一种带有钳位保护的双隔离驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带有钳位保护的双隔离驱动电路，包括驱动芯片，驱动芯片通过一个次级电感来驱动第一初级电感和第二初级电感，第一初级电感连接第一隔离驱动电路，第一隔离驱动电路包括三极管，电阻、钳位二极管、稳压管、滤波电感、MOS管，第二初级电感连接第二隔离驱动电路，第二隔离驱动电路包括三极管、电阻、钳位二极管、稳压管、滤波电感、MOS管。采用一个次级电感的来驱动两路信号，平衡性好，抗干扰能力强，稳定可靠；具有多种保护功能，抗干扰能力强，可防止因输出MOS管的问题对驱动芯片造成损害，同时可通过滤波电感滤波，电路更稳定。

A double isolation drive circuit with clamp protection

【技术实现步骤摘要】
一种带有钳位保护的双隔离驱动电路
本技术涉及隔离驱动电路
，具体来说，涉及一种带有钳位保护的双隔离驱动电路。
技术介绍
以往的双隔离驱动电路都需要两个驱动电感（即次级电感），那样不但稳定性不好，而且会造成驱动信号不平衡，此外，现有的双隔离驱动电路没有保护功能，抗干扰能力弱，容易对驱动芯片造成损害，同时驱动芯片的输出损耗大，驱动能力弱。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种带有钳位保护的双隔离驱动电路，通过一个次级电感驱动两路信号，且具有钳位保护功能，抗干扰能力强。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种带有钳位保护的双隔离驱动电路，包括驱动芯片、第一初级电感和第二初级电感，所述驱动芯片的引脚HVG与引脚LVG之间连接有次级电感L3，所述第一初级电感和所述第二初级电感均与所述次级电感L3相对应，所述第一初级电感连接有第一隔离驱动电路，所述第一隔离驱动电路包括三极管Q1，所述第一初级电感的一端分别连接电阻R3的一端以及电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接二极管D1的正极，所述电阻R4的另一端分别连接钳位二极管D2的正极以及钳位二极管D3的负极，所述二极管D1的负极与所述钳位二极管D2的负极均连接所述三极管Q1的发射极，所述二极管D1的负极还分别连接电阻R5的一端、稳压管Z1的负极以及滤波电感L1的一端，所述滤波电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述三极管Q1的基极连接在所述电阻R4与所述钳位二极管D3之间的节点上，所述第一初级电感的另一端分别连接所述钳位二极管D3的正极、所述三极管Q1的集电极、所述电阻R5的另一端、所述稳压管Z1的正极以及所述MOS管M1的源极，所述MOS管M1的源极还连接MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述第二初级电感连接有第二隔离驱动电路，所述第二隔离驱动电路包括三极管Q2，所述第二初级电感的一端接地，所述第二初级电感的另一端分别连接电阻R6的一端以及电阻R7的一端，所述电阻R6的另一端连接二极管D4的正极，所述电阻R7的另一端分别连接钳位二极管D5的正极以及钳位二极管D6的负极，所述二极管D4的负极与所述钳位二极管D5的负极均连接所述三极管Q2的发射极，所述二极管D4的负极还分别连接电阻R8的一端、稳压管Z2的负极以及滤波电感L2的一端，所述滤波电感L2的另一端连接所述MOS管M2的栅极，所述三极管Q2的基极连接在所述电阻R7与所述钳位二极管D6之间的节点上，所述钳位二极管D6的正极、所述三极管Q2的集电极、所述电阻R8的另一端、所述稳压管Z2的正极以及所述MOS管M2的源极均接地。进一步地，所述驱动芯片的引脚HVG经电阻R1后连接所述次级电感L3的一端，所述驱动芯片的引脚LVG经电阻R2后连接所述次级电感L3的另一端。进一步地，所述驱动芯片的型号为L6599。本技术的有益效果：采用一个次级电感的来驱动两路信号，平衡性好，抗干扰能力强，稳定可靠；具有多种保护功能，抗干扰能力强，可防止因输出MOS管的问题对驱动芯片造成损害，同时可通过滤波电感滤波，电路更稳定。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例所述的带有钳位保护的双隔离驱动电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，根据本技术实施例所述的一种带有钳位保护的双隔离驱动电路，包括驱动芯片、第一初级电感和第二初级电感，所述驱动芯片的引脚HVG与引脚LVG之间连接有次级电感L3，所述第一初级电感和所述第二初级电感均与所述次级电感L3相对应，所述第一初级电感连接有第一隔离驱动电路，所述第一隔离驱动电路包括三极管Q1，所述第一初级电感的一端分别连接电阻R3的一端以及电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接二极管D1的正极，所述电阻R4的另一端分别连接钳位二极管D2的正极以及钳位二极管D3的负极，所述二极管D1的负极与所述钳位二极管D2的负极均连接所述三极管Q1的发射极，所述二极管D1的负极还分别连接电阻R5的一端、稳压管Z1的负极以及滤波电感L1的一端，所述滤波电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述三极管Q1的基极连接在所述电阻R4与所述钳位二极管D3之间的节点上，所述第一初级电感的另一端分别连接所述钳位二极管D3的正极、所述三极管Q1的集电极、所述电阻R5的另一端、所述稳压管Z1的正极以及所述MOS管M1的源极，所述MOS管M1的源极还连接MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述第二初级电感连接有第二隔离驱动电路，所述第二隔离驱动电路包括三极管Q2，所述第二初级电感的一端接地，所述第二初级电感的另一端分别连接电阻R6的一端以及电阻R7的一端，所述电阻R6的另一端连接二极管D4的正极，所述电阻R7的另一端分别连接钳位二极管D5的正极以及钳位二极管D6的负极，所述二极管D4的负极与所述钳位二极管D5的负极均连接所述三极管Q2的发射极，所述二极管D4的负极还分别连接电阻R8的一端、稳压管Z2的负极以及滤波电感L2的一端，所述滤波电感L2的另一端连接所述MOS管M2的栅极，所述三极管Q2的基极连接在所述电阻R7与所述钳位二极管D6之间的节点上，所述钳位二极管D6的正极、所述三极管Q2的集电极、所述电阻R8的另一端、所述稳压管Z2的正极以及所述MOS管M2的源极均接地。在本技术的一个具体实施例中，所述驱动芯片的引脚HVG经电阻R1后连接所述次级电感L3的一端，所述驱动芯片的引脚LVG经电阻R2后连接所述次级电感L3的另一端。在本技术的一个具体实施例中，所述驱动芯片的型号为L6599。为了方便理解本技术的上述技术方案，以下通过具体使用方式对本技术的上述技术方案进行详细说明。驱动芯片（型号为L6599）用于提供驱动信号，其引脚HVG为驱动高端，引脚LVG为驱动低端，电阻R1、电阻R2为驱动电阻，通过次级电感L3进行自激驱动，驱动芯片的引脚HVG开、引脚LVG关，驱动芯片的引脚HVG关，引脚LVG开，形成电路回路。驱动芯片通过次级电感L3、第一初级电感来驱动第一隔离驱动电路，电阻R3、电阻R4、二极管D1、三极管Q1组成标准的PNP驱动电路，PNP驱动电路把耦合过来的驱动信号进行控制。PNP驱动电路中新增有钳位二极管D2、D3构成的保护电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有钳位保护的双隔离驱动电路，包括驱动芯片、第一初级电感和第二初级电感，所述驱动芯片的引脚HVG与引脚LVG之间连接有次级电感L3，其特征在于，所述第一初级电感和所述第二初级电感均与所述次级电感L3相对应，所述第一初级电感连接有第一隔离驱动电路，所述第一隔离驱动电路包括三极管Q1，所述第一初级电感的一端分别连接电阻R3的一端以及电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接二极管D1的正极，所述电阻R4的另一端分别连接钳位二极管D2的正极以及钳位二极管D3的负极，所述二极管D1的负极与所述钳位二极管D2的负极均连接所述三极管Q1的发射极，所述二极管D1的负极还分别连接电阻R5的一端、稳压管Z1的负极以及滤波电感L1的一端，所述滤波电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述三极管Q1的基极连接在所述电阻R4与所述钳位二极管D3之间的节点上，所述第一初级电感的另一端分别连接所述钳位二极管D3的正极、所述三极管Q1的集电极、所述电阻R5的另一端、所述稳压管Z1的正极以及所述MOS管M1的源极，所述MOS管M1的源极还连接MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述第二初级电感连接有第二隔离驱动电路，所述第二隔离驱动电路包括三极管Q2，所述第二初级电感的一端接地，所述第二初级电感的另一端分别连接电阻R6的一端以及电阻R7的一端，所述电阻R6的另一端连接二极管D4的正极，所述电阻R7的另一端分别连接钳位二极管D5的正极以及钳位二极管D6的负极，所述二极管D4的负极与所述钳位二极管D5的负极均连接所述三极管Q2的发射极，所述二极管D4的负极还分别连接电阻R8的一端、稳压管Z2的负极以及滤波电感L2的一端，所述滤波电感L2的另一端连接所述MOS管M2的栅极，所述三极管Q2的基极连接在所述电阻R7与所述钳位二极管D6之间的节点上，所述钳位二极管D6的正极、所述三极管Q2的集电极、所述电阻R8的另一端、所述稳压管Z2的正极以及所述MOS管M2的源极均接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种带有钳位保护的双隔离驱动电路，包括驱动芯片、第一初级电感和第二初级电感，所述驱动芯片的引脚HVG与引脚LVG之间连接有次级电感L3，其特征在于，所述第一初级电感和所述第二初级电感均与所述次级电感L3相对应，所述第一初级电感连接有第一隔离驱动电路，所述第一隔离驱动电路包括三极管Q1，所述第一初级电感的一端分别连接电阻R3的一端以及电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接二极管D1的正极，所述电阻R4的另一端分别连接钳位二极管D2的正极以及钳位二极管D3的负极，所述二极管D1的负极与所述钳位二极管D2的负极均连接所述三极管Q1的发射极，所述二极管D1的负极还分别连接电阻R5的一端、稳压管Z1的负极以及滤波电感L1的一端，所述滤波电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述三极管Q1的基极连接在所述电阻R4与所述钳位二极管D3之间的节点上，所述第一初级电感的另一端分别连接所述钳位二极管D3的正极、所述三极管Q1的集电极、所述电阻R5的另一端、所述稳压管Z1的正极以及所述MOS管M1的源极，所述MOS管M1的源极还连接MOS管M2的漏极，所述MOS管M1的漏极连接400V的直流电，所述第二初级电感连接有...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，鄂凌松，
申请(专利权)人：北京金晟达生物电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11