阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法技术

本揭示公开一种阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法，其将一虚拟色阻单元设置于一阵列基板的显示区的周边上，且将所述虚拟色阻单元设计成其一侧边或中心点与邻近信号线相距一预设距离。因此，仅需测量所述虚拟色阻单元的所述侧边或中心点与邻近信号线的距离，并比较所测量到的距离与所述预设距离，即可推估所述显示区内数个色阻单元的对准精度，而无需在所述阵列基板的非显示区内设置数个检测单元，从而能进一步减少非显示区的面积，以实现超窄边框的显示面板设计。

Array substrate and its manufacturing method and alignment accuracy detection method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
本揭示涉及薄膜晶体管液晶显示器(thin-filmtransistorliquid-crystaldisplay，TFT-LCD)
，特别是涉及一种COA(ColorFilterOnArray)阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法。
技术介绍
在现有技术中，为了检测COA阵列基板中色阻层的对准精度，一般会在COA阵列基板的非显示区设置数个检测单元来检测色阻层中各色阻单元的位置是否与预设位置相符。现今窄边框的液晶显示面板因具有高的屏占比而受到用户青睐，因此如何实现超窄边框设计成为企业研发的重点。然而，随着科技的发展，COA阵列基板在非显示区的走线设计愈来愈复杂，因此若仍欲在COA阵列基板的非显示区设置额外的检测单元，将会使得一显示面板的边框窄化受到限制。请参阅图1及图2。图1是现有技术中设有检测单元20的COA阵列基板10的示意图。图2是现有技术中检测单元20的示意图。在现有技术中，一般会在COA阵列基板10的非显示区14设置数个检测单元20，用以检测显示区12内一色阻层(未图示)的对准精度。典型的检测单元20包含一金属外框22及一设置在金属外框22内的色阻块24。所述色阻块24是与所述色阻层同时制成。所述金属外框22通常与栅极同时制成。通过测量色阻块24的每一侧边及与其邻近且平行的金属外框22的侧边的距离，并比较所测量到的距离与原设计的距离，来推估所述色阻层的对准精度。然而，在非显示区14设置额外的检测单元20，将会使得非显示区14的窄化受到限制。因此，有需要研发一种新的阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法来解决上述技术问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本揭示公开一种阵列基板的制造方法，其包含：提供一基板，其中所述基板包含一显示区及围绕所述显示区的一非显示区；形成数个薄膜晶体管及数个信号线于该基板的显示区上，其中每一薄膜晶体管包含一栅电极层、一绝缘层、一有源层及一源漏极层，所述数个信号线与所述数个薄膜晶体管的栅电极层以同材料同时制成且互相电连接；以及形成数个色阻单元于所述显示区内的所述数个薄膜晶体管及所述基板上，并同时以与所述数个色阻单元相同的材料形成一虚拟色阻单元于所述基板的显示区的周边上，其中所述虚拟色阻单元的一侧边或一中心点设计成与所述数个信号线中的一者相距一预设距离。本揭示还公开一种通过上述方法制造的阵列基板，其包含一基板、数个薄膜晶体管、数个信号线、数个色阻单元及一虚拟色阻单元。所述基板包含一显示区及围绕所述显示区的一非显示区。所述数个薄膜晶体管设置于该基板的显示区上。每一薄膜晶体管包含一栅电极层、一绝缘层、一有源层及一源漏极层。所述数个信号线设置于该基板的显示区上。所述数个信号线与所述数个薄膜晶体管的栅电极层同材料、同层且互相电连接。所述数个色阻单元设置于所述显示区内的薄膜晶体管及基板上。所述虚拟色阻单元设置于所述基板显示区的周边。所述虚拟色阻与所述数个色阻单元同材料且同层。所述虚拟色阻单元的一侧边或一中心点设计成与所述数个信号线中的一者相距一预设距离。本揭示还公开一种色阻层对准精度检测方法，其包含：提供通过上述方法所制造的阵列基板；测量所述虚拟色阻单元的所述侧边或所述中心点相对于被设置成与所述侧边或所述中心点相距所述预设距离的所述信号线的距离；及比较所测量到的距离与所述预设距离。在一实施例中，所述虚拟色阻单元被形成于所述基板的显示区的一边角或一侧边。在一实施例中，所述虚拟色阻单元被构形成三角形、四角形、六角形、八角形、圆形、L字型、T字型、十字形或其组合。在一实施例中，所述虚拟色阻单元被构形成四角形，每一侧边设计成与一邻近且互相平行的信号线相距所述预设距离。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中设有检测单元的COA阵列基板的示意图。图2是现有技术中检测单元的示意图。图3是本揭示实施例中设有虚拟色阻单元的COA阵列基板的示意图。图4是图3的X区域的放大图。图5是沿图3线B-B’的剖面图。图6至图10是以图5为例的本揭示实施例的阵列基板制造方法的流程示意图。具体实施方式请参阅图3至图10。图3是本揭示实施例中设有虚拟色阻单元130的COA阵列基板100的示意图。图4是图3的X区域的放大图。图5是沿图3线B-B’的剖面图。图6至图10是以图5为例的本揭示实施例的阵列基板制造方法的流程示意图。本揭示实施例提供了一种阵列基板的制造方法，其包含步骤S1-S3。步骤S1：提供一基板101，其中所述基板101包含一显示区110及围绕所述显示区110的一非显示区120。所述基板101可为一硬性基板，诸如玻璃基板，但不限于此。步骤S2：形成数个薄膜晶体管150及数个信号线140于该基板101的显示区110上，其中每一薄膜晶体管150包含一栅电极层151、一绝缘层152、一有源层153及一源漏极层154，所述数个信号线140与所述数个薄膜晶体管150的栅电极层151以同材料同时制成且互相电连接。步骤S3：形成数个色阻单元124于所述显示区110内的所述数个薄膜晶体管150及所述基板101上，并同时以与所述数个色阻单元相同的材料形成一虚拟色阻单元130于所述基板的显示区110的周边。所述虚拟色阻单元130的一侧边或一中心点设计成与所述数个信号线140中的一者相距一预设距离。所述数个色阻单元124可分别为红色、蓝色及绿色的光阻块。红色、蓝色及绿色的光阻块在显示区110内可为三角形配置、正方形配置、线形配置或马赛克形配置。所述数个色阻单元124可使用染色法、蚀刻法、印刷法、干膜法或电着法制成，但不限于此。所述虚拟色阻单元130可为红色、蓝色或绿色的光阻块。具体而言，所述虚拟色阻单元130与所述数个色阻单元124中的红色、蓝色或绿色的光阻块以同材料同时制成。在一实施例中，所述虚拟色阻单元130是设置于所述基板的显示区110的一边角或一侧边。在一实施例中，所述虚拟色阻单元130的数量可为二个，分别设置在显示区110的两斜对角、同一侧边的两边角、两相对侧边，或是相邻的两侧边上。在一实施例中，所述虚拟色阻单元130的数量可为四个，分别设置在显示区110的四个边角或四个侧边上。然而，所述虚拟色阻单元130的数量和设置位置不限于此。在一实施例中，所述虚拟色阻单元130可设计成三角形、四角形、六角形、八角形、圆形、L字型、T字型、十字形或其它适合的形状。较佳地，所述虚拟色阻单元130为一四角形且具有第一侧边131、第二侧边132、第三侧边133及第四侧边134。所述数个信号线140包含分别邻近且平行于第一侧边131、第二侧边132、第三侧边133及第四侧边134的第一信号线141、第二信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：其包含：/n提供一基板，其中所述基板包含一显示区及围绕所述显示区的一非显示区；/n形成数个薄膜晶体管及数个信号线于该基板的显示区上，其中每一薄膜晶体管包含一栅电极层、一绝缘层、一有源层及一源漏极层，所述数个信号线与所述数个薄膜晶体管的栅电极层以同材料同时制成且互相电连接；及/n形成数个色阻单元于所述显示区内的所述数个薄膜晶体管及所述基板上，并同时以与所述数个色阻单元相同的材料形成一虚拟色阻单元于所述基板的显示区的周边上，其中所述虚拟色阻单元的一侧边或一中心点设计成与所述数个信号线中的一者相距一预设距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：其包含：
提供一基板，其中所述基板包含一显示区及围绕所述显示区的一非显示区；
形成数个薄膜晶体管及数个信号线于该基板的显示区上，其中每一薄膜晶体管包含一栅电极层、一绝缘层、一有源层及一源漏极层，所述数个信号线与所述数个薄膜晶体管的栅电极层以同材料同时制成且互相电连接；及
形成数个色阻单元于所述显示区内的所述数个薄膜晶体管及所述基板上，并同时以与所述数个色阻单元相同的材料形成一虚拟色阻单元于所述基板的显示区的周边上，其中所述虚拟色阻单元的一侧边或一中心点设计成与所述数个信号线中的一者相距一预设距离。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述虚拟色阻单元被形成于所述基板的显示区的一边角或一侧边。


3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述虚拟色阻单元被构形成三角形、四角形、六角形、八角形、圆形、L字型、T字型、十字形或其组合。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述虚拟色阻单元被构形成四角形，每一侧边设计成与一邻近且互相平行的信号线相距所述预设距离。


5.一种阵列基板，其特征在于：其包含：
一基板，包含一显示区及围绕所述显示区的一非显示区；
数个薄膜晶体管，设置于该基板的显示区上，其中每一薄膜晶体管包含一栅电极层、一绝缘层、一有源层及一源...

【专利技术属性】
技术研发人员：游景文，黄俊灵，黄费慧，江华，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44