半导体版图和半导体版图的布局方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体版图和半导体版图的布局方法。所述半导体版图包括：预定区域和填充区域；所述预定区域包括有源层，和/或，栅层；所述填充区域包括至少一个填充图形，所述填充图形包括填充有源层和填充栅层，所述填充图形的式样是根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成得到的。所述半导体版图的布局方法包括：获取预定区域的有源层和栅层的图形密度；根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成填充图形；在所述预定区域中的填充区域填充所述填充图形，生成所述半导体版图。本申请通过将填充图形整体填充在所述填充区域中，避免在填充图形过程中有源层和栅层之间的关系协调匹配的问题。

Semiconductor layout and layout method of semiconductor layout

【技术实现步骤摘要】
半导体版图和半导体版图的布局方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体版图和半导体版图的布局方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，半导体器件的集成度也随之不断提高。在半导体的制造过程中，化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是一种实现半导体器件表面平坦化的工艺，为了满足CMP工艺的要求，通常需要在半导体版图的空白区域(本申请中称为“填充区域”)插入填充图形。相关技术通常采用对单一层次的填充图形进行优化插入的方案，例如在半导体版图中插入有源层和栅层时，单次插入只会插入有源层图形或者栅层图形，且仅会考虑插入的有源层或栅层的填充密度是否达到其各自填充密度的要求，而对于层次间的关系并未考虑且难以协调匹配，进而形成了如图6所示的填充区域填充结构，即在半导体版图的填充区域中包括填充有源层310和填充栅层320，填充有源层310和填充栅层320属于半导体版图中的不同的图形层，且填充栅层320和填充有源层310之间形成重叠层330。然而，采用上述方案在处理在多个层次的图形插本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体版图，其特征在于，包括：/n预定区域和填充区域；/n所述预定区域包括有源层，和/或，栅层；/n所述填充区域包括至少一个填充图形，所述填充图形包括相间隔的填充有源层和填充栅层，所述填充图形的式样是根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成得到的。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体版图，其特征在于，包括：
预定区域和填充区域；
所述预定区域包括有源层，和/或，栅层；
所述填充区域包括至少一个填充图形，所述填充图形包括相间隔的填充有源层和填充栅层，所述填充图形的式样是根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成得到的。


2.根据权利要求1所述的半导体版图，其特征在于，所述填充图形有多个，相邻两个填充图形之间相间隔。


3.如权利要求2所述的半导体版图，其特征在于，所述填充图形的式样是根据所述填充有源层和填充栅层的图形密度查表得到的；
所述填充有源层和填充栅层的图形密度是根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度、所述预定区域的面积以及所述填充区域的面积，基于所述版图设计规则计算得到；
其中，所述填充图形的式样包括所述填充有源层和所述填充栅层的形状，和/或，所述填充有源层和所述填充栅层之间的间距。


4.根据权利要求3所述的半导体版图，其特征在于，所述填充有源层和填充栅层的图形密度通过以下公式计算得到：
Ax＝(S1*ΔA)/S2
Px＝(S1*ΔP)/S2
其中，AX为所述填充有源层的密度，PX为所述填充栅层的密度，S1为所述预定区域的面积，S2为所述填充区域的面积，ΔA为所述预定区域的有源层的图形密度和所述版图设计规则中规定的有源层的图形密度之间的差值，ΔP为所述预定区域的栅层的图形密度和所述版图设计规则中规定的栅层的图形密度之间的差值。


5.一种半导体版图的布局方法，其特征在于，包括：
获取预定区域的有源层和栅层的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦正，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31