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本发明提供了谐振器及其制备方法，能够有效地解决晶格失配问题，可以极大地提高谐振性能。本发明提供的谐振器，包括：衬底，形成有通孔，和从衬底的背部向着顶部延伸、并且贯穿衬底的凹槽；谐振结构，包括：形成在衬底顶面上的单晶氮化物缓冲层，形成在缓冲层...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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