一种NAND Flash时序测试方法技术

本发明专利技术公开了一种NAND Flash时序测试方法，步骤包括：获取NAND Flash中所有存储数据；对此NAND Flash进行读操作，并移动采样脉冲位置，对读取数据进行采集，获得若干采集数据；将存储数据与采集数据进行比较，并将Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中；将错误捕捉存储器划分为多个区域，获取每个区域各自对应的数据有效窗口时间t

A NAND flash timing test method

【技术实现步骤摘要】
一种NANDFlash时序测试方法
本专利技术涉及存储芯片测试
，具体涉及一种NANDFlash时序测试方法。
技术介绍
目前由于芯片集成度较高，对NANDFlash芯片的测试通常由自动测试设备(ATE)执行；测试过程中通过比较由芯片输入、输出的数据是否相同判断此芯片是否存在故障。而现有NANDFlash芯片接口多为DDR3模式，在DDR3模式下数据传输速率为800MT/S，数据传输周期为2.5ns；随着数据传输速率增加，由ATE工艺造成的缺陷所产生的寄生电容干扰现象就会被放大；具体地，当芯片工作频率较高时，寄生电容存储的电荷将对电路特性产生干扰。由于脉冲间隔太短，寄生电容来不及放电，导致本应恒定的参考电压持续增加；致使测试过程中测量的相关时序参数不准确，最终导致后续测试将无法进行；无法正常对DDR3模式下的NANDFlash进行时序测试。
技术实现思路
为了克服现有自动测试设备无法正常对DDR3模式下的NANDFlash进行时序测试的技术问题，本专利技术提供一种NANDFlash时序测试方法。本专利技术所述的NANDFlash时序测试方法，步骤包括：获取NANDFlash的每一Page中所有的存储数据；对此NANDFlash的每一Page进行读操作，获得若干读取数据，并移动采样脉冲的位置，对读取数据进行采集，获得若干采集数据；将存储数据与采集数据进行比较，并将Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中；将错误捕捉存储器中存储的所有比较结果划分为多个区域，获取每个区域各自对应的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe；根据每个区域各自对应的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe，判断NANDFlash是否故障。优选地，将错误捕捉存储器中存储的所有比较结果划分为多个区域的步骤包括：将比较结果按相应行地址和列地址存储在错误捕捉存储器中对应位置，其中，行地址代表采样脉冲的移位次数，列地址代表字节地址；按照若干列地址将错误捕捉存储器划分为N个区域。优选地，获取每个区域各自对应的数据有效窗口时间tDVW的步骤包括：对错误捕捉存储器中每个区域内的比较结果按行进行扫描，并记录每个区域内比较结果为0的个数a；获取每一比较结果为0对应的测试时间T；根据每个区域内比较结果为0对应测试时间T和个数a，计算每个区域各自对应的数据有效窗口时间tDVW，计算公式如下：tDVW＝aT；其中，tDVW的单位为：ns，T的单位为：ns。优选地，获取每个区域各自对应的数据有效区域时间tstrobe的步骤包括：对错误捕捉存储器中每个区域内的比较结果按行进行扫描，并依次判断每个区域各行内存储的比较结果是否均为0；若此区域内一行存储的所有比较结果首次出现均为0，则此行对应的扫描时间为此区域对应的数据有效区域时间tstrobe。优选地，判断NANDFlash是否故障的步骤包括：计算第一区域对应的数据有效区域时间tstrobe和第二区域对应的数据有效区域时间tstrobe差的绝对值，得出计算结果；并判断计算结果与差值要求的关系；若计算结果大于差值要求，则将此第一区域对应的数据有效区域时间tstrobe写入时钟设置存储器中，并对时钟设置存储器的使用个数加1；若计算结果小于等于差值要求，则将继续计算，且时钟设置存储器的使用个数保持不变；其中，时钟设置存储器使用个数的初始值为1；依次计算第Yn区域和第Yn+2区域的计算结果；并判断计算结果与差值要求的关系；其中，n＝1、2、3……(N-2)；若计算结果大于差值要求，则将此第Yn区域对应的数据有效区域时间tstrobe写入时钟设置存储器中，对时钟设置存储器的使用个数加1，并判断时钟设置存储器的使用个数与故障个数要求的关系；若计算结果小于等于差值要求，则将继续上一步操作，直至结束；若时钟设置存储器的使用个数大于故障个数要求，则判断NANDFlash出现故障；若小于等于，则判断NANDFlash未出现故障。优选地，采样脉冲的采样频率为400MHz，采样脉冲的占空比为：0.5。优选地，按照时间间隔0.01ns移动采样脉冲的位置。优选地，差值要求的取值范围为：大于0ns，且小于等于0.17ns。优选地，故障个数要求的取值范围为：1至16。优选地，错误捕捉存储器中区域个数N的取值范围为：1至64。综上所述，本专利技术所述的NANDFlash时序测试方法，与现有测试方法相比，将只记录整个Page的输入、输出的比较结果，扩展为记录整个Page中所有字节的输入、输出的比较结果，并将每个字节的比较结果对应存储在分为多个区域的错误捕捉存储器中，通过对每个区域进行测试得到与之对应的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe，并根据每个区域对应的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe可以判断出此NANDFlash是否故障，避免因测试设备本身的寄生电容干扰现象导致测试无法进行；同时，多时钟设置存储器的应用使ATE克服由芯片在DDR3模式下时序偏移产生的干扰正确采集芯片的输出数据，为后续功能性测试提供可靠的测试环境，无需对设备硬件进行改造，依然可以对DDR3模式下的NANDFlash进行时序测试，克服了测试设备的频率限制，降低了测试成本。附图说明图1是本专利技术涉及的NANDFlash时序测试方法流程图；图2是采用传统时序测试方法信号输出时每个字节的有效时间tAC和无效时间tInvalid分布图；图3是32GB的NANDFlash的错误捕捉存储器中存入数据的逻辑地址；图4是采用传统时序测试方法测试DDR3模式下NANDFlash，信号输出时每个字节的有效时间tAC和无效时间tInvalid统计图；图5是采用本专利技术涉及的时序测试方法信号输出时每个区域的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe分布图；图6是采用传统时序测试方法和本专利技术涉及的时序测试方法测得的每个区域的数据有效窗口时间tDVW结果对比图。具体实施方式下面结合附图说明根据本专利技术的具体实施方式。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术并不限于下面公开的具体实施例的限制。目前由于芯片集成度较高，对NANDFlash芯片的测试通常由自动测试设备(ATE)执行；测试过程中通过比较由芯片输入、输出的数据是否相同判断此芯片是否存在故障。DDR3模式相比SDR模式多了数据选取脉冲(DQS)。DQS信号在读取操作使能后由芯片内部产生，用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，使内存与内存控制器之间信号同步，便于接收方准确的接受数据；故现有NANDFlash芯片接口多为DDR3模式；但是在DDR3模式下数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND Flash时序测试方法，其特征在于，步骤包括：/n获取NAND Flash的每一Page中所有的存储数据；/n对此所述NAND Flash的每一所述Page进行读操作，获得若干读取数据；并移动采样脉冲的位置，对所述读取数据进行采集，获得若干采集数据；/n将所述存储数据与采集数据进行比较，并将所述Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中；/n将所述错误捕捉存储器中存储的所有所述比较结果划分为多个区域，获取每个所述区域各自对应的数据有效窗口时间t

【技术特征摘要】
1.一种NANDFlash时序测试方法，其特征在于，步骤包括：
获取NANDFlash的每一Page中所有的存储数据；
对此所述NANDFlash的每一所述Page进行读操作，获得若干读取数据；并移动采样脉冲的位置，对所述读取数据进行采集，获得若干采集数据；
将所述存储数据与采集数据进行比较，并将所述Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中；
将所述错误捕捉存储器中存储的所有所述比较结果划分为多个区域，获取每个所述区域各自对应的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe；
根据每个所述区域各自对应的所述数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe，判断所述NANDFlash是否故障。


2.根据权利要求1所述的NANDFlash时序测试方法，其特征在于，将所述错误捕捉存储器中存储的所有所述比较结果划分为多个所述区域的步骤包括：
将所述比较结果按相应行地址和列地址存储在所述错误捕捉存储器中对应位置，其中，所述行地址代表所述采样脉冲的移位次数，所述列地址代表字节地址；
按照若干所述列地址将所述错误捕捉存储器划分为N个所述区域。


3.根据权利要求2所述的NANDFlash时序测试方法，其特征在于，获取每个所述区域各自对应的所述数据有效窗口时间tDVW的步骤包括：
对所述错误捕捉存储器中每个所述区域内的所述比较结果按行进行扫描，并记录每个所述区域内所述比较结果为0的个数a；
获取每一所述比较结果为0对应的测试时间T；
根据每个所述区域内所述比较结果为0对应所述测试时间T和个数a，计算每个所述区域各自对应的所述数据有效窗口时间tDVW，计算公式如下：
tDVW＝aT；
其中，tDVW的单位为：ns，T的单位为：ns。


4.根据权利要求2所述的NANDFlash时序测试方法，其特征在于，获取每个所述区域各自对应的所述数据有效区域时间tstrobe的步骤包括：
对所述错误捕捉存储器中每个所述区域内的所述比较结果按行进行扫描，并依次判断每个所述区域各行内存储的所述比较结果是否均为0；
若此所述区域内一行存储的所有所述比较结果首次出现均为0，则此行对应的扫描时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘琦，韦亚一，董立松，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11