发光装置与液晶显示器制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置，包括发光二极管，发光二极管包括蓝光发光层以及第一波长转换层，第一波长转换层设置于蓝光发光层的出光面。发光装置还包括第二波长转换层以及基板。蓝光发光层位于第一波长转换层与第二波长转换层之间。基板具有反光面与相对于反光面的外表面，第一波长转换层位于蓝光发光层与反光面之间。

Light emitting device and liquid crystal display

【技术实现步骤摘要】
发光装置与液晶显示器
本专利技术是关于一种发光装置与液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有省电、重量轻、低辐射及易携带等优点，可广泛应用于电视、电脑屏幕、笔记型电脑、汽车导航系统、行动通讯装置等，已逐渐取代传统的显示器，成为市面上的主流产品。其中，用以提供光源的关键零组件之一即是背光模块(BacklightModule)，其目的在于将发光元件所发射的点光源或线光源，进一步形成均匀的面光源，以提供液晶面板使用。以发光二极管作为发光元件已广泛地应用在显示器与照明方面的领域。然而，就现有以发光二极管作为光源的发光元件的结构而言，较不易使发光二极管发出的光线均匀化。因此，如何提高发光元件的发光效率以及发光区的亮度均匀性，已成为亟待解决的课题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种发光装置以及一种液晶显示器。通过使第一波长转换层在第一基板的垂直投影面积落在蓝光发光层在第一基板的垂直投影面积之内，提升第一波长转换层的光转换效率，并且，藉由设置第一波长转换层与第二波长转换层于蓝光发光层的相异侧，可以提升发光装置的色度均匀度及亮度，发光装置还包括第一反光结构及第二反光结构，第一反光结构用以使蓝光与第一色光朝第一基板左右两侧反射，避免蓝光与第一色光反射回发光二极管，第二反光结构用以破坏光线在导光层中的全反射，提高发光装置的出光效率。于一实施例中，一种发光装置包括发光二极管，发光二极管包括蓝光发光层以及第一波长转换层，第一波长转换层设置于蓝光发光层的出光面。发光装置还包括第二波长转换层以及基板。蓝光发光层位于第一波长转换层与第二波长转换层之间。基板具有反光面与相对于反光面的外表面，第一波长转换层位于蓝光发光层与反光面之间。于一实施例中，一种液晶显示器包括多个如上所述的发光装置以及液晶显示面板，液晶显示面板位于发光装置上。附图说明阅读以下详细叙述并搭配对应的图式，可了解本专利技术的多个样态。需留意的是，图式中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。图1A绘示根据本专利技术的一实施例的发光装置的剖面图；图1B绘示图1A的出光路径示意图；图2绘示根据本专利技术的另一实施例的发光装置的剖面图；图3绘示根据本专利技术的一实施例的液晶显示器的剖面图；以及图4绘示根据本专利技术的一实施例的光源模块的俯视图。其中，附图标记：10、10a、10b：发光装置12：液晶显示器14：光源模块16：液晶显示面板18：导线100：发光二极管102：蓝光发光层102a：出光面104：第一波长转换层106：第二波长转换层108：第一基板108a：反光面108b：外表面109：反射墙110：第一反光结构111：底座112：第二反光结构114a：第一绝缘凸块114b：第二绝缘凸块116a：第一反射层116b：第二反射层118：导光层120：透光介质层122：第二基板124：第一半导体层126：第二半导体层128：第一电极130：第二电极132：第三电极134：第四电极136：光扩散层136a：顶面136b：底面B1、B2：底面BL：蓝光D1、D2：距离H1、H2：高度L1：第一色光L2：第二色光S1、S2：侧面T：厚度WL：白光θ1：第一角度θ2：第二角度具体实施方式以下将以图式及详细说明清楚说明本专利技术的精神，任何所属
中具有通常知识者在了解本专利技术的实施例后，当可由本专利技术所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本专利技术的精神与范围。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上方或上”，于实施例中将包含第一特征及第二特征具有直接接触；且也将包含第一特征和第二特征为非直接接触，具有额外的特征形成于第一特征和第二特征的间。此外，本专利技术在多个范例中将重复使用元件标号以和/或文字。重复的目的在于简化与厘清，而其本身并不会决定多个实施例以和/或所讨论的配置之间的关系。此外，方位相对词汇，如“在…之下”、“下面”、“下”、“上方”或“上”或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于图式中的一个元件或特征至另外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在图式中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被另外设置(旋转90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可以相应地进行解释。图1A绘示根据本专利技术的一实施例的发光装置10的剖面图。图1B绘示图1A的出光路径示意图。请一并参照图1A及图1B。发光装置10包括发光二极管100，发光二极管100包括蓝光发光层102以及第一波长转换层104。第一波长转换层104设置于蓝光发光层102的出光面102a，蓝光发光层102发出蓝光BL，第一波长转换层104用以转换蓝光BL为第一色光L1。发光装置10还包括第二波长转换层106、第一基板108以及反射墙109，第一基板108及反射墙109构成底座111，发光二极管100位于第二波长转换层106与第一基板108之间，蓝光发光层102位于第一波长转换层104与第二波长转换层106之间。第一基板108具有反光面108a与相对于反光面108a的外表面108b。第一基板108的材质可以是透光材料，举例而言，第一基板108可为玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板或其他合适的硬质基板或可挠式基板等，但本专利技术并非仅限于此。反射墙109具反射光线的能力，故其材料为反射材料。反射墙109的材质可包含金属材质或非金属材质。金属材质可包含如钛、金、铝、银、铂、钯或以上的复合金属。非金属材质可选自聚邻苯二甲酰胺、陶瓷、聚碳酸酯。非金属材质亦可为掺杂具反射效果的材料的高分子材料，其中该掺杂的材料包含具反射效果的非金属材料或金属材料。第一波长转换层104在第一基板108的垂直投影面积位于蓝光发光层102在第一基板108的垂直投影面积之内，由于蓝光发光层102所发出的蓝光BL光束近似于圆形，且其光强度近似于朗伯分布(Lambertiandistribution)，如此一来，使蓝光发光层102所发出的蓝光BL容易进入第一波长转换层104，从而提升第一波长转换层104的光转换效率，并可使蓝光BL与第一色光L1混光均匀。第二波长转换层106可以将蓝光发光层102所发出的蓝光BL转换成第二色光L2，第一色光L1的波长不同于第二色光L2的波长，于一实施例中，第一色光L1、第二色光L2及蓝光BL混光成为白光WL。通过将第一波长转换层104与第二波长转换层106设置于相异层，能够充分的混合第一色光L1、第二色光L2与蓝光BL为白光WL，使发光装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包含：/n一第一基板，具有一反光面与相对于该反光面的一外表面；/n一发光二极管，包含一第二基板、一蓝光发光层以及一第一波长转换层，该第一波长转换层设置于该蓝光发光层的一出光面，且该第一波长转换层位于该蓝光发光层与该反光面之间，该蓝光发光层位于该第二基板与该第一波长转换层之间，该反光面具有至少一第一反光结构与多个第二反光结构，该发光二极管位于该第一反光结构的上方而不位于该些第二反光结构的上方；以及/n一第二波长转换层，其中该蓝光发光层位于该第一波长转换层与该第二波长转换层之间。/n

【技术特征摘要】
20190221 TW 1081058761.一种发光装置，其特征在于，包含：
一第一基板，具有一反光面与相对于该反光面的一外表面；
一发光二极管，包含一第二基板、一蓝光发光层以及一第一波长转换层，该第一波长转换层设置于该蓝光发光层的一出光面，且该第一波长转换层位于该蓝光发光层与该反光面之间，该蓝光发光层位于该第二基板与该第一波长转换层之间，该反光面具有至少一第一反光结构与多个第二反光结构，该发光二极管位于该第一反光结构的上方而不位于该些第二反光结构的上方；以及
一第二波长转换层，其中该蓝光发光层位于该第一波长转换层与该第二波长转换层之间。


2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包含：
一反射墙，该反射墙与该第一基板构成一底座，该底座呈杯状，该第一反光结构的尺寸不同于各该第二反光结构的尺寸，其中该第一反光结构位于该些第二反光结构之间。


3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该第一反光结构具有一第一绝缘凸块以及一第一反射层，该第一反射层位于该第一绝缘凸块上，该第一绝缘凸块在该第一基板的垂直投影部分重叠于该发光二极管在该第一基板的垂直投影。


4.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该第一反光结构在该第一基板的垂直投影面积大于各该第二反光结构在该第一基板的垂直投影面积，其中该第二反光结构具有一第二绝缘凸块以及一第二反射层，该第二反射层位于该第二绝缘凸块上，且该第一绝缘凸块的侧面与底面夹一第一角度，该第二绝缘凸块的侧面与底面夹一第二角度，该第一角度及该第二角度大于约30°且小于约60°，且该第一角度小于该第二角度。


5.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管包含：
一第一半导体层，该蓝光发光层设置于该第一半导体层上；
一第二半导体层，该第一波长转换层设置于该蓝光发光层与该第二半导体层之间；
一第一电极，设置于该第一半导体层上；以及
一第二电极，设置于该第二半导体层上，其中该发光二极管与该第一反光结构的顶端的垂直距离介于约10微米至约100微米之间。


6.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，更包含：
一导光层，位于该蓝光发光层与该第一反光结构与该些第二反光结构之间，该导光层的厚度介于约10微米至约100微米之间；以及
一透光介质层，位于该导光层与该第二波长转换层之间，其中该透光介质层的折射率低于该导光层的折射率，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹钧翔，蔡旻锦，范铎正，江启圣，李欣浤，蔡庭玮，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71