一种显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制作方法，该方法包括：在玻璃基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中沟道区域与所述栅极的位置对应。本发明专利技术的显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
随着柔性显示、micro-LED、OLED、QLED等新型显示技术的发展，对于驱动元件的性能要求越来越高，如高迁移率、快速驱动以及低损耗等。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)作为各类显示技术中重要的驱动元件，其性能直接关系到显示技术的发展。现有的薄膜晶体管的栅极和源极漏极之间的接触层的材料通常为普通的二硫化钼，二硫化钼作为经典的层状过渡金属硫化物，由于其突出的物理、化学、电学及光学性能被广泛应用于包括储能在内的各个领域，表现出了优异的性能。然而，研究发现，TFT中的MoS2与传统金属电极(如铝、铜钛等)之间具有较高的接触电阻，不利于载流子的传导，降低了TFT的导电性能。因此，有必要提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种显示面板的制作方法，包括：在玻璃基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。本专利技术还提供一种显示面板，其包括：r>玻璃基板；栅极，设于所述玻璃基板上；栅绝缘层，设于所述栅极上；沟道，设于所述栅绝缘层上，所述沟道与所述栅极的位置对应，所述沟道的材料为半导体2H相接触层；至少一金属1T’相接触层，设于所述栅绝缘层上，且位于所述沟道的两侧；源极和漏极，分别位于所述沟道的两侧中的一侧，所述源极的材料和所述漏极的材料相同，所述源极的材料与所述沟道的材料不同。本专利技术的显示面板及其制作方法，通过在玻璃基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；由于金属1T’相接触层的导电性能较好，因此将其作为与金属电极之间的过渡层，可以降低接触电阻，从而提高薄膜晶体管的导电性能。【附图说明】图1为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第一步的结构示意图。图2为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第二步的结构示意图。图3为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第三步的结构示意图。图4为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第四步的结构示意图。图5为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第五步的结构示意图。图6为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第六步的结构示意图。图7为本专利技术实施例二的显示面板的制作方法的第五步的结构示意图。图8为本专利技术实施例二的显示面板的结构示意图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1至6，图1为本专利技术实施例一的显示面板的制作方法的第一步的结构示意图。本实施例的显示面板的制作方法包括：S101、在玻璃基板上制作栅极；例如，如图1所示，在玻璃基板11上制作第一金属层，对第一金属层进行图案化处理，得到栅极12。其中所述栅极12的材料可包括钼、铜、铝以及钛中的至少一种。S102、在所述栅极上制作栅绝缘层；例如，如图2所示，在所述栅极12上沉积栅绝缘层13。其中所述栅绝缘层13的材料可包括SiOx、SiNx、SiNO、Al2O3、AlN、BN以及HfO2中的至少一种。比如所述栅绝缘层13的材料可为SiOx，SiOx/SiNx叠层、SiNx/SiOx叠层、SiOx、SiNx以及SiNO叠层、SiOx、SiNx以及Al2O3叠层、AlN、BN、HfO2等高K介电层。S103、在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；例如，如图3所示，在所述栅绝缘层13上制作一层金属1T’相接触层14。当然，可以理解的金属1T’相接触层14的层数可以为两层或者两层以上。其中所述金属1T’相接触层的层数可根据薄膜晶体管的预设导电性能设置。也即根据薄膜晶体管的实际需要的导电性能设置金属1T’相接触层的层数。在一实施方式中，为了进一步提高导电性能，所述接触层的材料可为二硫化钼。当然可以理解的，接触层的材料不限于二硫化钼。在一实施方式中，所述在所述栅绝缘层上制作金属1T’相接触层的步骤可包括：S1031、采用溶液法和气相合成法中的至少一种在所述栅绝缘层上制备金属1T’相接触层。当然可以理解的，本实施例的金属1T’相接触层的制备方法不限于溶液法和气相合成法，还可为转移技术等方法，当然还可采用其他现有制备方法。S104、对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中沟道区域与所述栅极的位置对应。例如，如图4所示，利用图形化技术对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，得到沟道15，以及使位于所述沟道15两侧的金属1T’相接触层形成源极141以及漏极142。其中沟道区域与所述栅极12的位置对应，换句话说沟道区域覆盖栅极12。在一实施方式中，上述方法还可包括：S105、在所述沟道、源极以及漏极上形成钝化层，所述钝化层上设置有过孔；例如，如图5所示，在所述沟道15、源极141以及漏极142上形成钝化层16，所述钝化层16上设置有过孔161。比如可对钝化层16进行图案化处理得到过孔161。所述钝化层16的材料可为SiOx，SiOx/SiNx叠层、SiNx/SiOx叠层、SiOx、SiNx以及SiNO叠层、SiOx、SiNx以及Al2O3叠层、AlN、BN、HfO2等高K介电层。S106、在所述钝化层上以及所述过孔内制作像素电极。例如，结合图5和图6，在所述钝化层16上以及所述过孔161内制作像素电极17。其中所述像素电极17通过所述过孔161与所述漏极142连接。所述像素电极17的材料可为ITO。如图6所示，本实施例还提供一种显示面板，其包括玻璃基板11、以及依次位于玻璃基板上的栅极12、栅绝缘层13、金属1T’相接触层14、沟道15、钝化层16以及像素电极17。其中金属1T’相接触层14设于所述栅绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：/n在玻璃基板上制作栅极；/n在所述栅极上制作栅绝缘层；/n在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；/n对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上制作栅极；
在所述栅极上制作栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；
对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。


2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极的步骤包括：
对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，得到沟道；
使位于所述沟道两侧的金属1T’相接触层形成源极以及漏极。


3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极的步骤包括：
对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，得到沟道；
在所述金属1T’相接触层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，以在位于所述沟道两侧中的一侧的金属1T’相接触层上形成源极，在位于所述沟道两侧中的另一侧的金属1T’相接触层上形成漏极。


4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅雪茹，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44