【技术实现步骤摘要】
磁场中的推进器、磁场中的制动和/或发电装置
本专利技术涉及推进器
或航空器或飞行器的领域，特别是利用地球磁场或者宇宙空间磁场或星际空间磁场等空间的磁场中产生推进力的推进器，以及磁场中的制动和/或发电装置。
技术介绍
由于地磁场或星际空间的磁场强度很小，现有技术中的利用地磁场或星际空间磁场来产生推进力的推进器都难以产生较大的推进力，导致无法充分的利用地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场来实现推进，在应用上受到了很大的限制，有待于做出全新的设计。因此，如何克服现有推进器存在的不足，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种磁场中的推进器。该推进器通过聚集放大地磁场或者宇宙空间磁场等外部磁场，在外部磁场被放大或增强处放置导体，导体通电后与地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场等磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力来产生推进作用力，能够充分利用地磁场或者宇宙空间磁场进行推进，可以获得更大的推进力，从而满足实际使用要求。为实现上述第一目的，本专利技术提供一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，外部磁场通路包括增强通路，导体设于增强通路。可选地，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，增强通路为收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路。
【技术保护点】
1.一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，所述外部磁场通路包括增强通路，所述导体设于所述增强通路 。/n
【技术特征摘要】
20180403 CN 2018102915234;20181207 CN 2018114971861.一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，所述外部磁场通路包括增强通路，所述导体设于所述增强通路。
2.根据权利要求1所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，所述收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，所述收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，所述增强通路为所述收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路。
3.根据权利要求1或2所述的推进器，其特征在于，所述收口通路位于所述外部磁场通路的一端或两端。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的推进器，其特征在于，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的本体材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的推进器，其特征在于，所述收口通路位于外部磁场通路的两端，两端的收口通路之间断开并间隔一定距离，增强通路位于两端断开的收口通路之间。
8.根据权利要求1-7中任一项中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成所述收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路；
或者，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者的间距向中间直接变小，形成所述收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路；
或者，所述磁场聚集部件包括上引导件或下引导件，所述上引导件或下引导件向一侧凸出，凸出的一侧形成收口通路和增强通路。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的推进器，其特征在于，所述上引导件和/或下引导件通有电流；和/或，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流方向与导体通电后的的产生正向推动力的导线部分的电流方向相同；和/或，所述导体通电后的电流使得上引导件和下引导件上产生的电流的大小之和，等于上引导件通入的电流大小与下引导件通入的电流大小之和；和/或，所述磁场聚集部件本体的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种；和/或，所述导体为若干条直导线；和/或，还包括能够通电的抵消导体；和/或，所述磁场聚集部件设置有能够通电的抵消导体；和/或，所述抵消导体为若干条能够通电的直导线；和/或，所述抵消导体设置在上引导件和/或下引导件的与导体对应的另一侧；和/或，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流或者所述抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，所述导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；和/或，所述抵消导体与导体的产生正向推动力的导线部分位于上引导件和/或下引导件的上下两侧对称设置，或者抵消导体和导体的产生正向推动力的导线部分由上引导件和/或下引导件间隔，互相位于镜像位置；和/或，所述抵消导体的电流方向与导体的产生正向推动力的导线部分的的电流方向相同；和/或，所述抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件在靠近导体的一侧的面上产生的电流方向与导体的产生正向推动力的导线部分的的电流方向相同；和/或，所述上引导件的上方和/或下引导件的下方设置有抵消导体；和/或，所述导体的电流引起上引导件和下引导件上电流的大小，等于上引导件的上方的抵消导体在上引导件上引起的电流大小和下引导件的下方的抵消导体在下引导件上引起的电流大小之和；和/或，所述导体的电流大小等于上引导件的上方的抵消导体的电流大小和下引导件的下方的抵消导体的电流大小之和；和/或，所述上引导件的上方的抵消导体的电流大小为导体电流大小的二分之一，下引导件下方的抵消导体的电流大小为导体电流大小的二分之一；和/或，所述上引导件包括上汇聚引导件和上延长引导件，上汇聚引导件与上延长引导件相互断开，和/或，所述下引导件包括下汇聚引导件和下延长引导件，下汇聚引导件与下延长引导件相互断开；和/或，所述上引导件和/或下引导件为磁铁或永磁铁或能够通电的线圈；和/或，磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件，所述上引导件和/或下引导件具有的引导磁力线够使外部磁场的磁力线改变方向后增强，形成增强通路；和/或，所述磁场聚集部件还包括后延通路上引导件和/或后延通路下引导件，以延长被汇聚增强后的外部磁场的磁力线；后延通路上引导件或后延通路下引导件的一侧形成后延通路，或后延通路上引导件和后延通路下引导件两者之间形成后延通路；和/或，所述后延通路上引导件和/或后延通路下引导件本体的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述磁场聚集部件在左右方向的一端或两端设置有上引导件和/或下引导件；和/或，所述上引导件和/或下引导件设置在后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的左右方向的两端或一端；和/或，所述上引导件和/或下引导件与后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的位置关系设置成：使得所述引导磁力线难以进入通过所述后延通路或使得仅有少量所述引导磁力线进入通过所述后延通路；和/或，延长所述后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的长度，以使所述引导磁力线难以进入通过所述后延通路或使得仅有少量所述引导磁力线进入通过所述后延通路；和/或，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体或者本体具有的磁场能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强；和/或，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路；和/或，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路；和/或，所述磁场聚集部件包括单侧引导件，所述单侧引导件凸出的一侧形成收口通路和增强通路，外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强；和/或，所述上引导件和下引导件的另一端或中部相互平行；所述上引导件和下引导件上下对称或非对称分布，上引导件和下引导件其一端或两端上下方向的距离呈弧形的逐渐变小或者其一端或两端上下方向的距离呈直角平面形状的直接变小；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件；所述上引导件和/或所述下引导件的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或排斥或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述增强通路弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段；和/或，所述导体为线圈，所述线圈的第一部分位于所述增强通路，所述线圈的第二部分位于所述增强通路的外部，所述线圈的第一部分和第二部分的电流方向相反；和/或，所述导体为线圈，所述线圈的第二部分位于收口通路的上端的下方或位于上引导件的上端的下方；和/或，所述导体具有相平行的第一导线段和第二导线段以及连接所述第一导线段和第二导线段的过渡导线段，所述第一导线段位于所述增强通路，所述第二导线段由所述过渡导线段引至所述收口通路的端口外侧；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和下引导件上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成所述收口通路；所述收口通路变狭窄的区域形成所述增强通路；和/或，所述导体为设于所述增强通路的直线形导体；和/或，所述磁场聚集部件为螺旋形线圈，所述螺旋形线圈每一端均向所述螺旋形线圈的中部逐渐或直接收拢，形成所述收口通路，或者，所述螺旋形线圈自一端向所述螺旋形线圈的另一端逐渐或直接收拢，形成所述收口通路；所述螺旋形线圈通电后形成引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述磁场聚集部件的螺旋形线圈的单圈呈四边形或椭圆形；和/或，所述磁场聚集部件包括上螺旋线圈和下螺旋线圈，所述上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距仅自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路，所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈的另一端之间，形成所述增强通路；或者，
所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路，所述上螺旋形线圈和所述下螺旋形线圈的中部之间保持变小后的间距，形成所述增强通路；
所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈通电后形成引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述上螺旋线圈和下螺旋线圈上下对称或非对称分布，两者的单圈分别呈四边形或椭圆形；和/或，所述导体包括螺旋形线圈和磁场屏蔽套，所述螺旋形线圈具有若干下平行段和上平行段，所述导体的螺旋形线圈通电后，所述下平行段与上平行段的电流方向相反，其中，所述下平行段或上平行段设有所述磁场屏蔽套；和/或，所述导体的螺...
【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，
申请(专利权)人：深圳市丹明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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