结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明专利技术提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

【技术实现步骤摘要】
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置本申请是针对申请日为2015年7月21日、申请号为201580032796.1、专利技术名称为“结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及对于半导体装置有用的结晶性半导体膜和板状体以及使用了上述结晶性半导体膜或上述板状体的半导体装置。
技术介绍
作为可实现高耐压、低损失和高耐热的新一代转换元件，使用带隙宽的氧化镓(Ga2O3)的半导体装置受到关注，面向变频器等电力用半导体装置的应用也备受期待。根据非专利文献1，该氧化镓可通过单独混合铟或铝或者将它们组合形成混晶来控制带隙，其中，由InX’AlY’GaZ’O3(0≦X’≦2、0≦Y’≦2、0≦Z’≦2、X’+Y’+Z’＝1.5～2.5)表示的InAlGaO系半导体是极具吸引力的材料。专利文献1中记载了添加有掺杂物(4价锡)的结晶性高的导电性α-Ga2O3薄膜。然而，专利文献1中记载的薄膜无法维持充分的耐压性，另外，含有大量碳杂质，因而包括导电性在内，半导体特性未得到满足，仍难以应用于半导体装置。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，其至少具有半导体层和电极，所述半导体层由含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分的结晶性半导体膜构成，所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，并且所述半导体层具有由沟槽构成的沟结构。/n

【技术特征摘要】
20140722 JP 2014-149313;20150622 JP 2015-1251891.一种半导体装置，其特征在于，其至少具有半导体层和电极，所述半导体层由含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分的结晶性半导体膜构成，所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，并且所述半导体层具有由沟槽构成的沟结构。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟结构由多个沟槽构成。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电极形成于所述沟槽内。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述电极介由绝缘膜形成于所述沟槽内。


5.根据权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：人罗俊实，织田真也，高塚章夫，
申请(专利权)人：株式会社FLOSFIA，
类型：发明
国别省市：日本;JP