谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了谐振器及其制备方法，能够有效地解决晶格失配问题，可以极大地提高谐振性能。本发明专利技术提供的谐振器，包括：衬底，形成有通孔，和从衬底的背部向着顶部延伸、并且贯穿衬底的凹槽；谐振结构，包括：形成在衬底顶面上的单晶氮化物缓冲层，形成在缓冲层上的准单晶氮化物压电层，形成在压电层上的顶电极，形成在衬底背面上、并且延伸至凹槽中与缓冲层相接触的底电极，形成在衬底背面未设置底电极的区域上、并且贯穿衬底、缓冲层、和压电层而与顶电极相接触的引出电极，以及形成在底电极下表面和引出电极上的电极板；和真空封装结构，对衬底及谐振结构位于衬底顶面上的部分进行真空封装，其中，缓冲层和压电层采用同一种氮化物材料。

Resonator and its preparation

【技术实现步骤摘要】
谐振器及其制备方法
本专利技术属于射频器件领域，具体涉及具有准单晶氮化物薄膜材料的谐振器及其制备方法。技术背景在移动通讯领域中，MEMS射频器件发挥着巨大的作用，拥有广阔的市场前景。伴随着5G时代的到来，移动通讯系统朝着更高频率、更宽频段的目标不断发展，要求的射频前端的性能越来越高。滤波器，作为射频前端最为核心的部件，其性能的好坏直接决定了射频前端模组的优劣。MEMS滤波器由一系列谐振器通过一定的电路连接构成，其主要功能是对输入的信号进行筛选，只允许特定频率的信号通过，特定频率外的信号(称之为噪声)被衰减抑制，从而实现滤波的功能。谐振器的谐振频率决定了滤波器能够进行筛选的频率范围，同时谐振器的机电耦合系数、品质因子等参数决定了滤波器对噪声的抑制程度和对有用信号的损耗大小。即滤波器的优劣取决于谐振器的性能是否优良。随着通信技术的不断发展，要求的通讯频率不断提高，在高达数千兆甚至数十千兆赫兹的频段内，能够有效工作并广泛使用的滤波器主要是基于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator,以下简称FBAR)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：/n衬底，形成有通孔，和从所述衬底的背部向着顶部延伸、并且贯穿所述衬底的凹槽；/n谐振结构，包括：形成在所述衬底顶面上的单晶氮化物缓冲层，形成在所述单晶氮化物缓冲层上的准单晶氮化物压电层，形成在所述准单晶氮化物压电层上的顶电极，形成在所述衬底背面上、并且延伸至所述凹槽中与所述单晶氮化物缓冲层相接触的底电极，形成在所述衬底背面未设置所述底电极的区域上、并且贯穿所述衬底、所述单晶氮化物缓冲层、和所述准单晶氮化物压电层而与所述顶电极相接触的引出电极，以及形成在所述底电极下表面和所述引出电极上的电极板；和/n真空封装结构，对所述衬底及所述谐振结构位于所述衬底顶面上的部...

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：
衬底，形成有通孔，和从所述衬底的背部向着顶部延伸、并且贯穿所述衬底的凹槽；
谐振结构，包括：形成在所述衬底顶面上的单晶氮化物缓冲层，形成在所述单晶氮化物缓冲层上的准单晶氮化物压电层，形成在所述准单晶氮化物压电层上的顶电极，形成在所述衬底背面上、并且延伸至所述凹槽中与所述单晶氮化物缓冲层相接触的底电极，形成在所述衬底背面未设置所述底电极的区域上、并且贯穿所述衬底、所述单晶氮化物缓冲层、和所述准单晶氮化物压电层而与所述顶电极相接触的引出电极，以及形成在所述底电极下表面和所述引出电极上的电极板；和
真空封装结构，对所述衬底及所述谐振结构位于所述衬底顶面上的部分进行真空封装，
其中，所述单晶氮化物缓冲层和所述准单晶氮化物压电层采用的同一种氮化物材料。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
其中，所述单晶氮化物缓冲层和所述准单晶氮化物压电层采用的材料均为AlN或GaN。


3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于：
其中，所述单晶氮化物缓冲层和所述准单晶氮化物压电层采用的材料均为AlN。


4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
其中，所述底电极、所述引出电极和所述顶电极采用的材料均为金属导电材料。


5.根据权利要求4所述的谐振器，其特征在于：
其中，所述金属导电材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成亮，徐沁文，刘炎，蔡耀，邹杨，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42