半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置具备配置成彼此相对的第一半导体芯片(10)及第二半导体芯片(20)。第一半导体芯片(10)，具有设置于第一孔部(122)的第一连接部(13)，且第二半导体芯片(20)具有以形成于第二电极部(21)的表面、第二孔部(222)的侧面以及第二保护膜(22)的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部(23)。第一电极部(11)与第二电极部(21)经由第一连接部(13)及第二连接部(23)而电连接。

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本申请是对于2017年5月30日申请的日本申请的日本特愿2017-107035主张优先权利益，援用该日本申请中记载的所有记载内容。本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
专利文献1揭示了具备外部连接用的凸块电极的半导体装置。此集成电路装置中，与安装对象方的配线导体侧的凸块电极对应的位置设置有凹处，通过将各凸块电极与该凹处嵌合而将半导体装置的芯片相对于安装对象方定位后，将凸块电极与安装对象方的配线导体接合。此外，专利文献2揭示了具备由柱形凸块(studbump)构成的部件端子的电子部件。在该电子部件中，部件端子具有凹部，且在该凹部嵌入基板端子的尖端的状态下，部件端子与安装基板的基板端子接合。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平6-268016号公报。专利文献2：日本特开2014-154603号公报。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题但是，在专利文献1的半导体装置中，由于需要通过蚀刻等方法于配线导体上形成凹处的工序，故制造工序变得复杂。因此，有可能无法容易地制造上述半导体装置。此外，在专利文献2的电子部件，也需要有通过对成形工具进行加压而于部件端子形成凹部的工序，上述成形工具是具备通过硅的结晶异方性蚀刻而形成的四角锥形状的成形凸部。因此，有可能无法容易地制造上述电子部件。因此，本专利技术的课题在于提供可容易地制造的半导体装置。用于解决技术问题的技术方案本专利技术一形态的半导体装置，具备配置成彼此相对的第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片，具有：第一电极部，设置于与所述第二半导体芯片相对的相对面；以及第一保护膜，配置于与所述第二半导体芯片相对的部分且设置有所述第一电极部露出的第一孔部；并且所述第二半导体芯片，具有：第二电极部，设置于与所述第一半导体芯片相对的相对面；以及第二保护膜，配置于与所述第一半导体芯片相对的部分且设置有所述第二电极部露出的第二孔部；所述半导体装置中，所述第一半导体芯片，具有设置于所述第一孔部，且从所述第一孔部朝向所述第二孔部突出的导电性的第一连接部，所述第二半导体芯片，具有以形成于所述第二电极部的表面、所述第二孔部的侧面以及所述第二保护膜的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部，所述第一电极部与所述第二电极部，经由所述第一连接部及所述第二连接部而电连接。此外，本专利技术一形态的半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备配置成彼此相对的第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片，具有：第一电极部，设置于与所述第二半导体芯片相对的相对面；以及第一保护膜，配置于与所述第二半导体芯片相对的部分且设置有所述第一电极部露出的第一孔部；并且所述第二半导体芯片，具有：第二电极部，设置于与所述第一半导体芯片相对的相对面；以及第二保护膜，配置于与所述第一半导体芯片相对的部分且设置有所述第二电极部露出的第二孔部；其中，所述第一半导体芯片，具有设置于所述第一孔部，且从所述第一孔部朝向所述第二孔部突出的导电性的第一连接部，所述第二半导体芯片，具有以形成于所述第二电极部的表面、所述第二孔部的侧面以及所述第二保护膜的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部，所述第一电极部与所述第二电极部，经由所述第一连接部及所述第二连接部而电连接；所述半导体装置的制造方法，具有以下工序：于所述第一半导体芯片形成所述第一电极部，且以覆盖所述第一电极部的方式形成所述第一保护膜后，以所述第一电极部露出的方式形成所述第一孔部；于所述第二半导体芯片形成所述第二电极部，且以覆盖所述第二电极部的方式形成所述第二保护膜后，以所述第二电极部露出的方式形成所述第二孔部；于所述第一孔部形成金属膜而形成所述第一连接部；以及于所述第二电极部的表面、所述第二孔部的侧面以及所述第二保护膜的表面形成金属膜而形成所述第二连接部。有益效果根据上述形态的半导体装置，例如，通过于第二电极部的表面、第二孔部的侧面以及第二保护膜的表面形成金属膜，而能够形成以凹状金属膜构成的第二连接部，因此能够省略用于形成第二连接部的孔形成工序，而使制造工序简略化。其结果，能够提供可容易地制造的半导体装置。即，仅于第二电极部的表面、第二孔部的侧面以及第二保护膜的表面形成金属膜，便成为凹状。根据上述形态的半导体装置的制造方法，由于通过于第二电极部的表面、第二孔部的侧面以及第二保护膜的表面形成金属膜，而形成以凹状金属膜构成的第二连接部，因此无需进行用于形成第二连接部的孔形成，能够使制造工序简略化。由此，能够容易地制造半导体装置。附图说明图1是本专利技术第一实施方式的半导体装置的剖面示意图。图2是用以对图1的半导体装置的制造工序进行说明的示意图。图3是接续图2，用以对图1的半导体装置的制造工序进行说明的示意图。图4是接续图3，用以对图1的半导体装置的制造工序进行说明的示意图。图5是接续图4，用以对图1的半导体装置的制造工序进行说明的示意图。图6是本专利技术的第二实施方式的半导体装置的剖面示意图。图7是本专利技术的第三实施方式的半导体装置的剖面示意图。图8是本专利技术的第四实施方式的半导体装置的剖面示意图。图9是本专利技术的第五实施方式的半导体装置的剖面示意图。图10是本专利技术的第六实施方式的半导体装置的剖面示意图。图11是本专利技术的第七实施方式的半导体装置的剖面示意图。具体实施方式以下，依据所附的附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，虽然根据需要而使用表示特定的方向、位置的用语(例如，包含「上」、「下」、「侧」、「端」的用语)，但是这些用语的使用，是为了容易地理解参照附图的专利技术，并非通过这些用语的意思来限定本专利技术的技术性范围。此外，以下的说明，本质上只不过是例示，并非意图限制本专利技术、其适用物、或其用途。进一步，附图为示意性的图，各尺寸的比率等与现实不同。(第一实施方式)如图1所示，本专利技术的第一实施方式的半导体装置1具备配置成彼此相向的第一半导体芯片10、与第二半导体芯片20。第一半导体芯片10例如为LED(即，发光二极管)，第二半导体芯片20例如为LSI(大规模集成电路)。第一半导体芯片10具有导电性的第一电极部11、绝缘性的第一保护膜12、与导电性的第一凸块13。另外，第一凸块13为第一连接部的一个示例。第一电极部11由金属膜，例如金属构成，且配置于与第二半导体芯片20相对的相对面101。第一保护膜12由绝缘膜，例如由氧化硅膜(SiO2)构成，且覆盖第一电极部11，并且配置于与第二半导体芯片20相对的部分，于其底部设置有第一电极部11露出的第一孔部122。详细而言，第一保护膜12具有从第一孔部122的开口缘部朝向第二半导体芯片20突出的第一凸部121，于与此第一凸部121的第二半导体芯片20相对的前端部设置有第一孔部122。第一凸块13例如为由金(Au)构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具备配置成彼此相对的第一半导体芯片及第二半导体芯片，/n所述第一半导体芯片具有：/n第一电极部，设置于与所述第二半导体芯片相对的相对面；以及/n第一保护膜，配置于与所述第二半导体芯片相对的部分且设置有所述第一电极部露出的第一孔部；并且/n所述第二半导体芯片，具有：/n第二电极部，其设置于与所述第一半导体芯片相对的相对面；以及/n第二保护膜，其配置于与所述第一半导体芯片相对的部分且设置有所述第二电极部露出的第二孔部；/n其特征在于，/n所述第一半导体芯片，其具有设置于所述第一孔部，且从所述第一孔部朝向所述第二孔部突出的导电性的第一连接部，/n所述第二半导体芯片，其具有由形成于所述第二电极部的表面、所述第二孔部的侧面以及所述第二保护膜的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部，所述第一电极部与所述第二电极部经由所述第一连接部及所述第二连接部而电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170530 JP 2017-1070351.一种半导体装置，其具备配置成彼此相对的第一半导体芯片及第二半导体芯片，
所述第一半导体芯片具有：
第一电极部，设置于与所述第二半导体芯片相对的相对面；以及
第一保护膜，配置于与所述第二半导体芯片相对的部分且设置有所述第一电极部露出的第一孔部；并且
所述第二半导体芯片，具有：
第二电极部，其设置于与所述第一半导体芯片相对的相对面；以及
第二保护膜，其配置于与所述第一半导体芯片相对的部分且设置有所述第二电极部露出的第二孔部；
其特征在于，
所述第一半导体芯片，其具有设置于所述第一孔部，且从所述第一孔部朝向所述第二孔部突出的导电性的第一连接部，
所述第二半导体芯片，其具有由形成于所述第二电极部的表面、所述第二孔部的侧面以及所述第二保护膜的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部，所述第一电极部与所述第二电极部经由所述第一连接部及所述第二连接部而电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连接部由形成于所述第一电极部的表面、所述第一孔部的侧面以及所述第一保护膜的表面的凹状金属膜构成。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二孔部的宽度小于所述第二连接部的宽度，且大于所述第一连接部的宽度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连接部构成为能够与所述第二连接部的凹处中的底面及内面接触。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一保护膜具有能够与所述第一接触部的凹处嵌合的嵌合凸部。


6.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽井敬一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP