【技术实现步骤摘要】
一种控制编程噪声的方法和装置
本专利技术涉及存储领域，尤其涉及一种控制编程噪声的方法和装置。
技术介绍
NandFlash存储器是一种非易失存储器，其存储容量较大，市面常见的有1Gb/2Gb/4Gb/16Gb/32Gb等。NandFlash按照page(页)容量来进行读、写存储阵列单元，常见的Page容量有1KB/2KB/4KB/16KB等。当用户所需写入数据的大小小于page容量时，就需要对一个Page分段多次编程才能填满整个page，例如：假设用户第一次写入数据的大小为2KB，但是用户使用的NandFlash的page容量是4KB，因此，第一次将这2KB的数据写入NandFlash的page0(假设page0为NandFlash的第一页)，之后，用户第二次写入数据的大小为4KB，根据NandFlash的特性，这4KB的数据中有2KB会写入page0，而剩下的2KB会写入page1。但多次对同一个page进行编程将会引入较大的编程噪声使得“1”存储单元(cell)的阈值变高，进而影响NandFlash的读取精度，另...
【技术保护点】
1.一种控制编程噪声的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：寄存器和存储单元，所述寄存器为临时存储所需编程数据的器件，所述方法包括：/n在所需编程的数据已经存储在所述寄存器中，预备写入所述存储单元的情况下：/n对所述Nand flash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得存储链与其所处的位线之间的选通管导通；/n在存储链与其所处的位线之间的选通管导通的情况下，对所述Nand flash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压；/n其中，通过施加所述第二预设电压，使得所述Nand flash存...
【技术特征摘要】
1.一种控制编程噪声的方法，其特征在于，所述方法应用于Nandflash存储器，所述Nandflash存储器包括：寄存器和存储单元，所述寄存器为临时存储所需编程数据的器件，所述方法包括：
在所需编程的数据已经存储在所述寄存器中，预备写入所述存储单元的情况下：
对所述Nandflash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得存储链与其所处的位线之间的选通管导通；
在存储链与其所处的位线之间的选通管导通的情况下，对所述Nandflash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压；
其中，通过施加所述第二预设电压，使得所述Nandflash存储器中存储链的沟道电压从0变为第一初始电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述Nandflash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压之后，所述方法还包括：
接收编程指令，对所述Nandflash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加选通工作电压；
对所述不需要编程的存储链所处的位线施加电源电压，其中，通过施加的选通工作电压和电源电压，使得不需要编程的存储链与其所处的位线之间的选通管关断；
在所述不需要编程的存储链与其所处的位线之间的选通管关断的情况下，对所述不需要编程的存储链所处的字线施加导通电压，所述导通电压和所述第一初始电压共同作用，使得所述不需要编程的存储链的沟道电压变为第一高沟道电压，进而降低所述不需要编程的存储单元的浮栅与沟道之间的电压差。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一高沟道电压为所述第一初始电压与第一原始电压之和，所述第一原始电压为未对所述不需要编程的存储链所处的位线施加所述第二预设电压，且所述不需要编程的存储链与其所处的位线之间的选通管关断的情况下，直接对所述不需要编程的存储链所处的位线施加电源电压，且对所述不需要编程的存储链所处的字线施加所述导通电压时，所述不需要编程的存储链的沟道电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
接收使能信号，所述使能信号用于开启或者关闭对所述Nandflash存储器中存储链所处的字线施加第三预设电压的功能，所述第三预设电压用于提高所述Nandflash存储器中存储链的沟道电压；
在所述使能信号为高电平的情况下，对所述Nandflash存储器中存储链所处的字线施加第三预设电压；
其中，在既施加所述第二预设电压且施加所述第三预设电压的情况下，所述第二预设电压和所述第三预设电压共同作用，使得所述不需要编程的存储链的沟道电压从0变为第二初始电压，所述第二初始电压由所述第三预设电压和所述Nandflash存储器中存储单元的阈值电压的绝对值之和，与所述Nandflash存储器中存储单元的阈值电压的绝对值之间的大小决定。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在对所述Nandflash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压之后，所述方法还包括：
接收编程指令，对所述Nandflash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加所述选通工作电压；
对所述不需要编程的存储链所处的位线施加电源电压，其中，通过施加的选通工作电压和电源电压，使得所述不需要编程的存储链与其所处位线之间的选通管关断；
在所述不需要编程的存储链与其所处位线之间的选通管关断的情况下，对所述不需要编程的存储链所处的字线施加导通电压，所述导通电压和所述第二初始电压共同作用，使得所述不需要编程的存储链的沟道电压变为第二高沟道电压，进而降低所述不需要编程的存储单元的浮栅与沟道之间的电压差。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二高沟道电压为所述第二初始电压与第二原始电压之和，所述第二原始电压为未对所述不需要编程的存储链所处的位线施加所述第二预设...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琪，
申请(专利权)人：合肥格易集成电路有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，上海格易电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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