高频模块以及通信装置制造方法及图纸

高频模块(100)具备：多层基板(110)，其包括多个绝缘体层和至少一个接地导体层(113)；发送电路(120)和天线电路(130)，该发送电路是第一电路，设置于多层基板(110)的第一区域，该天线电路是第二电路，设置于与第一区域不同的第二区域；屏蔽导体膜(151～156)，其设置于多层基板(110)的侧面，与接地导体层(113)局部接触，在多层基板(110)的侧面的与第一区域及第二区域这两方最接近的部分处，接地导体层(113)未与屏蔽导体膜(151～156)接触。

High frequency module and communication device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频模块以及通信装置
本专利技术涉及一种高频模块以及通信装置。
技术介绍
以往，存在一种高频模块，该高频模块具备：多个电子元件，其安装在印刷基板的上表面；树脂部，其覆盖多个电子元件；屏蔽金属膜，其形成在至少印刷基板的侧面的一部分和树脂部的表面上；接地图案，其在印刷基板的侧面与屏蔽金属膜连接(例如，专利文献1)。屏蔽金属膜抑制高频噪声向外部的泄漏和进入高频模块内。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-187779号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，有时屏蔽导体膜在高频模块内(具体地说，在设置于高频模块内的多个电路之间)形成非意图的信号路径，使得高频模块的电路特性劣化。因此，本专利技术的目的在于提供一种在高频噪声的抑制和电路特性这两方面都优良的高频模块。用于解决问题的方案为了达到上述目的，本专利技术的一个方式所涉及的高频模块具备：多层基板，其包括多个绝缘层和至少一个接地导体层；第一电路，其设置于所述多层基板的第一区域；第二电路，其设置于所述多层基板中的作为与所述第一区域不同的区域的第二区域；屏蔽导体膜，其设置于所述多层基板的侧面，与所述接地导体层局部接触，其中，在所述多层基板的侧面的与所述第一区域及所述第二区域这两方最接近的部分处，所述接地导体层未与所述屏蔽导体膜接触。已知在高频模块的内部，非意图的信号路径容易形成在接地导体层与屏蔽导体膜接触的部位。因此，通过上述结构，通过在多层基板的侧面的与第一区域及第二区域这两方最接近的部分处不使接地导体层与屏蔽导体膜接触，从而调节接地的强度、即阻抗，抑制在第一电路与第二电路之间形成非意图的信号路径。由此，能够得到抑制由于非意图的信号传输产生的电路特性的劣化、电路特性优良的高频模块。另外，也可以是，所述第一电路是发送电路，所述第二电路是天线电路。当在发送电路与天线电路之间存在非意图的信号传输时，例如，有以下的担心：进行滤波处理之前的包括谐波的发送信号从发送电路直接传输到天线电路，寄生(spurious)特性劣化。在这方面，根据上述结构，由于能够抑制发送电路与天线电路之间的非意图的信号传输，所以能够抑制诸如寄生特性等电路特性的劣化。另外，也可以是，所述第一电路是发送电路，所述第二电路是接收电路。当在发送电路与接收电路之间存在非意图的信号传输时，例如，有以下的担心：发送信号从发送电路传输到接收电路，隔离(isolation)特性劣化。在这方面，根据上述结构，由于能够抑制发送电路与接收电路之间的非意图的信号传输，因此能够抑制诸如隔离特性等电路特性的劣化。另外，也可以是，所述发送电路包括发送滤波器，所述接收电路包括接收滤波器，所述发送滤波器和所述接收滤波器内置于单个双工器部件，所述部分是所述双工器部件最接近的、所述多层基板的侧面的一部分，所述部分的长度比所述双工器部件的与所述部分相向的边的长度长。根据这种结构，由于能够沿着双工器部件的整个长度使得接地导体层不与屏蔽导体膜接触，因此能够更有效地抑制在双工器部件所包括的发送电路与接收电路之间的非意图的信号传输，能够抑制电路特性的劣化。另外，所述屏蔽导体膜也可以未形成于所述多层基板的所述侧面的所述部分。根据该结构，不仅可以抑制通过接地导体层产生的非意图的信号传输，还可以抑制通过屏蔽导体膜产生的非意图的信号传输，因此能够更有效地抑制电路特性的劣化。根据本专利技术的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块以及与所述高频模块连接的RF信号处理电路。根据该结构，基于上述高频模块的效果，可以得到电路特性优良的通信装置。专利技术的效果根据本专利技术所涉及的高频模块和通信装置，可以获得在抑制高频噪声和电路特性这两方都优良的高频模块以及使用这种高频模块的通信装置。附图说明图1是表示实施方式所涉及的高频模块的结构的一例的俯视图。图2是表示实施方式所涉及的高频模块的结构的一例的截面图。图3是表示实施方式所涉及的高频模块的结构的一例的截面图。图4是表示实施方式所涉及的高频模块的结构的一例的立体图。图5是表示实施方式所涉及的高频模块的结构的一例的立体图。图6是说明实施方式所涉及的高频模块的效果的一例的俯视图。图7是说明实施方式所涉及的高频模块的效果的一例的俯视图。图8是表示实施方式所涉及的通信装置的功能性结构的一例的框图。具体实施方式以下，使用附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式都是表示包括或具体的示例。以下实施例中所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一例，并不意图限制本专利技术。在以下实施方式中的结构要素中，对于独立权利要求中未记载的结构要素作为任意的结构要素进行说明。另外，附图中所示的结构要素的尺寸或尺寸的比例并不一定严格。(实施方式1)图1是表示实施方式1所涉及的高频模块的结构的一例的俯视图。图2和图3是表示实施方式1所涉及的高频模块的结构的一例的截面图。图2对应沿箭头方向观察图1的II-II线的截面，图3对应沿箭头方向观察图1的III-III线的截面。如图1～图3所示，高频模块100在多层基板110上搭载功率放大器121、双工器131以及低噪声放大器141，并且具有用于输入/输出天线信号的连接端子134。功率放大器121与双工器131通过布线图案123相连接。双工器131与连接端子134通过布线图案133相连接。将与连接端子134连接的双工器131的端子称为天线端子132。低噪声放大器141与双工器131通过布线图案143相连接。功率放大器121是使用半导体元件构成的，将经由未图示的信号端子获取到的发送频带的发送RF信号Tx放大，并将放大后的发送RF信号Tx提供给双工器131。双工器131是内置有发送滤波器122和接收滤波器142的复合部件。发送滤波器122去除包含在由功率放大器121放大后的发送RF信号Tx中的谐波分量，并将去除了谐波分量的发送RF信号Tx提供给天线电路。接收滤波器142分离从天线电路提供的信号中包含的接收频带的信号分量，并将分离出的信号分量作为接收RF信号Rx提供给低噪声放大器141。低噪声放大器141是使用半导体元件构成的，将从双工器131提供的接收RF信号Rx放大，并经由未图示的信号端子将放大后的接收RF信号Rx提供给外部的电路。功率放大器121、双工器131以及低噪声放大器141也可以由彼此独立的单个芯片部件构成。包括功率放大器121、发送滤波器122以及布线图案123的电路是发送电路的一例，发送电路形成于区域120。另外，包括双工器131的天线端子132、布线图案133以及连接端子134的电路是天线电路的一例，天线电路形成于区域130。另外，包括低噪声放大器141、接收滤波器142以及布线图案143的电路是接收电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频模块，具备：/n多层基板，其包括多个绝缘体层和至少一个接地导体层；/n第一电路，其设置于所述多层基板的第一区域；/n第二电路，其设置于所述多层基板中的作为与所述第一区域不同的区域的第二区域；/n屏蔽导体膜，其设置于所述多层基板的侧面，与所述接地导体层局部接触，/n其中，在所述多层基板的侧面中的与所述第一区域及所述第二区域这两方最接近的部分处，所述接地导体层未与所述屏蔽导体膜接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170602 JP 2017-1103661.一种高频模块，具备：
多层基板，其包括多个绝缘体层和至少一个接地导体层；
第一电路，其设置于所述多层基板的第一区域；
第二电路，其设置于所述多层基板中的作为与所述第一区域不同的区域的第二区域；
屏蔽导体膜，其设置于所述多层基板的侧面，与所述接地导体层局部接触，
其中，在所述多层基板的侧面中的与所述第一区域及所述第二区域这两方最接近的部分处，所述接地导体层未与所述屏蔽导体膜接触。


2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电路是发送电路，所述第二电路是天线电路。


3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川大，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP