一种电镀法制作大锡球方法技术

本发明专利技术公开了一种电镀法制作大锡球方法，具体包括如下步骤：101)基础层制作步骤、102)辅助层制作步骤、103)电镀步骤、104)大锡球制作步骤；本发明专利技术提供工艺制作简单、成本较低的一种电镀法制作大锡球方法。

【技术实现步骤摘要】
一种电镀法制作大锡球方法
本专利技术涉及半导体
，更具体的说，它涉及一种电镀法制作大锡球方法。
技术介绍
晶圆级封装技术是先进封装领域用的最广的一种技术，尤其是对于消费类产品，晶圆级封装以其尺寸小，重量轻，厚度薄等优点，被广泛应用于移动电子设备，微型功能设备上。晶圆级封装对外焊接互联一般用焊锡球或者金属凸点，焊锡球的制作工艺包括直接植球，用焊锡膏制作焊球以及电镀工艺制作焊球，凸点则包括种植金属柱和电镀凸点两种。但是在电镀制作焊锡球的工艺中，电镀锡的高度会受到光刻胶层的厚度影响，如果要制作较大的焊球，则需要电镀非常厚的焊锡，现在的光刻涂胶工艺一般很难做到。如果增加电镀面积，则可以增加电镀锡的量，却增加了焊球的底座，焊球仍然不能做的太大。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足，提供一种电镀法制作大锡球方法。本专利技术的技术方案如下：一种电镀法制作大锡球方法，具体包括如下步骤：101)基础层制作步骤：载板上表面制作牺牲层，牺牲层的厚度范围在10nm到100um之间；牺牲层采用光刻胶、氧化硅、氮化硅或金属层，牺牲层的沉积方式采用旋涂工艺、气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺；通过光刻和刻蚀工艺，在牺牲层表面开口使载板上的互联焊盘露出；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在牺牲层上方制作种子层，种子层与牺牲层形成基础层；或者通过上述方法将种子层与牺牲层颠倒制作形成基础层；102)辅助层制作步骤：在步骤101)的种子层上表面制作做光刻胶，光刻胶厚度在1um到200um之间；通过曝光显影工艺露出载板上的互联焊盘；103)电镀步骤：电镀金属沉积，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，金属沉积采用一层或多层结构；通过湿法浸泡或者干法刻蚀工艺去除步骤102)中的光刻胶，再通过湿法腐蚀工艺去除步骤101)中的种子层；104)大锡球制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除牺牲层；对载板上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球。进一步的，刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀。进一步的，种子层厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。本专利技术相比现有技术优点在于：本专利技术通过在载板表面先制作一层基础层，然后在基础层上面制作电镀焊锡，最后去除基础层，回流得到大焊球。附图说明图1为本专利技术的载板设置牺牲层示意图；图2为本专利技术的图1设置种子层示意图；图3为本专利技术的图2设置光刻胶示意图；图4为本专利技术的图3经过曝光显影后的示意图；图5为本专利技术的图4电镀金属示意图；图6为本专利技术的图5去除光刻胶示意图；图7为本专利技术的图6去除牺牲层示意图；图8为本专利技术的示意图；图9为本专利技术的载板设置种子层示意图；图10为本专利技术的图9设置牺牲层示意图；图11为本专利技术的图10设置光刻胶示意图；图12为本专利技术的图11经过曝光显影后的示意图；图13为本专利技术的图12电镀金属示意图；图14为本专利技术的图13去除光刻胶示意图；图15为本专利技术的图14去除牺牲层示意图。图中标识：载板101、牺牲层102、互联焊盘103、种子层104、光刻胶105、电镀金属106、大锡球107。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术而不能作为对本专利技术的限制。本
技术人员可以理解的是，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本专利技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样的定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。各实施方式中提到的有关于步骤的标号，仅仅是为了描述的方便，而没有实质上先后顺序的联系。各具体实施方式中的不同步骤，可以进行不同先后顺序的组合，实现本专利技术的专利技术目的。下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明。实施例1：如图1至图8所示，一种电镀法制作大锡球107方法，具体包括如下步骤：101)基础层制作步骤：载板101上表面制作牺牲层102，牺牲层102的厚度范围在10nm到100um之间；牺牲层102可以是光刻胶105，PI等有机膜，也可以是氧化硅，氮化硅等无机氧化膜，或者是其他金属层。牺牲层102的沉积方式采用旋涂工艺、气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺；通过光刻和刻蚀工艺，在牺牲层102表面开口使载板101上的互联焊盘103露出。此处刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀。通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在牺牲层102上方制作种子层104，种子层104与牺牲层102形成基础层。其中种子层104厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等中的一种或多种混合。载板101采用4、6、8、12寸大小中的一种尺寸晶圆，厚度范围为200um到2000um，也可以是其他材质，包括玻璃，石英，碳化硅，氧化铝等无机材料，也可以是环氧树脂，聚氨酯等有机材料，其主要功能是提供支撑作用。102)辅助层制作步骤：在步骤101)的种子层104上表面制作做光刻胶105，光刻胶105厚度在1um到200um之间；通过曝光显影工艺露出载板101上的互联焊盘103。103)电镀步骤：电镀金属106沉积bumping，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，也可以是其他低熔点合金，如镓合金等。金属沉积采用一层或多层结构；通过湿法浸泡或者干法刻蚀工艺去除步骤102)中的光刻胶105，再通过湿法腐蚀工艺去除步骤101)中的种子层104；104)大锡球107制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除牺牲层102；对载板101上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球107。实施例2：如图9至图15所示，一种电镀法制作大锡球107方法，具体包括如下步骤：101)基础层制作步骤：在载板101上表面制作种子层104，种子层104厚度范围在1nm到100um，其可以是一层也可以是多层，金属材质可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等。在种子层104上表面制作牺牲层102，牺牲层102可以是光刻胶105，PI等有机膜，也可以是氧化硅，氮化硅等无机氧化膜，或者是其他金属层。牺牲层102的沉积方式包括旋涂工艺，气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺；牺牲层102的厚度范围在10nm到100微米之间；通过光刻和刻蚀工艺，在牺牲层102表面开口使互联焊盘103露出，此处刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀。载板101采用4、6、8、12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电镀法制作大锡球方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)基础层制作步骤：载板上表面制作牺牲层，牺牲层的厚度范围在10nm到100um之间；牺牲层采用光刻胶、氧化硅、氮化硅或金属层，牺牲层的沉积方式采用旋涂工艺、气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺；通过光刻和刻蚀工艺，在牺牲层表面开口使载板上的互联焊盘露出；/n通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在牺牲层上方制作种子层，种子层与牺牲层形成基础层；或者通过上述方法将种子层与牺牲层颠倒制作形成基础层；/n102)辅助层制作步骤：在步骤101)的种子层上表面制作做光刻胶，光刻胶厚度在1um到200um之间；通过曝光显影工艺露出载板上的互联焊盘；/n103)电镀步骤：电镀金属沉积，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，金属沉积采用一层或多层结构；通过湿法浸泡或者干法刻蚀工艺去除步骤102)中的光刻胶，再通过湿法腐蚀工艺去除步骤101)中的种子层；/n104)大锡球制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除牺牲层；对载板上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球。/n

【技术特征摘要】
1.一种电镀法制作大锡球方法，其特征在于：具体包括如下步骤：
101)基础层制作步骤：载板上表面制作牺牲层，牺牲层的厚度范围在10nm到100um之间；牺牲层采用光刻胶、氧化硅、氮化硅或金属层，牺牲层的沉积方式采用旋涂工艺、气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺；通过光刻和刻蚀工艺，在牺牲层表面开口使载板上的互联焊盘露出；
通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在牺牲层上方制作种子层，种子层与牺牲层形成基础层；或者通过上述方法将种子层与牺牲层颠倒制作形成基础层；
102)辅助层制作步骤：在步骤101)的种子层上表面制作做光刻胶，光刻胶厚度在1um到200um之间；通过曝光显影工艺露出载板上的互联焊盘；
103)电镀步骤：电镀金属沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，冯光建，王永河，马飞，程明芳，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33