半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具备在底面的一部分具有镀层部半导体元件以及密封所述半导体元件的所述底面以外的面的保护部件，所述镀层部与所述半导体元件内的电路电连接。

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知有不进行利用键合线的内部布线而是在裸芯片上直接安装了外部连接用的端子的半导体装置。例如专利文献1中，记载了在裸芯片的一面设有外部连接用的凸块且另一面被保护树脂密封的结构的半导体装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2001－244281号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题专利文献1中记载的以往的半导体装置中，安装端子是由焊接凸块构成的，因此，难以控制半导体装置的高度方向上的厚度。用于解决课题的方案根据本专利技术的第一方式，半导体装置具备在主面的一部分具有镀层部的半导体元件以及密封所述半导体元件的所述主面以外的面的保护部件，所述镀层部与所述半导体元件内的电路电连接。根据本专利技术的第二方式，半导体装置的制造方法具有：在半导体元件的主面的一部分形成用于与所述半导体元件内的电路电连接的镀层部，通过保护部件来密封所述半导体元件的所述主面以外的面。专利技术效果根据本专利技术，能够容易地控制半导体装置的高度方向上的厚度。附图说明图1为第一实施方式所涉及的半导体装置的示意图，(a)为半导体装置的截面图，(b)为从主面侧观察半导体装置时的平面图。图2中，(a)～(d)为用于说明半导体装置的制造方法的截面图。图3中，(a)～(d)为用于说明图2之后的半导体装置的制造方法的截面图。>图4中，(a)～(d)为用于说明图3之后的半导体装置的制造方法的截面图。图5中，(a)～(d)为用于说明图4之后的半导体装置的制造方法的截面图。图6中，(a)、(b)分别为变形例所涉及的半导体装置的截面图。具体实施方式以下，一边适当参照附图一边说明第一实施方式的半导体装置及半导体装置的制造方法等。在以下的实施方式中，将半导体装置的具备外部连接端子的面设为半导体装置的主面，上下方向设为与该主面垂直的方向，将从半导体装置的主面朝向外侧的方向设为朝上(上方向)。此外，以下的实施方式中，“连接”一词包含所连接的2个物质能够导通的含义。(第一实施方式)图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意图。图1(a)为半导体装置1的截面图，图1(b)为从主面侧观察半导体装置1时的平面图。半导体装置1具有半导体元件10、焊垫11a、焊垫11b、安装端子12a、安装端子12b以及密封树脂13。半导体元件10的形成有焊垫11a及焊垫11b的端子形成面S为主面。在端子形成面S上并排配置有焊垫11a及焊垫11b。在焊垫11a的上方向设有安装端子12a。焊垫11a与安装端子12a电连接。在焊垫11b的上方向设有安装端子12b。焊垫11b与安装端子12b电连接。在以下的说明中，将焊垫11a及焊垫11b统称为焊垫11。同样地，将安装端子12a及安装端子12b统称为安装端子12。在端子形成面S的没有形成焊垫11的部分形成有绝缘保护层16。绝缘保护层16在使半导体元件10绝缘的同时，保护半导体元件10不受异物等的影响。绝缘保护层16包含形成在端子形成面S上的钝化膜17以及形成在钝化膜17上的保护膜18。安装端子12包含形成在焊垫11上的第一导电层14以及形成在第一导电层14上的第二导电层15。第一导电层14例如由铜等导体来构成。第二导电层15例如由锡、银等导体来构成。半导体元件10是将作为半导体基板的晶圆切割而得到的裸的半导体芯片。半导体元件10包含二极管等单一电路而构成，或包含集成电路、大规模集成电路等电子电路而构成。焊垫11a及焊垫11b例如由铝等金属来构成。密封树脂13是将半导体装置1的6个面中除了设有安装端子12、绝缘保护层16的端子形成面S之外的5个面进行密封的保护部件。(半导体装置1的制造方法)以下，参照图2～图5来说明半导体装置1的制造方法。半导体装置1可通过对材料的晶圆20依次实施工序1～工序14来制造。需说明的是，图2及图3仅图示了形成于晶圆20的多个半导体装置1中，与1个半导体装置1对应的区域。实际上，在晶圆20上会形成多个用于形成图2及图3所图示的半导体装置1的半导体装置形成区域。如图2(a)所示，在晶圆20上，通过例如蒸镀等方法而形成有焊垫11a及焊垫11b。在晶圆20的形成有焊垫11的端子形成面S上，从焊垫11的上面形成有钝化膜17。钝化膜17中，在焊垫11的上部区域形成有开口部21。焊垫11从钝化膜17的开口部21露出。(工序1)工序1中，对晶圆20进行聚酰亚胺涂覆。在图2(a)所图示的晶圆20上涂布聚酰亚胺树脂，使用形成有预定图案的光掩模进行曝光、显影、固化。由此，晶圆20成为图2(b)所示的状态。图2(b)中，在钝化膜17上形成有由聚酰亚胺树脂形成的保护膜18。保护膜18的厚度为例如5微米左右。在开口部21上不形成保护膜18。(工序2)工序2中，形成用于电镀的种子层22。在图2(b)所图示的焊垫11及保护膜18上通过溅射法等来形成种子层22。种子层22为作为UBM(UnderBumpMetallurgy，凸块下金属)而起作用的薄膜。种子层22是例如作为密合层而形成钛(Ti)，在其上形成铜(Cu)。由此，晶圆20成为图2(c)所示的状态。图2(c)中，在保护膜18及开口部21上形成有种子层22。(工序3)工序3中，形成抗镀剂23。在图2(c)所图示的种子层22上涂布抗镀层剂，使用形成有预定图案的光掩模，进行曝光、显影。由此，晶圆20成为图2(d)所示的状态。图2(d)中，在种子层22上形成有抗镀层剂23。在形成安装端子12的部位，即开口部21上不形成抗镀层剂23。(工序4)工序4中，形成安装端子12的第一导电层14。对于没有形成图2(d)所图示的抗镀层剂23的部分，通过电镀来形成第一导电层14。第一导电层14例如由铜等来构成。由此，晶圆20成为图3(a)所示的状态。图3(a)中，在开口部21上形成有安装端子12的一部分，即第一导电层14。(工序5)工序5中，形成安装端子12的第二导电层15。在图3(a)所图示的第一导电层14上，通过电镀来形成第二导电层15。第二导电层15例如由包含锡及银的金属来形成。由此，晶圆20成为图3(b)所示的状态。图3(b)中，在开口部21上形成有包含第一导电层14及第二导电层15的安装端子12。需说明的是，为了减小半导体装置1的安装厚度，从绝缘保护层16的表面起的安装端子12的厚度希望为15微米以下。例如，如果将第一导电层14的厚度设为8微米左右，将第二导电层15的厚度设为3微米左右，就能够实现这样的厚度。(工序6)工序6中，除去抗镀层剂23。由于已经形成了图3(b)所图示的第一导电层14及第二导电层15，因此不需要抗镀层剂23，将其除去。由此，晶圆20成为图3(c)所示的状态。图3(c)中，形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备在主面的一部分具有镀层部的半导体元件以及密封所述半导体元件的所述主面以外的面的保护部件，/n所述镀层部与所述半导体元件内的电路电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170530 JP 2017-1066081.一种半导体装置，具备在主面的一部分具有镀层部的半导体元件以及密封所述半导体元件的所述主面以外的面的保护部件，
所述镀层部与所述半导体元件内的电路电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述主面的端部和所述保护部件的表面是连续地形成的。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述镀层部的从所述主面起的厚度为15微米以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述保护部件为均匀的热固性树脂。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述保护部件包含预定的填充剂。


6.一种半导体装置的制造方法，具有：
在半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高尾胜大，
申请(专利权)人：青井电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP