一种电容制造技术

本发明专利技术公开了一种电容，包括多孔导电体A和多孔导电体B，在所述多孔导电体A的一侧敷设绝缘介质，在所述多孔导电体B的一侧敷设绝缘介质，所述多孔导电体A、所述绝缘介质和所述多孔导电体B依次对应设置。本发明专利技术所公开的所述电容具有结构简单、体积小、容量大等优点，当所述电容包括至少一个电化学区域时，所述电容还可用于发电及应用于相关功能需求的单元或系统。

【技术实现步骤摘要】
一种电容
本专利技术涉及电学领域，尤其涉及一种电容。
技术介绍
电容在电子工业中应用非常广泛，而且电容作为动力蓄电装置也在广泛应用，例如超级电容等，但是迄今为止的电容要么容量小，要么包括液体电解质，这些严重阻碍了电容(特别是动力电容)的更广泛的发展与应用。如果能够专利技术一种不需要液体电解质的容量大、体积小的电容将具有重要意义。因此，需要专利技术一种新型电容。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出的技术方案如下：方案1：一种电容，包括多孔导电体A和多孔导电体B，在所述多孔导电体A的一侧敷设绝缘介质，在所述多孔导电体B的一侧敷设绝缘介质，所述多孔导电体A、所述绝缘介质和所述多孔导电体B依次对应设置。方案2：在方案1的基础上，进一步选择性地选择使所述多孔导电体A和所述多孔导电体B中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。方案3：一种电容，包括多孔导电体A和多孔导电体B，在所述多孔导电体A的一侧渗孔敷设绝缘介质，在所述多孔导电体B的一侧渗孔敷设绝缘介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容，包括多孔导电体A(1)和多孔导电体B(2)，其特征在于：在所述多孔导电体A(1)的一侧敷设绝缘介质(3)，在所述多孔导电体B(2)的一侧敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电体A(1)、所述绝缘介质(3)和所述多孔导电体B(2)依次对应设置。/n

【技术特征摘要】
20181005 CN 20181116441761.一种电容，包括多孔导电体A(1)和多孔导电体B(2)，其特征在于：在所述多孔导电体A(1)的一侧敷设绝缘介质(3)，在所述多孔导电体B(2)的一侧敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电体A(1)、所述绝缘介质(3)和所述多孔导电体B(2)依次对应设置。


2.如权利要求1所述电容，其特征在于：所述多孔导电体A(1)和所述多孔导电体B(2)中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。


3.一种电容，包括多孔导电体A(1)和多孔导电体B(2)，其特征在于：在所述多孔导电体A(1)的一侧渗孔敷设绝缘介质(3)，在所述多孔导电体B(2)的一侧渗孔敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电体A(1)、所述绝缘介质(3)和所述多孔导电体B(2)依次对应设置。


4.如权利要求3所述电容，其特征在于：所述多孔导电体A(1)和所述多孔导电体B(2)中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。


5.如权利要求1至4中任一项所述电容，其特征在于：所述多孔导电体A(1)和/或所述多孔导电体B(2)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳北彪，
申请(专利权)人：熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11