【技术实现步骤摘要】
衬底、包括衬底的集成电路装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年8月2日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2018-0090407的优先权，其公开内容通过引用其全部合并于此。
根据各实施例的设备和方法涉及一种衬底、包括衬底的集成电路装置以及制造集成电路装置的方法，更具体地，涉及半导体衬底、半导体外延衬底、包括半导体外延衬底的集成电路装置、以及制造集成电路装置的方法。
技术介绍
由于电子工业的进步，集成电路装置已迅速缩小规模。因为集成电路装置不仅需要快速操作速度，而且还需要关于操作的精度，因此已经进行了各种研究来优化包括在集成电路装置中的晶体管的结构。具体地，需要开发一种技术，用于抑制使用单晶半导体衬底制造的集成电路装置中的晶体缺陷和晶体缺陷引起的故障。
技术实现思路
根据实施例，半导体衬底包括：主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向...
【技术保护点】
1.一种半导体衬底，包括：/n主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及/n凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向所述第一方向设置。/n
【技术特征摘要】
20180802 KR 10-2018-00904071.一种半导体衬底，包括：
主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及
凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向所述第一方向设置。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述第一偏角大于等于0.2°且小于7.3°。
3.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，在与所述第一径向垂直的第二径向上，所述主表面相对于所述晶面的第二偏角为0°。
4.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，穿过所述主表面的中心和所述凹口的第一直线从不同直线倾斜所述第一偏角，所述不同直线从所述主表面的中心沿所述第一方向延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述半导体衬底的主表面的第一法线从所述晶面的第二法线在朝向所述凹口的第二方向上倾斜第一偏角，所述第一偏角大于等于0.2°且小于7.3°。
6.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括硅单晶衬底。
7.一种半导体外延衬底，包括：
权利要求1的半导体衬底；以及
半导体外延层，其设置在所述主表面上并且包括具有原子级台阶的上表面，
其中，第一直线穿过所述凹口和所述主表面的中心，并且
其中，所述原子级台阶平行于与所述第一直线垂直的第二直线延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体外延衬底，其中，所述半导体外延层包括Si、SiGe、GaAs和InP中的任意一种或任意组合。
9.一种集成电路装置，包括：
半导体衬底，其包括主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从与晶面平行的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°，其中所述主表面在与所述第一径向垂直的第二径向上平行于所述晶面；以及
鳍型有源区，其设置在所述主表面上，并且具有与所述第一径向平行的长轴和与所述第二径向平行的短轴，
其中，所述鳍型有源区包括具有原子级台阶的上表面，并且
其中，所述原子级台阶平行于所述第二径向延伸。
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述鳍型有源区在不同方向上伸长，所述不同方向从与所述晶面平行的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角。
11.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述鳍型有源区包括具有定向表面的侧壁。
12.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述鳍型有源区包括Si外延层、Ge外延层、SiGe外延层、GaAs外延层和InP外延层中的任意一种或任意组合。
13.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述鳍型有源区包括配置为使得载流子沿所述第一方向流动的沟道区。
14.根据权利要求9所述的集成电路装置，还包括：
栅线，其在所述鳍型有源区的短轴方向上延伸并且设置在所述半导体衬底上，
其中，所述栅线面对所述鳍型有源区的侧壁，并且
其中，所述侧壁包括定向表面。
15.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李仁智，高德吉，金娟淑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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