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本发明公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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