一种一体化交叉耦合电容制造技术

本实用新型专利技术提供一种一体化交叉耦合电容，包括：固定介质和金属导体片，所述固定介质一侧面贯穿设有通孔，所述金属导体片贯穿所述通孔，所述金属导体片通过热熔工艺与所述固定介质固定连接。如上所述，本实用新型专利技术的一体化交叉耦合电容，用于解决现有技术中材料成本高，装配工艺复杂，一致性差，稳定性差的问题。

An integrated cross coupling capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种一体化交叉耦合电容
本技术涉及通讯领域，特别是涉及一种一体化交叉耦合电容。
技术介绍
随着制造业人力资源成本的增加，企业对产品的设计要求也随之提高，材料成本的降低；制造工艺防呆化、简单化的要求也随之提高。目前滤波器交叉耦合电容的实现方法：交叉耦合电容由，如图1和图2所述的金属导体杆2和固定介质1(聚四氟乙烯PTFE)组成，金属导体杆2的形状为哑铃状。将金属导体杆2嵌入固定介质1，形成交叉耦合电容，其材料成本高，装配工艺复杂，一致性差，稳定性差。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种一体化交叉耦合电容，用于解决现有技术中材料成本高，装配工艺复杂，一致性差，稳定性差的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种一体化交叉耦合电容，包括：固定介质和金属导体片，所述固定介质一侧面贯穿设有通孔，所述金属导体片贯穿所述通孔，所述金属导体片通过热熔工艺与所述固定介质固定连接。作为优选的技术方案，所述金属导体片呈长方体状。作为优选的技术方案，所述固定介质一侧面横向贯穿设有所述通孔。作为优选的技术方案，所述固定介质一侧面竖向贯穿设有所述通孔。作为优选的技术方案，所述固定介质为ABS塑料。如上所述，本技术一种一体化交叉耦合电容，具有以下有益效果：金属导体片通过热熔工艺与固定介质固定连接，装配工艺简单，固定介质为ABS塑料，成本低且安装容易限位，一致性好，设计合理，适于生产和推广应用。附图说明图1显示为
技术介绍
中公开的交叉耦合电容的结构示意图；图2显示为
技术介绍
中公开的交叉耦合电容的拆分图；图3显示为本技术实施例中公开的一种一体化交叉耦合电容的结构示意图；其中，附图标记具体说明如下：
技术介绍
中：1.固定介质；2.金属导体杆。实施例中：3.固定介质；4.金属导体片。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1-3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。请参阅图3，本技术提供一种一体化交叉耦合电容，包括：固定介质3和金属导体片4，固定介质3一侧面贯穿设有通孔，金属导体片4贯穿通孔，金属导体片4通过热熔工艺与固定介质3固定连接，通过热熔工艺的方式使金属导体片4与固定介质3合到一体，可靠性比较高。本实施例提供的一种一体化交叉耦合电容，金属导体片4呈长方体状，长方体状区别于传统的圆形哑铃结构，制造过程采用削切工艺即可实现，成本较低。本实施例提供的一种一体化交叉耦合电容，固定介质3一侧面横向贯穿设有通孔，即金属导体片4通过通孔横向贯穿固定介质3。本实施例提供的一种一体化交叉耦合电容，固定介质3一侧面竖向贯穿设有通孔，即金属导体片4通过通孔竖向贯穿固定介质3。本实施例提供的一种一体化交叉耦合电容，固定介质3为ABS塑料，相对于现有的聚四氟乙烯PTFE材料，成本较低且易于热熔成型，便于通过热熔工艺与金属导体片4固定连接。具体的说：固定介质3上贯穿设有通孔，金属导体片4通过通孔贯穿固定介质3，通孔位置的不同对应了金属导体片4位置的不同，金属导体片4通过热熔工艺与固定介质3固定连接。综上所述，本技术一种一体化交叉耦合电容，金属导体片4通过热熔工艺与固定介质3固定连接，装配工艺简单，固定介质3为ABS塑料，成本低且安装容易限位，一致性好，解决现有技术中材料成本高，装配工艺复杂，一致性差，稳定性差的问题，设计合理，适于生产和推广应用。所以，本技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本技术的原理及其功效，而非用于限制本技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本技术的权利要求所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一体化交叉耦合电容，其特征在于，包括：固定介质和金属导体片，所述固定介质一侧面贯穿设有通孔，所述金属导体片贯穿所述通孔，所述金属导体片通过热熔工艺与所述固定介质固定连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种一体化交叉耦合电容，其特征在于，包括：固定介质和金属导体片，所述固定介质一侧面贯穿设有通孔，所述金属导体片贯穿所述通孔，所述金属导体片通过热熔工艺与所述固定介质固定连接。


2.如权利要求1所述的一种一体化交叉耦合电容，其特征在于，所述金属导体片呈长方体状。


3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志勇，杨伟，朱冬林，
申请(专利权)人：苏州艾通华通讯有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32