且可以具有相同的结构、尺寸和材料特性。为清楚起见，仅示出并且详细描述了对理解所描述的实施例有用的那些步骤和元件。贯穿本公开，术语“连接”用于表示除了导体之外没有中间元件的电路元件之间的直接电连接，而术语“耦合”用于表示电路元件之间的电连接，其可以是直接的，或者可以是经由一个或多个中间元件。在以下描述中，除非另有说明，否则当提及限定绝对位置的术语(诸如术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等)、或者限定相对位置的术语(诸如术语“上方”、“下方”、“上”、“下”等)、或者限定方向的术语(诸如术语“水平”、“竖直”等)时，参考附图的定向。本文中使用术语“约”、“大体上”和“近似”来表示所讨论的值的正或10％、优选地正负5％的公差。图1示意性地示出了例如集成电路芯片的设备，其包括接收存储器110的内容的设备100的一个实施例，存储器110优选地是所谓的“闪存”类型的可重写非易失性存储器。芯片优选地是所谓的SOC(“片上系统”)类型。SOC型芯片特别地用于搭载或移动应用，诸如移动电话、连接的对象、家用电器或运输。设备100耦合(例如连接)到数据总线120。优选地，诸如微处理器130(CPU)之类的数据处理单元耦合到总线120。总线120特别地使得能够从存储器向处理单元传送数据。各种外围设备(未示出，诸如传感器、或与芯片外部的元件通信的电路)可以耦合或连接到总线120。优选地，设备100与总线120之间的耦合并行地传送数据段的所有位(例如32位)。优选地，数据总线120的尺寸(即，并行的位数)等于每个数据段的位数。优选地，微处理器130包括或耦合到高速缓冲存储器132(CACHE)。例如，高速缓冲存储器是访问时间比存储器110的访问时间短的存储器，并且该存储器用作总线120与微处理器130之间的缓冲器。存储器110包括一连串的位置112和114本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：/n两个缓冲器，能填充有存储器位置的内容；以及/n选择电路，被配置为在所述缓冲器的同时填充与所述缓冲器的顺序填充之间选择填充模式。/n

【技术特征摘要】
20180817 FR 18575171.一种电子设备，其特征在于，包括：
两个缓冲器，能填充有存储器位置的内容；以及
选择电路，被配置为在所述缓冲器的同时填充与所述缓冲器的顺序填充之间选择填充模式。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，每个存储器位置的所述内容包括多个数据位，所述缓冲器中的每个缓冲器被配置为同时用所述多个数据位填充。


3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，包括驱动器，所述驱动器被配置为通过总线发送N个数据位，所述总线具有N条并行线，N是大于1的实数。


4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述驱动器包括多路复用器。


5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述两个缓冲器能填充有具有交替地址的第一存储器位置和第二存储器位置的相应内容。


6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，还包括两个附加缓冲器，所述两个附加缓冲器顺序地能填充有所述第一存储器位置和所述第二存储器位置的相应内容的地址。


7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备被配置为使得所述缓冲器的所述顺序填充包括使用连续存储器位置的内容进行填充。


8.一种电子设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·布里亚，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR