一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括：衬底基板以及位于衬底基板一侧的第一遮光层；光感结构，位于第一遮光层背离衬底基板的一侧；第二遮光层，位于光感结构背离衬底基板的一侧；遮光结构，位于第一遮光层和第二遮光层之间；在垂直于衬底基板的方向上，遮光结构包围光感结构，且遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，第一遮光分部位于靠近第一遮光层的一侧，第一遮光分部和第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成。本发明专利技术提供的技术方案可以防止串扰光线进入光感结构，提高指纹识别精度，同时，遮光结构包括第一遮光分部和第二遮光分部，可以降低遮光结构的制备工艺难度。

Array base plate, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
目前，屏内指纹识别，即将指纹识别装置嵌入显示区内是当前显示领域研究的热点，将指纹识别装置从非显示区嵌入至显示区内有利于提高显示屏的屏占比。现有的指纹识别技术包括光学指纹识别技术、半导体硅指纹识别技术和超声波指纹识别技术。其中，光学指纹识别技术一般是采用光电二极管作为光感结构，其工作原理为：光经由触摸主体反射后形成的反射光照射在光电二极管上，使光电二极管产生光电流，由于指纹纹谷与纹脊的反射率存在差异，即纹谷位置反射的光和纹脊位置反射的光的强度不同，使得纹谷位置对应的光电二极管产生的光电流和纹脊位置对应的光电二极管产生的光电流不同，从而实现指纹识别。通常，阵列基板中包括多个光感结构，每个光感结构用于接收其正上方对应的指纹识别区域反射回的光线，若相邻指纹识别区域反射的串扰光线反射到光感结构上，会影响光感结构产生的光电流大小，进而影响指纹识别精度。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一遮光层；/n光感结构，位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；/n第二遮光层，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；/n遮光结构，位于所述第一遮光层和所述第二遮光层之间；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述遮光结构包围所述光感结构，且所述遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，所述第一遮光分部位于靠近所述第一遮光层的一侧，所述第一遮光分部和所述第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一遮光层；
光感结构，位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；
第二遮光层，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；
遮光结构，位于所述第一遮光层和所述第二遮光层之间；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述遮光结构包围所述光感结构，且所述遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，所述第一遮光分部位于靠近所述第一遮光层的一侧，所述第一遮光分部和所述第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅极层和源漏电极层；所述栅极层位于所述衬底基板和所述源漏电极层之间；所述源漏电极层位于所述第二遮光层靠近所述衬底基板的一侧；
多个驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述栅极层，所述源极和所述漏极位于所述源漏电极层；
所述第一遮光分部与所述栅极层或者所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光结构包括相邻设置的第一遮光分部和第二遮光分部；
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一遮光分部靠近所述第一遮光层一侧的表面与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第一遮光层的位置与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离，和/或，所述第二遮光分部靠近所述第二遮光层一侧的表面与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第二遮光层的位置与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层；
所述缓冲层位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；所述平坦化层位于所述源漏电极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述层间介质层位于所述平坦化层和所述栅极绝缘层之间；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧；或者，所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。


6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层和所述层间介质层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层、所述层间介质层以及所述栅极绝缘层，与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成。


7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；
所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。


8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层；
所述平坦化层位于所述源漏电极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述层间介质层位于所述平坦化层和所述栅极绝缘层之间；所述栅极绝缘层位于所述栅极层背离所述衬底基板的一侧；
所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；
所述栅极层中与光感结构正对的部分复用为第一遮光层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨栩，刘博智，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35