陶瓷生片制造工序用剥离膜制造技术

本发明专利技术提供一种陶瓷生片的剥离性优异的陶瓷生片制造工序用剥离膜。所述陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)、(2)具备基材(11)与设置于基材(11)的单面侧的剥离剂层(12)，剥离剂层(12)由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有：不具有聚有机硅氧烷链与倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(A)；具有聚有机硅氧烷链且不具有倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(B)；具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)；光聚合引发剂(D)。

Peeling film for ceramic chip manufacturing process

【技术实现步骤摘要】
陶瓷生片制造工序用剥离膜
本专利技术涉及一种制造陶瓷生片的工序中使用的剥离膜。
技术介绍
以往，为了制造层叠陶瓷电容器或多层陶瓷基板之类的层叠陶瓷产品，会成型陶瓷生片，将得到的陶瓷生片多片层叠并进行烧成。陶瓷生片通过将含有钛酸钡或氧化钛等陶瓷材料的陶瓷浆料涂布于剥离膜而成型为均匀的厚度。作为剥离膜，通常使用利用聚硅氧烷等硅酮类化合物对膜基材进行剥离处理而形成有剥离剂层的剥离膜。近年来，伴随着电子设备的小型化与高性能化，层叠陶瓷电容器或多层陶瓷基板的小型化及多层化得到发展，陶瓷生片的薄膜化也在不断发展。若将陶瓷生片薄膜化且其干燥后的厚度例如为3μm以下，则涂布陶瓷浆料并使其干燥时，因剥离膜的剥离剂层的表面状态而导致陶瓷生片中容易产生针孔或厚度不均等缺陷。此外，将成型的陶瓷生片从剥离膜上剥离时，容易发生由陶瓷生片的强度降低造成的断裂等不良情况。因此，对该剥离膜要求能够将成型在该剥离膜上的薄膜陶瓷生片从该剥离膜上剥离而不产生断裂等的剥离性。从实现这样的剥离性的角度出发，专利文献1中公开了一种剥离膜，其在基材的一个面上具备剥离剂层，在基材的另一个面上具备背面涂层，所述剥离剂层使用含有活性能量射线固化性化合物(a1)与聚有机硅氧烷(b1)的剥离剂层形成材料而形成，所述背面涂层使用含有活性能量射线固化性化合物(a2)的背面涂层形成材料而形成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5451951号
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题>然而，伴随着电子设备的小型化与高性能化的发展，在剥离膜上成型具有小于1μm的厚度的陶瓷生片的情况也在不断增加。由于这种极薄的陶瓷生片的强度也非常小，因此使用以往的剥离膜时，难以一边抑制断裂等不良情况一边将其从剥离膜上剥离。本专利技术是鉴于这样的实际状况而完成的，其目的在于提供一种陶瓷生片的剥离性优异的陶瓷生片制造工序用剥离膜。解决技术问题的技术手段为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材与设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，其特征在于，所述剥离剂层由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有：不具有聚有机硅氧烷链及倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(A)；具有聚有机硅氧烷链且不具有倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(B)；具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)；光聚合引发剂(D)(专利技术1)。上述专利技术(专利技术1)的陶瓷生片制造工序用剥离膜中，由于剥离剂层由包含具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)的剥离剂组合物形成，因此剥离剂层具有较高的储能模量，由此，能够对陶瓷生片发挥优异的剥离性。在上述专利技术(专利技术1)中，优选所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)具有活性能量射线固化性基团(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)具有聚有机硅氧烷链(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，优选所述活性能量射线固化性化合物(A)在1分子中具有3个以上的(甲基)丙烯酰基(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，所述剥离剂组合物中，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)的含量相对于所述活性能量射线固化性化合物(A)及所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)的含量的总计的比优选为0.03以上、0.50以下(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术1～5)中，所述剥离剂组合物中，所述活性能量射线固化性化合物(B)的含量相对于所述活性能量射线固化性化合物(A)、所述活性能量射线固化性化合物(B)及所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)的含量的总计的比优选为0.003以上、0.05以下(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术1～6)中，优选所述剥离剂层的、与所述基材为相反侧的面的表面自由能为15mJ/m2以上、35mJ/m2以下(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术1～7)中，优选所述剥离剂层的厚度为0.05μm以上、2.0μm以下(专利技术8)。在上述专利技术(专利技术1～8)中，优选所述剥离剂层的、与所述基材为相反侧的面的最大突起高度(Rp1)为5nm以上、100nm以下(专利技术9)。在上述专利技术(专利技术1～9)中，优选所述基材的、与所述剥离剂层为相反侧的面的最大突起高度(Rp2)为30nm以上、500nm以下(专利技术10)。在上述专利技术(专利技术1～10)中，优选在所述基材与所述剥离剂层之间具备抗静电层(专利技术11)。专利技术效果本专利技术的陶瓷生片制造工序用剥离膜的陶瓷生片的剥离性优异。附图说明图1为本专利技术的第一实施方式的陶瓷生片制造工序用剥离膜的截面图。图2为本专利技术的第二实施方式的陶瓷生片制造工序用剥离膜的截面图。附图标记说明1、2：陶瓷生片制造工序用剥离膜；11：基材；111：第一面；112：第二面；12：剥离剂层；121：剥离面；13：抗静电层。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。[陶瓷生片制造工序用剥离膜]如图1所示，第一实施方式的陶瓷生片制造工序用剥离膜1(以下，有时简称为“剥离膜1”)具备基材11与层叠于基材11的第一面111(在图1中为上表面)的剥离剂层12而构成。基材11在基材11的、与第一面111为相反侧的面(在图1中为下表面)具备第二面112，剥离剂层12在与基材11为相反侧的面具备剥离面121。此外，如图2所示，第二个实施方式的陶瓷生片制造工序用剥离膜2(以下，有时简称为“剥离膜2”)具备基材11、层叠于基材11的第一面111(在图2中为上表面)的抗静电层13、层叠于抗静电层13的与基材11为相反侧的面的剥离剂层12而构成。在剥离膜2中，与剥离膜1同样地，基材11在基材11的、与第一面111为相反侧的面(在图1中为下表面)也具备第二面112，剥离剂层12在与抗静电层13为相反侧的面也具备剥离面121。1.基材本实施方式的剥离膜1、2的基材11只要能够层叠剥离剂层12和抗静电层13，则没有特别限定。作为该基材11，例如可列举出由聚对苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚丙烯或聚甲基戊烯等聚烯烃、聚碳酸酯、聚乙酸乙烯酯等塑料构成的膜，其可以为单层，也可以为同种或不同种的2层以上的多层。其中，优选聚酯膜，特别优选聚对苯二甲酸乙二酯膜，进一步优选双向拉伸聚对苯二甲酸乙二酯膜。由于聚对苯二甲酸乙二酯膜在加工时、使用时等不易产生灰尘等，因此例如能够有效地防止由灰尘等造成的陶瓷浆料涂布不良等。进一步，通过对聚对苯二甲酸乙二酯膜进行抗静电处理，能够提高防止涂布不良等的效果。此外，在该基材11中，以提高与剥离剂层12或抗静电层13的密合性为目的，根据需要能够于第一面111或者第一面111与第二面112的两面上实施基于氧化法或凹凸化法等的表面处理或底涂处理(primertreatment)。作为上述氧化法，例如可列举出电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，此外，作为凹凸化法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材与设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，其特征在于，/n所述剥离剂层由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有：/n不具有聚有机硅氧烷链与倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(A)；/n具有聚有机硅氧烷链且不具有倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(B)；/n具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)；及/n光聚合引发剂(D)。/n

【技术特征摘要】
20180710 JP 2018-1308541.一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材与设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，其特征在于，
所述剥离剂层由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有：
不具有聚有机硅氧烷链与倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(A)；
具有聚有机硅氧烷链且不具有倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物(B)；
具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)；及
光聚合引发剂(D)。


2.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)具有活性能量射线固化性基团。


3.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)具有聚有机硅氧烷链。


4.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述活性能量射线固化性化合物(A)在1分子中具有3个以上的(甲基)丙烯酰基。


5.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂组合物中，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)的含量相对于所述活性能量射线固化性化合物(A)与所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物(C)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：市川慎也，深谷知巳，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP