一种高稳定晶体谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高稳定晶体谐振器，包括：外壳体、基座、晶片和引线，其中：外壳体包括主腔室和位于主腔室一侧且两端贯通的通腔，所述通腔的一端设有与其连接并连通的吸盘，通腔内设有活塞块，活塞块远离吸盘的一端设有与其连接的抽拉杆；抽拉杆的外壁上设有向其中心线方向凹陷的凹槽，凹槽内设有卡块，所述卡块与凹槽的槽底之间设有连接二者的弹性件；晶片固定在基座的电极上；基座上的基座位于外壳体靠近吸盘的一侧，且基座与外壳体配合将晶片封装在主腔室内；引线的一端与基座的电极连接。本实用新型专利技术可以有效提高谐振器安装的稳定性和牢固性。

A high stability crystal resonator

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定晶体谐振器
本技术涉及谐振器
，尤其涉及一种高稳定晶体谐振器。
技术介绍
石英晶体谐振器(英文：quartzcrystalunit或quartzcrystalresonator，常简写成Xtal)，简称石英晶体或晶振，是利用石英晶体(又称水晶)的压电效应，用来产生高精度振荡频率的一种电子元件，属于被动元件，广泛应用于各种电子产品中。然而现有技术的晶体谐振器在安装的牢固性和稳定性方面尚有不足之处，亟待改进。
技术实现思路
基于上述
技术介绍
中存在的技术问题，本技术提出一种高稳定晶体谐振器。本技术提出的一种高稳定晶体谐振器，包括：外壳体、基座、晶片和引线，其中：外壳体包括主腔室和位于主腔室一侧且两端贯通的通腔，所述通腔的一端设有与其连接并连通的吸盘，通腔内设有活塞块，活塞块远离吸盘的一端设有与其连接的抽拉杆；抽拉杆的外壁上设有向其中心线方向凹陷的凹槽，凹槽内设有卡块，所述卡块与凹槽的槽底之间设有连接二者的弹性件；晶片固定在基座的电极上；基座位于外壳体靠近吸盘的一侧，且基座与外壳体配合将晶片封装在主腔室内；引线的一端与基座的电极连接。优选地，通腔的一端设有与其螺纹连接的螺纹柱，所述螺纹柱的内部设有与通腔连通的中心腔，吸盘位于螺纹柱远离通腔的一端并与螺纹柱固定连接。优选地，抽拉杆包括主杆体和一端插入主杆体内部并与主杆体抽拉连接的副杆体，其中：主杆体远离副杆体的一端与活塞块固定。优选地，主杆体内部设有中心腔，中心腔远离活塞块一端的内部设有与其内壁固定的限位环；副杆体的一端伸入中心腔内，且副杆体位于中心腔的一端设有与其固定的限位块。优选地，凹槽设置在主杆体上，且位于主杆体远离活塞块的一端。本技术中，通过将在外壳体中主腔室的一侧设置通腔，并在通腔的内部设置活塞块和与活塞块连接的抽拉杆，在通腔的一端设置吸盘，以使该谐振器安装在电路板上后，可以通过拉动抽拉杆使吸盘牢牢的吸附在电路板上，以借助吸盘的吸力使谐振器的重量直接由电路板承担，以提高安装的稳定性和牢固性，并提高引线工作状态的稳定性和可靠性。附图说明图1为本技术提出的一种高稳定晶体谐振器的结构示意图。具体实施方式下面，通过具体实施例对本技术的技术方案进行详细说明。如图1所示，图1为本技术提出的一种高稳定晶体谐振器的结构示意图。参照图1，本技术提出的一种高稳定晶体谐振器，包括：外壳体1、基座2、晶片3和引线4，其中：外壳体1包括主腔室和位于主腔室一侧且两端贯通的通腔，所述通腔的一端设有与其连接并连通的吸盘5，通腔内设有活塞块6，活塞块6远离吸盘5的一端设有与其连接的抽拉杆7，以使在抽拉杆7拉动活塞块6在通腔内移动时可以使吸盘5内部产生负压，进而使吸盘5可以牢牢吸附在物体上。抽拉杆7的外壁上设有向其中心线方向凹陷的凹槽，凹槽内设有卡块，所述卡块与凹槽的槽底之间设有连接二者的弹性件，工作中，当抽拉杆7中的凹槽拉出通腔时，卡块71在弹性件的作用下自动弹出凹槽并卡在通腔的边口处，以使抽拉杆7固定。晶片3固定在基座2的电极上，基座2位于外壳体1靠近吸盘5的一侧，且基座2与外壳体1配合将晶片3封装在主腔室内；引线4的一端与基座2的电极连接。由上可知，本技术通过将在外壳体1中主腔室的一侧设置通腔，并在通腔的内部设置活塞块6和与活塞块6连接的抽拉杆7，在通腔的一端设置吸盘5，以使该谐振器安装在电路板上后，可以通过拉动抽拉杆7使吸盘5牢牢的吸附在电路板上，以借助吸盘5的吸力使谐振器的重量直接由电路板承担，以提高安装的稳定性和牢固性，并提高引线4工作状态的稳定性和可靠性。此外，本实施例中，通腔的一端设有与其螺纹连接的螺纹柱8，所述螺纹柱8的内部设有与通腔连通的中心腔，吸盘5位于螺纹柱8远离通腔的一端并与螺纹柱8固定连接；工作中，利用螺纹柱8在通腔内的旋进旋出，可以对吸盘5的高度进行调整，以适用吸附要求。本实施例中，抽拉杆7包括主杆体和副杆体，主杆体内部设有中心腔，主杆体的一端与活塞块6固定，中心腔远离活塞块6一端的内部设有与其内壁固定的限位环；副杆体的一端伸入中心腔内，且副杆体位于中心腔的一端设有与其固定的限位块；凹槽设置在主杆体上，且位于主杆体远离活塞块6的一端。以使抽拉杆7向外抽拉一定长度固定后，可以将副杆体推入主杆体的中心腔内，以减少抽拉杆7的长度，避免与外界产生干涉。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高稳定晶体谐振器，其特征在于，包括：外壳体(1)、基座(2)、晶片(3)和引线(4)，其中：/n外壳体(1)包括主腔室和位于主腔室一侧且两端贯通的通腔，所述通腔的一端设有与其连接并连通的吸盘(5)，通腔内设有活塞块(6)，活塞块(6)远离吸盘(5)的一端设有与其连接的抽拉杆(7)；抽拉杆(7)的外壁上设有向其中心线方向凹陷的凹槽，凹槽内设有卡块(71)，所述卡块(71)与凹槽的槽底之间设有连接二者的弹性件；/n晶片(3)固定在基座(2)的电极上；基座(2)位于外壳体(1)靠近吸盘(5)的一侧，且基座(2)与外壳体(1)配合将晶片(3)封装在主腔室内；引线(4)的一端与基座(2)的电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高稳定晶体谐振器，其特征在于，包括：外壳体(1)、基座(2)、晶片(3)和引线(4)，其中：
外壳体(1)包括主腔室和位于主腔室一侧且两端贯通的通腔，所述通腔的一端设有与其连接并连通的吸盘(5)，通腔内设有活塞块(6)，活塞块(6)远离吸盘(5)的一端设有与其连接的抽拉杆(7)；抽拉杆(7)的外壁上设有向其中心线方向凹陷的凹槽，凹槽内设有卡块(71)，所述卡块(71)与凹槽的槽底之间设有连接二者的弹性件；
晶片(3)固定在基座(2)的电极上；基座(2)位于外壳体(1)靠近吸盘(5)的一侧，且基座(2)与外壳体(1)配合将晶片(3)封装在主腔室内；引线(4)的一端与基座(2)的电极连接。


2.根据权利要求1所述的高稳定晶体谐振器，其特征在于，通腔的一端设...

【专利技术属性】
技术研发人员：何晓明，何文俊，
申请(专利权)人：铜陵市峰华电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34