半导体衬底的处理装置制造方法及图纸

本申请公开了一种半导体衬底的处理装置，该处理装置包括：壳体，壳体上表面具有开口；位于壳体内的吸附件，用于吸附待处理的半导体衬底；位于壳体内的第一支撑架，第一支撑架具有一容纳空间内，吸附件位于该容纳空间内；清洗件，清洗件中具有第一清洗液，第一清洗液通过壳体的开口对半导体衬底背面的预设区域进行清洗；其中，半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，第一清洗液为具有腐蚀性的药液。该处理装置可以针对半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响半导体衬底的未被腐蚀部分，缓解半导体衬底背面的颜色不一致现象。

Processing device of semiconductor substrate

【技术实现步骤摘要】
半导体衬底的处理装置
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体衬底的处理装置。
技术介绍
以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管等领域有着十分广泛的应用，如异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、LED等半导体器件。具体的，半导体器件的制作需要在高质量的衬底的主面用分子束外延技术或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构，因此，在半导体衬底表面生长外延结构之前，需要对半导体衬底的主面进行抛光、清洗等工艺，以获得高质量的衬底。但是，现有半导体衬底的制作工艺形成的半导体衬底的背面经常存在颜色不一致的现象。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种半导体衬底的处理装置，以缓解所述半导体衬底背面存在的颜色不一致现象。为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：一种半导体衬底的处理装置，包括：壳体，所述壳体上表面具有开口；位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。可选的，所述壳体内具有第二清洗液，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。可选的，所述壳体上具有进液口。可选的，所述进液口在所述壳体上的高度低于所述半导体衬底放置于所述吸附件表面后所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面。可选的，所述吸附件为吸附有非腐蚀性液体的吸附本体。可选的，所述吸附本体为海绵。可选的，所述清洗件包括：滴定管以及与所述滴定管固定连接的储液罐。可选的，还包括：第二支撑架，所述第二支撑架用于固定所述清洗件。一种半导体衬底的处理方法，应用于上述任一项所述的半导体衬底的处理装置，其特征在于，该方法包括：将待处理的半导体衬底放置于半导体衬底处理装置中吸附件的表面，所述半导体衬底的主面朝向所述吸附件，所述半导体衬底的背面背离所述吸附件；利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行第一次清洗；其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。可选的，该方法还包括：利用第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行第二次清洗，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：本申请实施例所提供的技术方案，在所述半导体衬底的背面出现颜色不一致现象时，可以直接将所述半导体衬底放置在所述吸附件上，利用所述吸附件与所述半导体衬底之间的吸附力对所述半导体衬底进行固定，然后，利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，以缓解所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色不一致现象，使得所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色趋于一致。由此可见，本申请实施例所提供的半导体衬底的处理装置，可以针对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，从而有效去除所述半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响所述半导体衬底的未被腐蚀部分，从而不影响所述半导体衬底的正常加工，无需要重新抛光，甚至报废，提高了所述半导体衬底的成品率，降低了所述半导体衬底的成本。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一个实施例所提供的半导体衬底的处理装置的结构示意图；图2为本申请另一个实施例所提供的半导体衬底的处理装置的结构示意图；图3为本申请一个实施例所提供的半导体衬底的处理装置中第一支撑架的结构示意图；图4为本申请一个实施例所提供的半导体衬底的处理方法的流程图；图5为本申请另一个实施例所提供的半导体衬底的处理方法的流程图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，现有半导体衬底的制作工艺形成的半导体衬底的背面经常存在颜色不一致的现象。专利技术人研究发现，这是由于在对半导体衬底的主面进行抛光时，主要是通过将半导体衬底的背面固定在固定盘(TP盘)上，使得半导体衬底的主面朝下，然后用氯类抛光机镜面抛光半导体衬底的主面。具体抛光过程中，由于固定盘的面积稍大于所述半导体衬底的面积和/或固定盘的使用时间较长，在对半导体衬底的主面进行抛光的过程中，固定盘和所述半导体衬底的接触区域边缘部分会积留较多的抛光液，该抛光液溶液渗透到半导体衬底的背面，对半导体衬底背面造成腐蚀，使得半导体衬底背面的被腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色不一致，影响半导体衬底的质量，导致该半导体衬底重新抛光或报废，造成半导体衬底的成品率降低，生产成本增加。而且，如果所述半导体衬底重新抛光的次数较多，会严重影响所述半导体衬底的厚度，使得所述半导体衬底的厚度过薄，导致该半导体衬底无法再继续使用，只能报废。另外，在对所述半导体衬底的主面进行抛光完成后，需要对半导体衬底整体进行酸洗或碱洗，然后甩干，其中，在对所述半导体衬底进行酸洗或碱洗的过程中，也可能使得所述半导体衬底背面的颜色产生不一致现象。有鉴于此，本申请实施例提供了一种半导体衬底的处理装置，如图1所示，该处理装置包括：壳体1，所述壳体1上表面具有开口11；位于所述壳体1内的吸附件2，所述吸附件2用于吸附待处理的半导体衬底3，所述半导体衬底3位于所述吸附件2表面时，所述半导体衬底3的背面朝向所述壳体1的开口，所述半导体衬底3的主面朝向所述吸附件2，与所述吸附件2接触；位于所述壳体1内的第一支撑架4，所述第一支撑架4具有一容纳空间，所述吸附件2位于该容纳空间内；清洗件5，所述清洗件5中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体1的开口11对所述半导体衬底3背面的预设区域进行清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体衬底的处理装置，其特征在于，包括：/n壳体，所述壳体上表面具有开口；/n位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；/n位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；/n清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；/n其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底的处理装置，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体上表面具有开口；
位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；
位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；
清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；
其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。


2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述壳体内具有第二清洗液，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，所述第二清洗液为不具有腐蚀性...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖彬，周铁军，王金灵，刘留，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44