【技术实现步骤摘要】
一种非易失存储器处理方法及装置
本专利技术涉及存储器处理
，特别是涉及一种非易失存储器处理方法及装置。
技术介绍
随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NANDFlashMemory)为例，NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，可以实现多次编程，容量大，读写简单，外围器件少，价格低廉。现有技术中，对NAND闪存进行编程操作时，通常以page为单位，每个page中有多个存储单元，同一page上的各存储单元共用一条WL(Wordline，字线)，编程时在选中page的WL施加编程电压，使得该WL对应的存储单元具备编程条件。然而，专利技术人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：在对NAND闪存进行编程操作的过程中，经常存在有的存储单元较快实现编程，有的存储单元经过一段时间才能实现编程，导致非易失存储器的性能不稳定。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例的一种非易失存储器处...
【技术保护点】
1.一种非易失存储器处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n在对非易失存储器进行编程时，选中目标字线；/n以所述目标字线的初始电压为起始电压，根据预设的电压跳变时长和预设的电压跳变差值对所述目标字线施加依次增加的跳变电压，直到施加在所述目标字线上的电压达到编程电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种非易失存储器处理方法，其特征在于，所述方法包括：
在对非易失存储器进行编程时，选中目标字线；
以所述目标字线的初始电压为起始电压，根据预设的电压跳变时长和预设的电压跳变差值对所述目标字线施加依次增加的跳变电压，直到施加在所述目标字线上的电压达到编程电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标字线的初始电压为所述目标字线的连通电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述非易失存储器中未选中的字线施加连通电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将需要编程的第一位线BL接地；
将不需要编程的第二位线BL施加预设电压。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述方法应用于多plane非易失存储器。
6.一种非易失存储器处理装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱长峰，舒清明，
申请(专利权)人：合肥格易集成电路有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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