具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用制造技术

本发明专利技术公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本发明专利技术提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜的制备方法具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点，可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。

LED epitaxial thin films with InGaN / GaN / AlGaN / GaN quantum wells and their fabrication and Application

【技术实现步骤摘要】
具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用
本专利技术涉及采用InGaN阱的LED领域，具体涉及具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。
技术介绍
随着发光二极管(LED)技术的迅速发展，LED的发光波段从绿光到紫外光都已经被广泛应用到商业产品上，近年来，短波长紫外LED（UV-LED）广阔的应用前景不断被人们发掘，吸引了许多人将研究重点向其转移。紫外LED在白光固态照明、光学存储、油墨印刷、水与空气净化、生物医学、环境保护等领域应用广泛。由于具有体积小、结构简单、高速，波长可调、能量高，以及使用寿命长、节能、绿色环保等特点，紫外LED与紫外汞灯相比具有很多优点，很有希望取代现有的汞灯成为下一代的紫外光源，具有巨大的社会和经济价值。紫外光一共分为三个波段：UV-A(400-320nm)、UV-B(320-280nm)和UV-C(280-200nm)波段。在紫外LED中，目前发展较为迅速的是采用InGaN作为阱的波长大于365nm的近紫外LED。近紫外LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，包括由下至上的n-GaN(1)、InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱(2)、电子阻挡层(3)和p-GaN(4)。/n

【技术特征摘要】
1.具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，包括由下至上的n-GaN(1)、InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱(2)、电子阻挡层(3)和p-GaN(4)。


2.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的周期数为1~10，每个周期的厚度为1~4nmInGaN/1~3nmGaN/3~10nmAlGaN/1~3nmGaN,其中第一个量子阱的InGaN阱前以一个3~10nmAlGaN/1~3nmGaN垒开始，最后一个量子阱的InGaN阱后以一个1~3nmGaN/3~10nmAlGaN垒结束。


3.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的InGaN阱的生长温度为700~900℃，GaN垒的生长温度与InGaN阱保持一致，AlGaN垒的生长温度为800~1000℃。


4.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱中InGaN的In组分为0.01~1，AlGaN的Al组分大于0、小于等于1。


5.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN或AlInGaN。


6.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为0~100nm。


7.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述n-GaN为蓝宝石、Si或SiC衬底上所制备的n...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，李媛，洪晓松，王文樑，邢志恒，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44