一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构技术

本发明专利技术属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明专利技术通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。

Wafer level packaging method and structure of thin film bulk acoustic filter

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构
本专利技术属于声波滤波器
，涉及薄膜体声波滤波器，尤其涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构。
技术介绍
目前，薄膜体声波滤波器(FBAR)的小型化封装均采用灌封树脂封装的封装形式。未来对于微型化的封装要求更高，灌封树脂对于污染问题很难控制。而薄膜体声波滤波器对工作表面要求很高，不能被污染。因此灌封树脂的封装形式难以满足实际使用需要。也有采用陶瓷外壳平行焊接的封装结构，即在外壳上制作出一个深腔结构，将裸芯片粘接于深腔内，并通过引线与外部电极电连接，然后向深腔内充入氮气以置换其内的空气，最后通过盖板将深腔封闭即可。虽然这样的封装结构满足器件不能被污染的要求，但至少存在以下两方面不足：(1)器件难以小型化，目前最小的陶瓷外壳为1.6mm*1.2mm且厚度都在1mm以上，在未来的移动设备中无法使用，仅能使用在基站中，应用场合受到很大影响；(2)加工效率低，由于每个器件需要分别加工，且为了使芯片处于洁净不被污染的环境存在氮气与空气的置换，故封装效率比较低下。专利CN106301279A通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：/n在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片，所有芯片的工作面朝向相同，所有芯片基于同一晶圆而连接成为整体；/n将陶瓷基板表面制作多个与芯片焊盘形状相匹配的金属图形，并针对外部引线制作出相应的导通孔；/n将晶圆中的各个芯片和陶瓷基板的金属图形进行一一正对；/n将对准后的芯片和金属图形在一定温度和键合压力下进行金属键合，在陶瓷基板上形成键合层金属，并从导通孔连接至晶圆；/n在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层；/n在陶瓷基板背向芯片的一面进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除导通孔外的金属种子层；/n在陶瓷基板背向芯片的一面...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：
在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片，所有芯片的工作面朝向相同，所有芯片基于同一晶圆而连接成为整体；
将陶瓷基板表面制作多个与芯片焊盘形状相匹配的金属图形，并针对外部引线制作出相应的导通孔；
将晶圆中的各个芯片和陶瓷基板的金属图形进行一一正对；
将对准后的芯片和金属图形在一定温度和键合压力下进行金属键合，在陶瓷基板上形成键合层金属，并从导通孔连接至晶圆；
在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层；
在陶瓷基板背向芯片的一面进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除导通孔外的金属种子层；
在陶瓷基板背向芯片的一面制作外电极和外部电路结构，并在外电极表面制作外部焊球。


2.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，金属图形采用包括金Au或铜Cu。


3.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，金属键合的温度为280～4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘娅，马晋毅，孙科，徐阳，余忠，蒋平英，兰中文，田本郎，邬传健，谭发增，蒋晓娜，郭荣迪，杨正兵，唐小龙，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，电子科技大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50