【技术实现步骤摘要】
扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置
本专利技术涉及温度补偿晶体振荡器领域，具体涉及一种局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置。
技术介绍
温度补偿晶体振荡器在电子产品中有着广泛的应用，它常常被称之为电子产品的心脏，它的输出频率的稳定性直接影响到电子系统的性能好坏。普通温度补偿晶体振荡器工作温度范围-40℃~+85℃，但是某些特定行业的工作温度要求低于-40℃，如航空、国防等行业，最低温度要求低至-55℃。当温度补偿晶体振荡器的工作温度低于-40℃后各种指标急剧恶化，就会直接影响通信系统的稳定性、卫星定位的精确性、测量仪器的测量精度等，甚至不能工作；因此要求最低工作温度-55℃的场合就不能直接使用该温度补偿晶体振荡器。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可将额定最低工作温度-40℃的温度补偿晶体振荡器的工作范围实现额定最低工作温度扩展至-55℃及以下的方法。为实现上述目的，本专利技术的目的采用如下技术方案：局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方...
【技术保护点】
1.局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于包括如下步骤：/n（A）采用温度传感器（3）检测所述温度补偿晶体振荡器（2）的温度；/n（B）根据步骤（A）中所述温度调节发热件（4）加热温度补偿晶体振荡器（2）的局部电路，实现扩展所述温度补偿晶体振荡器（2）工作的低温范围；/n（C）同时对步骤（A）和（B）中所述温度补偿晶体振荡器（2）实施保温措施。/n
【技术特征摘要】
1.局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于包括如下步骤：
（A）采用温度传感器（3）检测所述温度补偿晶体振荡器（2）的温度；
（B）根据步骤（A）中所述温度调节发热件（4）加热温度补偿晶体振荡器（2）的局部电路，实现扩展所述温度补偿晶体振荡器（2）工作的低温范围；
（C）同时对步骤（A）和（B）中所述温度补偿晶体振荡器（2）实施保温措施。
2.根据权利要求1所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于：步骤（B）中所述发热件（4）是指将电能转换为热能的电子元件，所述电子元件包括电阻、陶瓷发热片、金属发热片、晶体管中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于：所述调节发热件（4）加热温度补偿晶体振荡器（2）的局部电路是指通过控制电子元件或机械开关调节发热件（4）加热温度补偿晶体振荡器（2）的局部电路。
4.根据权利要求1所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于：步骤（C）中所述对步骤（A）和（B）中所述温度补偿晶体振荡器（2）实施保温措施是指去除电路中的铜箔（6）、增加保温层（7）、安装保温罩（8）中一种或任意几种的组合。
5.局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现装置，包括印制电路板（1）以及焊接在印制电...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓辉，吴伟，彭小芳，李丹，
申请(专利权)人：成都正扬博创电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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