一种薄膜晶体管和显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管和显示面板。薄膜晶体管包括衬底；位于衬底上层叠设置的半导体层、栅极绝缘层和栅极；半导体层包括接触设置的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层的载流子迁移率小于第一半导体层的载流子迁移率，半导体层包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；第一半导体层位于沟道区的部分与源极区之间设置有第一凹槽，和/或第一半导体层位于沟道区的部分与漏极区之间设置有第一凹槽；栅极绝缘层靠近栅极的表面对应第一凹槽的部分设有第二凹槽，第二凹槽内设有填充结构，构成填充结构的材料的介电常数大于栅极绝缘层的介电常数。本发明专利技术能够降低薄膜晶体管的漏电流及其阈值电压，提高薄膜晶体管的性能。

A thin film transistor and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管和显示面板
本专利技术实施例涉及晶体管技术，尤其涉及一种薄膜晶体管和显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示面板应用越来越广泛，所起到的作用也越来越大，显示面板的像素电路中包含多个薄膜晶体管，随着用户对显示面板显示效果的要求越来越高，相应地对薄膜晶体管的性能要求也越来越高。然而，现有的薄膜晶体管存在较大的漏电流，存在翘曲效应(Kinkeffect)，同时也导致显示面板存在flicker(闪烁)现象，显示面板的显示均一性较差，同时功耗也较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管和显示面板，以减小薄膜晶体管的漏电流。第一方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上层叠设置的半导体层、栅极绝缘层和栅极；所述半导体层包括接触设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率，所述半导体层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述第一半导体层；所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上层叠设置的半导体层、栅极绝缘层和栅极；/n所述半导体层包括接触设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率，所述半导体层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述第一半导体层；/n所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与所述源极区之间设置有第一凹槽，和/或所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与所述漏极区之间设置有第一凹槽；/n所述栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一凹槽及所述沟道区在所述衬底上的正投影，沿垂直于所述衬底的方向，所述栅极绝缘层...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上层叠设置的半导体层、栅极绝缘层和栅极；
所述半导体层包括接触设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率，所述半导体层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述第一半导体层；
所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与所述源极区之间设置有第一凹槽，和/或所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与所述漏极区之间设置有第一凹槽；
所述栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一凹槽及所述沟道区在所述衬底上的正投影，沿垂直于所述衬底的方向，所述栅极绝缘层靠近所述栅极的表面对应所述第一凹槽的部分设有第二凹槽，所述第二凹槽内设有填充结构，构成所述填充结构的材料的介电常数大于所述栅极绝缘层的介电常数。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层、所述第一半导体层及所述栅极绝缘层依次层叠于所述衬底上，所述第一凹槽内填充有所述栅极绝缘层材料。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述栅极绝缘层依次层叠于所述衬底上，所述第一凹槽内填充有所述第二半导体层材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王东平，胡诗犇，童晓阳，胡思明，韩珍珍，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32